MBM29BS/BT32LF
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（续）
该设备支持增强型V
CCQ
提供多达3 V兼容输入和输出（ MBM29BS32LF ： 1.8VV
CCQ
,
MBM29BT32LF ： 3.0V V
CCQ
). 12.0V V
PP
和5.0V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该装置
也可以在标准EPROM编程器编程。
该装置提供真正的高性能非易失性存储器解决方案。该器件提供快速突发访问
频率54MHz的具有106ns的初始接入时，允许的高速微处理器操作而不
等待状态。为了消除总线连接的设备都有单独的芯片使能（ CE ） ，写使能（ WE） ，地址
有效（ AVD ）和输出使能（ OE ）控制。对于突发业务，该装置还需要准备好（ RDY ）
和时钟（CLK） 。此实现可轻松实现以最小的胶合逻辑以各种各样的
微处理器/微控制器高性能读取操作。突发读取模式功能使
系统设计人员的灵活性的接口设备。用户可以预先设置脉冲串长度和包裹通过
相同的内存空间。在54兆赫，该装置提供的13.5毫微秒为106纳秒时的等待时间的突发访问
30 pF的。
双动作功能通过将存储器空间划分为四个存储体提供同步操作。该
设备可以通过允许主机系统编程或擦除在一个银行提高整个系统的性能，
然后立即和同时从另一家银行看，零延迟。这种释放系统从
等待完成程序或擦除操作。
该设备命令集与JEDEC标准E兼容
2
PROM中。命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。寄存器的内容作为输入到内部语句
机，它控制了擦除和编程电路。写周期内部也锁存地址和
所需的编程数据和擦除操作。读出的数据的设备类似于阅读
从5.0V和12.0V Flash或EPROM器件。
该装置是由执行程序指令序列编程。这将调用嵌入式
程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度和验证
正确的单元格边距。典型地，每个32K字扇区可被编程并在0.3秒左右验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
任何个别扇区通常被擦除并在0.2秒验证。 （如果已预编程。 ）
该器件还具有一个扇区擦除架构。该行业模式允许每个扇区进行擦除和
重新编程，而不会影响其他部门。从工厂发货时，该设备被擦除。
增强型V
I / O
(V
CCQ
）功能允许在设备上产生的输出电压，以确定基于
在V
I / O
的水平。此功能允许器件在1.8 V和3.0 VI / O环境下运作，推动和
接收信号并从同一总线上的其它1.8 V和3.0 V设备。
该器件具有用于读取和写入功能，采用1.8 V单电源工作。内部产生
并且提供了用于所述程序稳压电压和擦除操作。低V
CC
自动探测器
禁止写入功率的损耗操作。编程或擦除的结束是由DQ的数据轮询检测
7
,
通过对DQ的触发位功能
6
，输出引脚。一旦一个程序或擦除周期结束时已comleted ，所述
设备内部复位到读模式。
富士通的闪存技术结合多年的闪存制造经验，生产的最高
的质量，可靠性和成本效益的水平。该装置电擦除一个扇区内的所有位
同时，通过福勒- Nordheim隧穿。的数据是使用热电子注入编程。
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