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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2083页 > MBD701
MBD701 , MMBD701LT1
首选设备
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们也可用于一个可用的
表面贴装封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
TO- 92 2引脚
CASE 182
风格1
1
2
2
阴极
1
阳极
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.0 pF的@ V
R
= 20 V
高反向电压 - 70 V
低反向漏 - 200 nA的(最大)
无铅包可用
兆位
701
AYWW
G
G
最大额定值
等级
反向电压
前向功率耗散
MBD701
@ T
A
= 25°C
MMBD701LT
减免上述25℃
MBD701
MMBD701LT
T
J
T
英镑
符号
V
R
P
F
280
200
2.8
2.0
-55到+125
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
价值
70
单位
V
1
2
3
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
类型6
1
阳极
5H M
G
G
1
3
阴极
工作结温
范围
存储温度范围
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
5H =设备代码( SOT -23 )
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能会有所不同
根据生产地点。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
总电容
(V
R
= 20 V中,f = 1.0兆赫)图1中
反向漏
(V
R
= 35 V )图3
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压
(I
F
= 10 MADC )图4
符号
V
( BR )R
C
T
I
R
V
F
V
F
70
典型值
0.5
9.0
0.42
0.7
最大
1.0
200
0.5
1.0
单位
V
pF
订购信息
设备
MBD701
MBD701G
MMBD701LT1
TO92
TO92
(无铅)
SOT23
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
3000 /磁带&卷轴
NADC
VDC
VDC
MMBD701LT1G
MMBD701LT3
MMBD701LT3G
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
SOT23
10,000/T
猿&卷轴
SOT- 23万/ T
猿&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年10月 - 第4版
出版订单号:
MBD701/D
MBD701 , MMBD701LT1
典型电气特性
2.0
(C T) ,总电容(PF )
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
R
,反向电压(伏)
40
45
50
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
T
A
= 100°C
100
IF ,正向电流(mA )
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
0.1
T
A
= 75°C
1.0
0.01
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
0.001
0
10
20
30
V
R
,反向电压(伏)
40
50
0.1
0
0.2
0.4
0.8
1.2
V
F
,正向电压(伏)
1.6
2.0
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
2
MBD701 , MMBD701LT1
包装尺寸
TO-92 (TO- 226AC )
案例182-06
ISSUE L
A
B
座位
飞机
R
D
P
L
K
J
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
0.250
0.080
0.105
0.050
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
6.35
2.03
2.66
1.27
2.93
3.43
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
1
2
N
http://onsemi.com
3
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
MBD701 , MMBD701LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
3
SEE视图C
E
1
2
HE
c
b
e
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU -07和-09过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
L
A1
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
类型6 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,
或有意其他应用程序来支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,
附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
美国/加拿大
欧洲,中东和非洲技术支持:
电话: 421 33 790 2910
日本以客户为中心中心
电话: 81-3-5773-3850
安森美半导体网站: www.onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/orderlit
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表
http://onsemi.com
4
MBD701/D
MBD701 , MMBD701LT1
首选设备
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计和
VHF探测器的应用。它们容易适应许多其他
快速切换的RF和数字应用。他们在提供
廉价的塑料封装低成本,大批量消费
工业/商用的需求。它们也可用于一个可用的
表面贴装封装。
特点
http://onsemi.com
记号
图表
TO- 92 2引脚
CASE 182
风格1
1
2
2
阴极
1
阳极
极低的少数载流子寿命
15 PS (典型值)
非常低电容
1.0 pF的@ V
R
= 20 V
高反向电压
至70 V
低反向漏
200 nA的(最大)
无铅包可用
兆位
701
AYWW
G
G
最大额定值
等级
反向电压
前向功率耗散
MBD701
@ T
A
= 25°C
MMBD701LT
减免上述25℃
MBD701
MMBD701LT
T
J
T
英镑
符号
V
R
P
F
价值
70
280
200
2.8
2.0
55
+125
55
+150
单位
V
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
1
2
3
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318
风格8
5H M
G
G
1
3
阴极
1
阳极
工作结温
范围
存储温度范围
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
5H =设备代码( SOT -23 )
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
*日期代码的方向和/或横线可能会有所不同
根据生产地点。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
MADC )
总电容
(V
R
= 20 V中,f = 1.0兆赫)图1中
反向漏
(V
R
= 35 V )图3
正向电压
(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压
(I
F
= 10 MADC )图4
符号
V
( BR )R
C
T
I
R
V
F
V
F
70
典型值
0.5
9.0
0.42
0.7
最大
1.0
200
0.5
1.0
单位
V
pF
NADC
VDC
VDC
MBD701
订购信息
设备
MBD701G
MMBD701LT1
MMBD701LT1G
MMBD701LT3
MMBD701LT3G
TO92
TO92
(无铅)
SOT23
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
3000 /磁带&卷轴
SOT- 23 3000 /磁带&卷轴
(无铅)
SOT23
10,000/T
猿&卷轴
SOT- 23万/ T
猿&卷轴
(无铅)
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2009年
2009年3月
启5
1
出版订单号:
MBD701/D
MBD701 , MMBD701LT1
典型电气特性
2.0
t
,少数载流子寿命( PS )
F = 1.0 MHz的
(C T) ,总电容(PF )
1.6
500
400
克拉考尔法
300
1.2
0.8
200
0.4
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
R
,反向电压(伏)
40
45
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
IF ,正向电流(mA )
100
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
T
A
= 100°C
10
T
A
= 85°C
T
A
= - 40°C
T
A
= 75°C
0.1
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0.1
0
10
20
30
V
R
,反向电压(伏)
40
50
0
0.2
0.4
0.8
1.2
V
F
,正向电压(伏)
1.6
2.0
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
http://onsemi.com
2
MBD701 , MMBD701LT1
包装尺寸
TO-92 (TO- 226AC )
案例182-06
ISSUE L
A
B
座位
飞机
R
L
K
D
J
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.050
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.27 BSC
2.54 BSC
0.36
0.41
12.70
---
6.35
---
2.03
2.66
---
1.27
2.93
---
3.43
---
P
D
X X
G
H
V
C
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
1
2
N
http://onsemi.com
3
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
MBD701 , MMBD701LT1
包装尺寸
SOT- 23 ( TO- 236 )
CASE 318-08
问题一
D
SEE视图C
3
E
1
2
HE
c
e
b
q
0.25
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最低LEAD
厚度为最小厚度
基础材料。
4. 318-01 THRU
07
09
过时了,新
标准318-08 。
MILLIMETERS
最大
1.00
1.11
0.06
0.10
0.44
0.50
0.13
0.18
2.90
3.04
1.30
1.40
1.90
2.04
0.20
0.30
0.54
0.69
2.40
2.64
英寸
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
A
A1
L
L1
视图C
暗淡
A
A1
b
c
D
E
e
L
L1
H
E
0.89
0.01
0.37
0.09
2.80
1.20
1.78
0.10
0.35
2.10
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
最大
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
SCALE 10 : 1
0.8
0.031
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息,请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册, SOLDERRM / D 。
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何
责任所产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带
损害赔偿。这可能SCILLC数据表和/或规格提供“典型”参数,并会根据不同的应用和实际性能可能随
时间。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不构成对任何许可
其专利权或他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,
或有意其他应用程序来支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或死亡
可能会发生。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,
附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,任何索赔
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。
SCILLC是平等机会/ AF连接rmative行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
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免费电话800-282-9855
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http://onsemi.com
4
MBD701/D
乐山无线电公司, LTD 。
硅热-Carrier二极管
这些设备主要用于高效率的UHF设计
和甚高频检波器的应用程序。它们容易适应多种
其它快速开关的射频和数字应用。它们提供
在一个廉价的塑料封装为低成本,高容量
消费和工业/商业需求。它们也
在一个表面贴装封装。
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.0 pF的@ V
R
= 20 V
高反向电压 - 70伏特
低反向漏 - 200 nA的(最大)
MBD701
MMBD701LT1
70伏
HIGH- VOLTAGE
硅热载流子
检测器和开关
二极管
3
3
阴极
1
阳极
1
2
318-08 ,美丽人生
SOT- 23 ( TO- 236AB )
最大额定值
(T
J
= 125 ° C除非另有说明)
MBD701
等级
反向电压
前向功率耗散
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作结
温度范围
存储温度范围
符号
V
R
P
F
280
2.8
T
J
MMBD701LT1
价值
70
200
2.0
单位
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
T
英镑
-55到+125
-55到+150
器件标识
MMBD701LT1 = 5H
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(I
R
符号
V
( BR )R
C
T
I
V
V
R
F
F
70
典型值
0.5
9.0
0.42
0.7
最大
1.0
200
0.5
1.0
单位
pF
NADC
VDC
VDC
= 10μAdc )
总电容(V
R
= 20 V中,f = 1.0兆赫)图1中
反向漏电流(V
R
= 35 V )图3
正向电压(I
F
= 1.0 MADC )图4
正向电压(I
F
= 10 MADC )图4
注: MMBD701LT1也是散装封装可供选择。使用MMBD701L作为设备标题订购此设备是散装的。
G18–1/2
乐山无线电公司, LTD 。
MBD701
MMBD701LT1
典型电气特性
2.0
F = 1.0MHz的
1.6
τ
,少数载流子寿命( PS )
500
C
T
,总电容(PF )
400
克拉考尔法
300
1.2
0.8
200
0.4
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
V
R
,反向电压(伏)
I
F
,正向电流(mA )
图1.总电容
10
100
图2.少子寿命
I
R
,反向漏电流(
A)
T
A
= 100°C
1.0
I
F
,正向电流(mA )
10
T
A
=75°C
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= –40°C
1.0
0.01
T
A
=25°C
T
A
= 25°C
0.001
0
10
20
30
40
50
0.1
0
0.2
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
R
,反向电压(伏)
V
F
,正向电压(伏)
图3.反向泄漏
图4.正向电压
I
F(峰)
电容式
传导
I
R(峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
G18–2/2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBD701 / D
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
这些装置主要用于高效率的UHF和VHF检测器设计
应用程序。它们容易适应许多其它的快速切换的RF和数字
应用程序。它们被提供在一个廉价的塑料封装为低成本,
大批量消费类和工业/商业需求。它们也
在一个表面贴装封装。
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.0 pF的@ VR = 20 V
高反向电压 - 70伏特
低反向漏 - 200 nA的(最大)
MBD701
MMBD701LT1
摩托罗拉的首选设备
70伏
HIGH- VOLTAGE
SILICON销售热线CARRIER
检测器和开关
二极管
1
2
CASE 182-1 02 ,风格1
(TO–226AC)
最大额定值
( TJ = 125 ° C除非另有说明)
MBD701
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25°C
减免上述25℃
工作结
温度范围
存储温度范围
符号
VR
PF
280
2.8
TJ
- 55 + 125
TSTG
- 55 + 150
°C
CASE 318 - 08 ,风格8
SOT- 23 ( TO - 236AB )
200
2.0
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
MMBD701LT1
价值
70
单位
2
阴极
1
阳极
器件标识
MMBD701LT1 = 5H
3
阴极
1
阳极
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(IR = 10
μAdc )
总电容( VR = 20 V , F = 1.0兆赫)图1
反向漏电流( VR = 35 V)图3
正向电压(IF = 1.0 MADC )图4
正向电压( IF = 10 MADC )图4
符号
V( BR )R
CT
IR
VF
VF
70
典型值
0.5
9.0
0.42
0.7
最大
1.0
200
0.5
1.0
单位
pF
NADC
VDC
VDC
注: MMBD701LT1也是散装封装可供选择。使用MMBD701L作为设备标题订购此设备是散装的。
热复合是Berquist的公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MBD701 MMBD701LT1
典型电气特性
2.0
F = 1.0 MHz的
(C T) ,总电容(PF )
1.6
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
1.2
300
0.8
200
0.4
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ,反向电压(伏)
40
45
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
100
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
TA = 100℃
IF ,正向电流(mA )
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
0.1
TA = 75℃
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0.1
0
10
20
30
VR ,反向电压(伏)
40
50
0
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ,正向电压(伏)
1.6
2.0
图3.反向泄漏
图4.正向电压
如果(峰)
电容式
传导
IR(高峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MBD701 MMBD701LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接,最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是200毫瓦的SOT- 23封装。
PD =
150°C – 25°C
625°C/W
= 200毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W,假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料,如热
包层,铝芯板,功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MBD701 MMBD701LT1
包装尺寸
A
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION IS
不受控制的在P型和BEYOND DIM
最低限度。
座位
飞机
R
D
P
F
L
K
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
CASE 182-02
(TO–226AC)
ISSUE
A
L
3
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
B·S
1
2
V
G
C
D
H
K
J
CASE 318-08
ISSUE AF
SOT- 23 ( TO- 236AB )
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,摩托罗拉
是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC , 6F西武Butsuryu中心,
3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 81-3-3521-8315
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
互联网:
http://motorola.com/sps
4
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.050
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.49
0.41
0.56
0.407
0.482
1.27 BSC
3.54 BSC
0.36
0.41
12.70
–––
6.35
–––
2.03
2.66
–––
1.27
2.93
–––
3.43
–––
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3. MAXIUMUM引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
MBD701/D
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MBD701 / D
硅热载流子二极管
肖特基势垒二极管
MBD701
MMBD701LT1
摩托罗拉的首选设备
这些装置主要用于高效率的UHF和VHF检测器设计
应用程序。它们容易适应许多其它的快速切换的RF和数字
应用程序。它们被提供在一个廉价的塑料封装为低成本,
大批量消费类和工业/商业需求。它们也
在一个表面贴装封装。
肖特基势垒结构提供超稳定的特性用
消除“猫晶须”或“ S型”联系
极低的少数载流子寿命 - 15 PS (典型值)
非常低电容 - 1.0 pF的@ VR = 20 V
高反向电压 - 70伏特
低反向漏 - 200 nA的(最大)
70伏
HIGH- VOLTAGE
SILICON销售热线CARRIER
检测器和开关
二极管
1
2
最大额定值
( TJ = 125 ° C除非另有说明)
MBD701
等级
反向电压
前向功率耗散
@ TA = 25°C
减免上述25℃
工作结
温度范围
存储温度范围
符号
VR
PF
280
2.8
TJ
- 55 + 125
TSTG
- 55 + 150
°C
200
2.0
mW
毫瓦/°C的
°C
MMBD701LT1
价值
70
单位
CASE 182-1 02 ,风格1
(TO–226AC)
2
阴极
1
阳极
3
1
2
器件标识
MMBD701LT1 = 5H
CASE 318 - 08 ,风格8
SOT- 23 ( TO - 236AB )
3
阴极
1
阳极
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
反向击穿电压(IR = 10
μAdc )
总电容( VR = 20 V , F = 1.0兆赫)图1
少数载流子寿命( IF = 5.0毫安,克拉考尔法)图2
反向漏电流( VR = 35 V)图3
正向电压(IF = 1.0 MADC )图4
正向电压( IF = 10 MADC )图4
符号
V( BR )R
CT
t
70
典型值
0.5
15
9.0
0.42
0.7
最大
1.0
200
0.5
1.0
单位
pF
ps
NADC
VDC
VDC
IR
VF
VF
注: MMBD701LT1也是散装封装可供选择。使用MMBD701L作为设备标题订购此设备是散装的。
热复合是Berquist的公司的注册商标。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MBD701 MMBD701LT1
典型电气特性
2.0
F = 1.0 MHz的
(C T) ,总电容(PF )
1.6
500
t
,少数载流子寿命( PS )
400
克拉考尔法
1.2
300
0.8
200
0.4
100
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VR ,反向电压(伏)
40
45
50
0
0
10
20
30
40
50
60
70
IF ,正向电流(mA )
80
90
100
图1.总电容
图2.少子寿命
10
100
IR ,反向漏电流(
m
A)
1.0
TA = 100℃
IF ,正向电流(mA )
10
TA = 85°C
TA = - 40°C
0.1
TA = 75℃
1.0
TA = 25°C
0.01
TA = 25°C
0.001
0.1
0
10
20
30
VR ,反向电压(伏)
40
50
0
0.2
0.4
0.8
1.2
VF ,正向电压(伏)
1.6
2.0
图3.反向泄漏
图4.正向电压
如果(峰)
电容式
传导
IR(高峰)
前锋
传导
存储
传导
正弦
发电机
镇流器
( PADS )
PADS
DUT
采样
示波器
(50
W
INPUT)
衡量寿命的图5克拉考尔法
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MBD701 MMBD701LT1
对于采用SOT- 23表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
为保证适当的焊料连接的正确大小
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何,包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
SOT–23
SOT- 23功耗
采用SOT -23的功耗的功能
漏极焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件,确定
由TJ (最大值)的最大额定结温
死,R
θJA
从器件结的热阻
环境,以及工作温度TA 。使用
所提供的数据表中的SOT- 23封装的价值观,
PD可以计算如下:
PD =
TJ(MAX) - TA
R
θJA
焊接注意事项
焊料的熔融温度比额定高
温度的装置。当整个装置被加热
到很高的温度,不内完成焊接
短的时间内可能会导致器件失效。因此,该
下列项目应始终以观察到
最小化的热应力,以使设备
受。
总是预热装置。
预热之间的温度增量
焊接应为100 ℃或更低。 *
在预热和焊接,对温度
引线和外壳必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
采用红外加热与回流焊接方法,
的差值应为最大10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
当从预热到焊接,最大移
温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后,该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度,从而导致
在潜失效由于机械应力。
机械应力或冲击不应在被应用
冷却。
*进行焊接装置无需预热可导致过度
热冲击和应力,这可能导致损坏
装置。
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代入
该方程对于环境温度为25℃的TA ,一个也可以
计算在此所述装置的功率耗散
情况是200毫瓦的SOT- 23封装。
PD =
150°C – 25°C
625°C/W
= 200毫瓦
为SOT- 23封装的556 ° C / W,假设使用
玻璃环氧印刷电路上推荐的足迹
板实现了225毫瓦的功耗。那里
其他选择实现更高的功率耗散
从SOT- 23封装。另一个替代方案是
使用陶瓷基板或铝芯板如
热复合 。使用的基板材料,如热
包层,铝芯板,功耗可
翻倍使用相同的足迹。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MBD701 MMBD701LT1
包装尺寸
A
B
座位
飞机
P
F
L
K
X X
D
G
H
V
C
N
第X-X
1
2
N
CASE 182-02
(T0–226AC)
ISSUE
A
L
3
B·S
1
2
V
G
C
D
H
K
J
CASE 318-08
ISSUE AE
SOT- 23 ( TO- 236AB )
4
D
R
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装超出区域R是
不受控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION IS
不受控制的在P型和BEYOND DIM
最低限度。
J
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.050 BSC
0.100 BSC
0.014
0.016
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.050
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.21
4.32
5.33
3.18
4.49
0.41
0.56
0.407
0.482
1.27 BSC
3.54 BSC
0.36
0.41
12.70
–––
6.35
–––
2.03
2.66
–––
1.27
2.93
–––
3.43
–––
风格1 :
PIN 1.阳极
2.阴极
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
英寸
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0180 0.0236
0.0350 0.0401
0.0830 0.0984
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.45
0.60
0.89
1.02
2.10
2.50
0.45
0.60
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
风格8 :
PIN 1.阳极
2.未连接
3.阴极
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MBD701 MMBD701LT1
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应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
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