MBM29F002TC
-55/-70/-90
/MBM29F002BC
-55/-70/-90
s
概述
该MBM29F002TC / BC是一个2 M比特， 5.0 V-仅限Flash组织成256K字节的每个字节8位存储器。该
MBM29F002TC / BC是在一个32引脚TSOP （ I）和32引脚PLCC封装。此装置被设计成
在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不需要程序或
擦除操作。该设备还可以重新编程，在标准EPROM编程器。
标准MBM29F002TC / BC提供55纳秒至90纳秒允许高速运行之间的存取时间
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29F002TC / BC的命令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29F002TC / BC是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的电池余量。每个扇区可以被编程并且在小于0.5秒验证。抹去
通过执行擦除命令序列来实现的。这将调用嵌入式擦除算法
这是一个内部算法，可以自动preprograms数组，如果它尚未之前编程
在执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
该器件还具有一个扇区擦除架构。扇区擦除模式允许内存部门
被擦除和重新编程，而不会影响其他部门。一个扇区通常被擦除并在1验证
第二个（如果已经完全预编程） 。从出厂时的MBM29F002TC / BC被删除
工厂。
该MBM29F002TC / BC器件还具有硬件部门的保护。此功能将禁用这两个节目
和擦除操作中的任何数目secotrs （0至6）的。
富士通已经实现了一个擦除挂起功能，使用户将擦除搁置任何时期
时间来读取数据或程序数据到非繁忙扇区。因此，真正的背景擦除就可以实现。
该器件具有用于读取和编程功能单一的5.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
在电源转换禁止写操作。编程或擦除的结束是由数据轮询检测
DQ
7
，或触发位我上DQ功能
6
。一旦一个程序或擦除周期结束时已经完成，该
设备会自动复位到读模式。
该MBM29F002TC / BC也有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式
程序或嵌入式擦除操作将被终止。内部状态机将被重置成
读取模式。 RESET引脚可以连接到系统复位迂曲。因此，如果一个系统复位发生
嵌入式程序或嵌入式擦除操作时，设备会自动复位到读
模式。这将使系统微处理器读取从Flash存储器的引导固件。
富士通的闪存技术，结合多年的EPROM和E
2
PROM经验，生产的最高水平
的质量，可靠性和成本效益。该MBM29F002TC / BC内存电擦除内的所有位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。该字节编程一个字节的时间使用
热电子注入的EPROM编程机制。
3
QQ：2881677436 复制
