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Spansion闪存
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定,现在由两个Advanced Micro Devices公司,并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称,
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生, 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-20850-4E
FL灰内存
CMOS
8M (1M
×
8 )位
MBM29F080A
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F080A是8 M位, 5.0 V -仅限Flash组织为1兆字节的每一个8位的内存。在1兆字节
的数据被划分成的64千字节为灵活的擦除能力的16个扇区。数据的8比特将出现在DQ
0
到DQ
7
。该MBM29F080A是在一个48引脚TSOP ( I) , 40引脚TSOP和44引脚SOP封装。该装置
,
被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
用于编程或擦除操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
标准MBM29F080A提供55纳秒至90纳秒允许高速运行之间的存取时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该MBM29F080A的命令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令被写入到
采用标准的微处理器写时序命令寄存器。寄存器的内容作为输入到内部
状态机控制的擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址
和所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
12.0 V Flash或EPROM器件。
该MBM29F080A通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法,可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。每个扇区可以被编程并且在小于0.5秒验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。这将调用嵌入式擦除算法这是一个内部
算法,该算法自动地preprograms阵列如果它尚未被执行擦除之前编程
操作。在擦除,设备会自动倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞保证金。
(续)
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V ±5%
V
CC
= 5.0 V ±10%
-55
55
55
30
MBM29F080A
-70
70
70
30
-90
90
90
40
最大地址访问时间(纳秒)
最大CE访问时间(纳秒)
最大OE访问时间(纳秒)
MBM29F080A
-55/-70/-90
(续)
该器件还具有一个扇区擦除架构。扇区擦除模式允许内存部门
被擦除和重新编程,而不会影响其他部门。一个扇区通常被擦除并在1验证
第二个(如果已经完全预编程) 。从工厂发货时MBM29F080A被擦除。
该MBM29F080A器件还具有硬件部门组保护。此功能将禁用这两个节目
和擦除操作的八个部门团体的内存组合。
一个扇区组由四个
相邻扇区以下方式划分:部门0-1 , 2-3 , 4-5 , 6-7 , 8-9 , 10-11 , 12-13 , 14-15和。
富士通已经实现了一个擦除挂起功能,使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据到非繁忙扇区。因此,真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有用于读取和编程功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。编程或擦除的结束是由数据轮询检测
DQ
7
,或触发位我上DQ功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序或擦除周期的端部具有
已完成时,设备自动地复位到读模式。
该MBM29F080A也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平,执行任何嵌入式
程序或嵌入式擦除操作将被终止。内部状态机将被重置成
读取模式。 RESET引脚可以连接到系统复位迂曲。因此,如果一个系统复位发生
嵌入式程序或嵌入式擦除操作时,设备会自动复位到读
模式。这将使系统微处理器读取从Flash存储器的引导固件。
富士通的闪存技术,结合多年的EPROM和E
2
PROM经验,生产的最高水平
的质量,可靠性和成本效益。该MBM29F080A内存电擦除一个扇区内的所有位
同时,通过福勒- Nordheim隧穿。该字节被编程一个字节时使用的EPROM
热电子注入编程机制。
s
特点
单一5.0 V的读,写和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
引脚排列和软件,单电源闪存兼容
高级无意写保护
48引脚TSOP ( I) (包装说明: PFTN -正常弯曲型, PFTR ,反向弯曲型)
40针TSOP ( I) (包装说明: PTN -正常弯曲型, PTR反转弯型)
44引脚SOP (包后缀: PF )
最少100,000次写/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
每64千字节统一的行业
扇区的任何组合可以被擦除。还支持整片擦除。
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
在指定的地址,自动编程和校验数据
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪/忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
低V
CC
写禁止
3.2 V
2
(续)
MBM29F080A
-55/-70/-90
(续)
=硬件复位引脚
重置内部状态机读方式
擦除暂停/恢复
支持读取或编程数据不被擦除扇区
部门组保护
硬件方法禁用部门团体从写或擦除操作(一个扇区组任意组合
由2个相邻的每64千字节)部门
临时业集团解除保护
通过RESET引脚临时机构解除保护
s
套餐
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
48引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
40引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
40引脚塑料TSOP ( 1 )
侧面标
(FPT-40P-M06)
(FPT-40P-M07)
44引脚塑料SOP
(FPT-44P-M16)
3
MBM29F080A
-55/-70/-90
s
引脚分配
TSOP (I)的
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
19
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
CE
V
CC
北卡罗来纳州
RESET
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
OE
RY / BY
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
V
CC
V
SS
V
SS
DQ
3
DQ
2
DQ
1
DQ
0
A
0
A
1
A
2
A
3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
(标记侧)
MBM29F080A
正常的弯曲
FPT-48P-M19
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
A
11
RESET
北卡罗来纳州
V
CC
CE
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
A
18
A
19
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
(标记侧)
MBM29F080A
反向弯曲
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
V
SS
V
SS
V
CC
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
RY / BY
OE
WE
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
FPT-48P-M20
(续)
4
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    -
    -
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