MBD54DWT1
注意事项： 1. 2.0 kΩ的可变电阻调整为正向电流（I
F
）为10毫安。
注意事项：
2.输入脉冲进行调整，使我
R（峰）
等于10毫安。
注意事项：
3. t
p
t
rr
图1.恢复时间等效测试电路
100
1000
I
F
，正向电流（mA ）
I
R
，反向电流（M A）
100
10
10
1
1.0
0.1
0.01
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.001
0
5
10
15
20
25
30
V
F
，正向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图2.正向电压
图3.泄漏电流
14
C
T
，总电容（PF ）
12
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
V
R
，反向电压（伏）
图4.总电容
MBD54–2/4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
对于采用SOT -363表面贴装封装信息
推荐的最低足迹表面安装应用程序
表面贴装电路板布局的一个重要部分
总设计。的足迹对于半导体封装
必须是正确的大小，以保证适当的焊接连接
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
SOT–363
0.5毫米（分钟）
0.4毫米（分钟）
1.9 mm
SOT- 363功耗
采用SOT -363的功耗是一个函数
焊盘尺寸。这可以从最小焊盘尺寸变化
焊接到给出的最大功耗垫的尺寸。
功耗用于表面贴装器件，确定
by
TJ（MAX）
，的最大额定结温
死，R
qJA
从器件结热阻
至室温，并在操作温度，
T
A
。使用
所提供的数据手册SOT- 363封装的价值观，
PD
可以计算如下：
P
D
=
T
J（下最大）
– T
A
R
θJA
该方程的值被发现的最大
评级表上的数据表。这些值代
入方程式为环境温度
T
A
为25℃ ，
就可以计算出该装置的功率消耗而
在这种情况下为150毫瓦。
P
D
=
150°C – 25°C
= 150毫瓦
833°C/W
为SOT -363封装的833 ° C / W假设使用
在玻璃环氧推荐的足迹印
电路板来实现的150毫瓦的功率耗散。
还有其他的替代品，以实现更高的功率显示
从SOT -363封装sipation 。另一种选择
将是使用陶瓷基板或
铝核心板，如热分支。利用
板的材料，例如热复合，铝芯
板，所述功率耗散可以使用相同的一倍
足迹。
焊接注意事项
焊料的熔融温度高于
该装置的额定温度。当整个
器件被加热到高温时，失败的COM
很短的时间，可能会导致DE-内完整的焊接
副失败。因此，下列项目应始终
方法，以便最大限度地减少热应力被观察
到的设备进行。
始终预热装置。
预热和溶胶之间的温度增量
dering应为100 ℃或更低。 *
当预热和焊，温度
的动态的情况下，必须不超过最大
温度额定值上所示的数据表。当
用红外线加热回流焊接
方法，所不同的应是最多10 ℃。
焊接温度和时间应不超过
260 ℃下进行10秒以上。
从预热焊接过渡时，马克西
妈妈温度梯度应为5 ℃或更小。
焊接完成后 ，该设备应
可以使其自然冷却至少三分钟。
逐渐冷却应作为采用强制
冷却将增加的温度梯度，并
导致潜在故障是由于机械应力。
机械应力或冲击不宜应用能很好地协同
荷兰国际集团的冷却。
*进行焊接装置无需预热可引起EX-
cessive热冲击和应力，这可能导致
损坏设备。
0.65 mm 0.65 mm
MBD54–3/4
MBD110DWT1 MBD330DWT1 MBD770DWT1
包装尺寸
SC- 88 （ SOT- 363 ）
CASE 419B -01
ISSUE摹
A
G
V
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
英寸
MILLIMETERS
民
1.80
1.15
最大
2.20
1.35
6
5
4
S
1
2
3
B
暗淡
A
B
C
D
G
0.2 (0.008)
M
民
0.071
0.045
最大
0.087
0.053
D
6 PL
0.031
0.043
0.004
0.012
0.026BSC
–––
0.004
0.004
0.004
0.010
0.012
0.80
1.10
0.10
0.30
0.65BSC
–––
0.10
0.10
0.10
0.25
0.30
B
M
N
H
J
K
N
S
J
0.008 REF
0.079
0.087
0.012
0.016
0.20 REF
2.00
2.20
0.30
0.40
C
V
风格1 ：
H
K
PIN 1.发射器2
2. BASE 2
3.集热器1
4.发光体1
5.基地1
6.器2
MBD54–4/4
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