富士通半导体
数据表
DS05-20879-2E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29F160TE/BE
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F160TE / BE是一个16M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29F160TE / BE是在一个48引脚TSOP （ I）封装。该装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F160TE / BE提供的55毫微秒， 70毫微秒和90毫微秒的访问时间，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F160TE / BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
（续）
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V±5%
V
CC
= 5.0 V±10%
-55
—
55
55
30
MBM29F160TE/160BE
—
-70
70
70
30
—
-90
90
90
40
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
（续）
该MBM29F160TE / BE是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序
TM
*算法是一个内部算法，可以自动倍的编程脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在约0.5验证
秒。擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式
抹去
TM
*算法是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它不是已
在执行擦除操作之前编程。在擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29F160TE / BE被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29F160TE / BE也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29F160TE / BE内存电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
s
特点
0.23
m
工艺技术
单5.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN-正常弯曲型， TR-反弯型）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式之一8K字，二4K字，一是16K字，和31 32K字扇区
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K和31 64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
低V
CC
写禁止
≤
4.2 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一线器内的另一扇区的读数据和/或程序
=硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
根据CFI （通用闪存接口）
WP输入引脚（硬件保护）
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在开放，允许拆除引导扇区保护（ MBM29F160TE / BE ）
3
富士通半导体
数据表
DS05-20879-2E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29F160TE/BE
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F160TE / BE是一个16M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29F160TE / BE是在一个48引脚TSOP （ I）封装。该装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F160TE / BE提供的55毫微秒， 70毫微秒和90毫微秒的访问时间，高速允许操作
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F160TE / BE是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
（续）
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V±5%
V
CC
= 5.0 V±10%
-55
—
55
55
30
MBM29F160TE/160BE
—
-70
70
70
30
—
-90
90
90
40
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
套餐
48引脚塑料TSOP （ I）
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
（续）
该MBM29F160TE / BE是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序
TM
*算法是一个内部算法，可以自动倍的编程脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在约0.5验证
秒。擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式
抹去
TM
*算法是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它不是已
在执行擦除操作之前编程。在擦除，设备会自动倍擦除脉冲
宽度和验证正确的单元格边距。
个别部门通常擦除和1.0秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时MBM29F160TE / BE被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时一直
comleted ，装置内部复位到读模式。
该MBM29F160TE / BE也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后重置为
阅读模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序算法或嵌入式擦除算法，该装置自动复位到读
模式和将存储在所述地址位置被编程或擦除的错误数据。这些位置
需要重写复位后。复位装置使系统的微处理器读取引导向上
固件从闪存中。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该MBM29F160TE / BE内存电擦除所有的位
内通过福勒 - Nordhiem隧道同时扇区。该字节/字编程一个字节/字
在一个时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
MBM29F160TE
-55/-70/-90
/MBM29F160BE
-55/-70/-90
s
特点
0.23
m
工艺技术
单5.0 V的读取，编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的世界各地的引脚
48引脚TSOP （ I） （包后缀： TN-正常弯曲型， TR-反弯型）
最低100,000编程/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
在字模式之一8K字，二4K字，一是16K字，和31 32K字扇区
一个16K字节， 2 8K字节，1字节32K和31 64K字节，字节的扇区模式
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除
启动代码部门架构
T =热门行业
B =底界
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
在指定的地址，自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
低V
CC
写禁止
≤
4.2 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一线器内的另一扇区的读数据和/或程序
=硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
扇区保护
硬件方法禁用从编程或擦除操作部门的任何组合
临时机构解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
根据CFI （通用闪存接口）
WP输入引脚（硬件保护）
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在开放，允许拆除引导扇区保护（ MBM29F160TE / BE ）
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