MBM29DL64DF
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（续）
全新的设计理念被称为FlexBank
TM
*
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结构中实现。有了这个概念，该设备可以
执行银行1 ，从四家银行中选择一家银行，和银行2 ，一间同时操作
银行由其余三家银行的。这意味着，任何银行可以选择为银行1 （参照
sFUNCTIONAL
说明进行同步操作。 ）
该标准的设备提供的访问时间70 ns的，允许高速微处理器操作，而
等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE）和输出使能
（ OE ）控制。
该设备支持引脚和指令集兼容JEDEC标准E
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PROM中。命令写入
以使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入到
内部状态机控制的擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式程序
算法
TM
这是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证正确
电池余量。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。擦除完成
通过执行擦除命令序列。这将调用嵌入式擦除算法
TM
这是一个内部
算法，该算法自动地preprograms阵列如果它尚未被执行擦除之前编程
操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和验证正确的电池余量。
每个扇区通常被擦除并以0.5秒为验证（如果已经完全预编程） 。
该器件还具有扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
该器件具有用于读取和写入功能单一的3.0 V电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
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,
通过对DQ的触发位功能
6
或RY / BY输出引脚。一旦一个程序的结束或擦除周期完成时，
该装置在内部返回到读模式。
该器件还具有一个硬件复位引脚。当该引脚为低电平，执行任何嵌入式计划
算法或嵌入式擦除算法终止。内部状态机，然后复位到读
模式。 RESET引脚可连接到系统复位电路。因此，如果在系统复位时
嵌入式程序
TM
*
2
算法或嵌入式擦除
TM
*
2
算法，该装置是自动复位到
读模式并具有存储在所述地址位置的错误数据被编程或擦除。这些
位置需要复位后重写。复位装置使系统的微处理器读
引导固件从闪存中。
富士通闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
质量，可靠性和成本效益的水平。该设备的内存电擦除整个芯片或全部
通过福勒 - Nordhiem隧道同时一个行业内的位。该字节/字编程一个字节/
字在使用热电子注入的EPROM编程机构的时间。
* 1： FlexBank
TM
是富士通株式会社的商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
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