【富士通半导体数据表DS05-20865-3EFL灰内存CMOS2M （ 256K×8/128K×16】,IC型号MBM29LV200BC-70PFTN,MBM29LV200BC-70PFTN PDF资料,MBM29LV200BC-70PFTN经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-20865-3E

FL灰内存

CMOS

2M （ 256K

8/128K

16 ）位

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

特点

单3.0 V的读取，编程和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

使用相同的软件命令为E

PROM的

兼容JEDEC标准的世界各地的引脚

48引脚TSOP （ I）（包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）

44引脚SOP （包后缀： PF ）

最低100,000编程/擦除周期

高性能

70 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

一个8K字，二4K字，一是16K字，并在字模式3 32K字扇区

一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K ，和三个64K字节，字节的扇区模式

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除

启动代码部门架构

T =热门行业

B =底界

嵌入式擦除

算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪/忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

自动睡眠模式

当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式

低V

写禁止

≤

2.5 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读

（续）

嵌入式擦除

和嵌入式程序

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

（续）

扇区保护

硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合

通过扩展行业保护命令扇区保护设置功能

临时机构解除保护

通过RESET引脚临时机构解除保护

包

48引脚塑料TSOP （ I）

48引脚plasticTSOP （ I）

44引脚塑料SOP

侧面标

(FPT-48P-M19)

(FPT-48P-M20)

(FPT-44P-M16)

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

概述

该MBM29LV200TC / BC是8M位， 3.0 V-仅限Flash组织成256K字节的8位或每128K内存

也就是说，每行16位。该MBM29LV200TC / BC在48引脚TSOP （ I）和44引脚SOP封装。这些

设备被设计成被编程在系统的标准系统3.0 VV

供应量。 12.0 V V

和

5.0 V V

不需要用于写入或擦除操作。该器件还可以在标准的重新编程

EPROM编程器。

标准MBM29LV200TC / BC提供访问时间70 ns到120 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有独立的芯片使能（ CE ），

写使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

该MBM29LV200TC / BC的引脚和指令集JEDEC标准E兼容

PROM中。命令

被写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为

输入到一个内部状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也

锁存的地址和所需要的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的

类似于从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。

该MBM29LV200TC / BC由执行程序指令序列编程。这将调用

嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度

并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。

擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除

算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的

前执行擦除操作。在擦除时，设备会自动时间擦除脉冲宽度和

验证正确的电池余量。

一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证。（如果已完全预编程。）

该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和

重新编程，而不会影响其他部门。从出厂时的MBM29LV200TC / BC被删除

工厂。

这些器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测

通过对DQ的触发位功能

或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直

完成时，设备内部复位到读模式。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29LV200TC / BC记忆电擦除整个芯片

或者通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1

字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

灵活的扇区擦除架构

一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K ，和三个64K字节

单个部门，多个部门或批量擦除功能

单个或多个部门的保护是用户自定义的。

(×8)

16K字节

(×16)

64K字节

(×8)

(×16)

3FFFFH 1FFFFH

3BFFFH 1DFFFH

8K字节

39FFFH 1CFFFH

8K字节

37FFFH 1BFFFH

32K BYTE

2FFFFh 17FFFh

64K字节

1FFFFH地址0FFFFh

64K字节

地址0FFFFh 07FFFh

64K字节

00000H 00000H

MBM29LV200TC部门架构

16K字节

8K字节

32K BYTE

64K字节

3FFFFH 1FFFFH

2FFFFh 17FFFh

1FFFFH地址0FFFFh

地址0FFFFh 07FFFh

07FFFh 03FFFh

05FFFh 02FFFh

03FFFh 01FFFH

00000H

MBM29LV200BC部门架构

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

产品阵容

产品型号

= 3.3 V

订货型号

= 3.0 V

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

+0.3 V

–0.3 V

+0.6 V

–0.3 V

MBM29LV200TC/MBM29LV200BC

-70

—

-90

—

-12

120

框图

RY / BY

卜FF器

到DQ

RY / BY

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

字节

RESET

状态

控制

命令

编程电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

y解码器

Y型GATING

低V

探测器

定时器

编程/擦除

地址

LATCH

X解码器

细胞矩阵

到A

-1

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