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Spansion闪存
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定,现在由两个Advanced Micro Devices公司,并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称,
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生, 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品,请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-20842-4E
FL灰内存
CMOS
4M ( 512K
×
8 )位
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
特点
单一5.0 V读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的字节宽引脚
32引脚PLCC (包装说明: PD )
32脚TSOP (Ⅰ) (封装后缀: PF)的
32针TSOP ( I) (包后缀: PFTN - 普通型弯, PFTR - 反弯型)
最少100,000次写/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
每个64K字节等于8扇区大小
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
低V
CC
写禁止
3.2 V
扇区保护
硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
嵌入式擦除 ,嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
32引脚塑料QFJ ( PLCC )
侧面标
(LCC-32P-M02)
32引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
32引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
( FPT - 32P - M24 - 大会:马来西亚)
( FPT - 32P - M25 - 大会:马来西亚)
2
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F040C是4M位, 5.0 V ,仅限于Flash组织成512K字节的每一个8位的内存。该
MBM29F040C是在一个32引脚PLCC和32引脚TSOP ( I)封装。此装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该标准MBM29F040C提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该MBM29F040C是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29F040C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法,可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地,每个扇区可以被编程,并在小于0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法,可以自动preprograms数组,如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除时,自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
任何个别扇区通常被擦除并在1秒内进行验证。 (如果已完全预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该部门模式允许内存64K字节的扇区
要擦除和重新编程,而不会影响其他部门。出厂时的MBM29F040C被删除
从工厂。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
或者通过对DQ的触发位功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成,该装置
内部复位到读模式。
富士通的闪存技术,结合多年的EPROM和E
2
PROM经验,生产的最高水平
的质量,可靠性和成本效益。该MBM29F040C内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。该字节编程一个字节
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
3
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
灵活的扇区擦除架构
每个扇区 64K字节
单个部门,多个部门或批量擦除
能力
单个或多个扇区保护用户
自定义
7FFFFH
6FFFFH
5FFFFH
每扇区字节64K
4FFFFH
3FFFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
00000H
4
富士通半导体
数据表
DS05-20842-4E
FL灰内存
CMOS
4M ( 512K
×
8 )位
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
特点
单一5.0 V读取,编程和擦除
最大限度地降低系统级功耗要求
兼容JEDEC标准的命令
使用相同的软件命令为E
2
PROM的
兼容JEDEC标准的字节宽引脚
32引脚PLCC (包装说明: PD )
32脚TSOP (Ⅰ) (封装后缀: PF)的
32针TSOP ( I) (包后缀: PFTN - 普通型弯, PFTR - 反弯型)
最少100,000次写/擦除周期
高性能
55 ns的最大访问时间
扇区擦除架构
每个64K字节等于8扇区大小
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
嵌入式擦除算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
低V
CC
写禁止
3.2 V
扇区保护
硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据
嵌入式擦除 ,嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices , Inc.的商标。
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
32引脚塑料QFJ ( PLCC )
侧面标
(LCC-32P-M02)
32引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
32引脚塑料TSOP ( I)
侧面标
( FPT - 32P - M24 - 大会:马来西亚)
( FPT - 32P - M25 - 大会:马来西亚)
2
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F040C是4M位, 5.0 V ,仅限于Flash组织成512K字节的每一个8位的内存。该
MBM29F040C是在一个32引脚PLCC和32引脚TSOP ( I)封装。此装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要用于写入或擦除
操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。
该标准MBM29F040C提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。
该MBM29F040C是引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29F040C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法,可以自动次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。典型地,每个扇区可以被编程,并在小于0.5秒验证。擦除是
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
是一个内部算法,可以自动preprograms数组,如果它尚未被执行之前编程
擦除操作。在擦除时,自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞
利润率。
任何个别扇区通常被擦除并在1秒内进行验证。 (如果已完全预编程。 )
该器件还具有一个扇区擦除架构。该部门模式允许内存64K字节的扇区
要擦除和重新编程,而不会影响其他部门。出厂时的MBM29F040C被删除
从工厂。
该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
或者通过对DQ的触发位功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成,该装置
内部复位到读模式。
富士通的闪存技术,结合多年的EPROM和E
2
PROM经验,生产的最高水平
的质量,可靠性和成本效益。该MBM29F040C内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。该字节编程一个字节
时间使用热电子注入的EPROM编程机制。
3
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
灵活的扇区擦除架构
每个扇区 64K字节
单个部门,多个部门或批量擦除
能力
单个或多个扇区保护用户
自定义
7FFFFH
6FFFFH
5FFFFH
每扇区字节64K
4FFFFH
3FFFFH
2FFFFH
1FFFFH
0FFFFH
00000H
4
MBM29F040C
-55/-70/-90
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 5.0 V ±5%
订货型号
V
CC
= 5.0 V ±10%
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
55
55
30
-70
70
70
30
-90
90
90
35
-55
MBM29F040C
s
框图
DQ
0
到DQ
7
V
CC
V
SS
擦除电压
发电机
输入/输出
缓冲器
WE
状态
控制
命令
注册
编程电压
发电机
CE
OE
芯片使能
OUTPUT ENABLE
逻辑
机顶盒
数据锁存器
机顶盒
y解码器
Y型GATING
低V
CC
探测器
定时器
编程/擦除
地址
LATCH
X解码器
细胞矩阵
A
0
到A
18
5
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