【富士通半导体数据表DS05-20842-4EFL灰内存CMOS4M （ 512K×8 ）位MBM29】,IC型号MBM29F040C-55PD,MBM29F040C-55PD PDF资料,MBM29F040C-55PD经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-20842-4E

FL灰内存

CMOS

4M （ 512K

8 ）位

MBM29F040C

-55/-70/-90

特点

单一5.0 V读取，编程和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

使用相同的软件命令为E

PROM的

兼容JEDEC标准的字节宽引脚

32引脚PLCC （包装说明： PD ）

32脚TSOP （Ⅰ）（封装后缀： PF）的

32针TSOP （ I）（包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）

最少100,000次写/擦除周期

高性能

55 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

每个64K字节等于8扇区大小

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

嵌入式擦除算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

低V

写禁止

≤

3.2 V

扇区保护

硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合

擦除挂起/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据

嵌入式擦除，嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29F040C

-55/-70/-90

包

32引脚塑料QFJ （ PLCC ）

侧面标

(LCC-32P-M02)

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

（ FPT - 32P - M24 - 大会：马来西亚）

（ FPT - 32P - M25 - 大会：马来西亚）

MBM29F040C

-55/-70/-90

概述

该MBM29F040C是4M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成512K字节的每一个8位的内存。该

MBM29F040C是在一个32引脚PLCC和32引脚TSOP （ I）封装。此装置被设计成

在系统编程与标准体系5.0 VV

供应量。 12.0 V V

不需要用于写入或擦除

操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。

该标准MBM29F040C提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

该MBM29F040C是引脚和指令集兼容JEDEC标准E

PROM中。命令写入

以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到

内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存

地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似

从12.0 V Flash或EPROM器件读取。

该MBM29F040C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式

程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。擦除是

通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法

是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程

擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞

利润率。

任何个别扇区通常被擦除并在1秒内进行验证。（如果已完全预编程。）

该器件还具有一个扇区擦除架构。该部门模式允许内存64K字节的扇区

要擦除和重新编程，而不会影响其他部门。出厂时的MBM29F040C被删除

从工厂。

该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测

或者通过对DQ的触发位功能

。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该装置

内部复位到读模式。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F040C内存电擦除整个芯片或全部

通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。该字节编程一个字节

时间使用热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29F040C

-55/-70/-90

灵活的扇区擦除架构

每个扇区 64K字节

单个部门，多个部门或批量擦除

能力

单个或多个扇区保护用户

自定义

7FFFFH

6FFFFH

5FFFFH

每扇区字节64K

4FFFFH

3FFFFH

2FFFFH

1FFFFH

0FFFFH

00000H

MBM29F040C

-55/-70/-90

产品阵容

产品型号

= 5.0 V ±5%

订货型号

= 5.0 V ±10%

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

—

-70

-90

-55

MBM29F040C

—

框图

到DQ

擦除电压

发电机

输入/输出

缓冲器

状态

控制

命令

编程电压

发电机

芯片使能

OUTPUT ENABLE

逻辑

机顶盒

数据锁存器

机顶盒

y解码器

Y型GATING

低V

探测器

定时器

编程/擦除

地址

LATCH

X解码器

细胞矩阵

到A

Spansion闪存

数据表

2003年9月

该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品

富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，

这些产品将提供给AMD和富士通的客户。

规格连续性

没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果

修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生，。

产品。今后日常的产品

订购零件编号的连续性

AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些

产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。

欲了解更多信息

请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息

的解决方案。

内存

富士通半导体

数据表

DS05-20842-4E

FL灰内存

CMOS

4M （ 512K

8 ）位

MBM29F040C

-55/-70/-90

特点

单一5.0 V读取，编程和擦除

最大限度地降低系统级功耗要求

兼容JEDEC标准的命令

使用相同的软件命令为E

PROM的

兼容JEDEC标准的字节宽引脚

32引脚PLCC （包装说明： PD ）

32脚TSOP （Ⅰ）（封装后缀： PF）的

32针TSOP （ I）（包后缀： PFTN - 普通型弯， PFTR - 反弯型）

最少100,000次写/擦除周期

高性能

55 ns的最大访问时间

扇区擦除架构

每个64K字节等于8扇区大小

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

嵌入式擦除算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

低V

写禁止

≤

3.2 V

扇区保护

硬件方法禁用从写或擦除操作部门的任何组合

擦除挂起/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读出的数据

嵌入式擦除，嵌入式程序和ExpressFlash 是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MBM29F040C

-55/-70/-90

包

32引脚塑料QFJ （ PLCC ）

侧面标

(LCC-32P-M02)

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

32引脚塑料TSOP （ I）

侧面标

（ FPT - 32P - M24 - 大会：马来西亚）

（ FPT - 32P - M25 - 大会：马来西亚）

MBM29F040C

-55/-70/-90

概述

该MBM29F040C是4M位， 5.0 V ，仅限于Flash组织成512K字节的每一个8位的内存。该

MBM29F040C是在一个32引脚PLCC和32引脚TSOP （ I）封装。此装置被设计成

在系统编程与标准体系5.0 VV

供应量。 12.0 V V

不需要用于写入或擦除

操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。

该标准MBM29F040C提供访问时间55 ns到90 ns的高速运转让

微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写

使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。

该MBM29F040C是引脚和指令集兼容JEDEC标准E

PROM中。命令写入

以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到

内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存

地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似

从12.0 V Flash或EPROM器件读取。

该MBM29F040C通过执行程序命令序列编程。这将调用嵌入式

程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证

适当的细胞保证金。典型地，每个扇区可以被编程，并在小于0.5秒验证。擦除是

通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法

是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未被执行之前编程

擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证适当的细胞

利润率。

任何个别扇区通常被擦除并在1秒内进行验证。（如果已完全预编程。）

该器件还具有一个扇区擦除架构。该部门模式允许内存64K字节的扇区

要擦除和重新编程，而不会影响其他部门。出厂时的MBM29F040C被删除

从工厂。

该器件具有用于读取和写入功能单一的5.0 V电源工作。内部产生

并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V

自动探测器

禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测

或者通过对DQ的触发位功能

。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该装置

内部复位到读模式。

富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E

PROM经验，生产的最高水平

的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F040C内存电擦除整个芯片或全部

通过福勒- Nordheim隧穿同时一个行业内的位。该字节编程一个字节

时间使用热电子注入的EPROM编程机制。

MBM29F040C

-55/-70/-90

灵活的扇区擦除架构

每个扇区 64K字节

单个部门，多个部门或批量擦除

能力

单个或多个扇区保护用户

自定义

7FFFFH

6FFFFH

5FFFFH

每扇区字节64K

4FFFFH

3FFFFH

2FFFFH

1FFFFH

0FFFFH

00000H