MBM29F200TC
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/MBM29F200BC
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s
概述
该MBM29F200TC / BC是2M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成256K字节的8位或每128K内存
也就是说，每行16位。该MBM29F200TC / BC是在一个48引脚TSOP和44引脚SOP封装。这
设备被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不
在用于写或擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F200TC / BC提供的访问时间55 ns到90纳秒允许高速操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F200TC / BC是引脚和指令集与JEDEC标准兼容。命令写入
使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读出数据的装置的类似
阅读from12.0 V Flash或EPROM器件。
该MBM29F200TC / BC是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的电池余量。
一个扇区通常被擦除并在1.0秒验证（如果已经完全预编程）。
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29F200TC / BC被擦除。
该器件拥有两个读写功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
完成后，设备内部复位到读模式。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F200TC / BC内存电擦除整个芯片
或者通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个扇区内的所有位。该字节/字编程1
字节/字在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
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