MBD110DWT1,
MBD330DWT1,
MBD770DWT1
首选设备
双肖特基势垒
二极管
应用电路设计正在走向巩固
设备数量和成更小的封装。新的SOT- 363封装
一个解决方案，它简化了电路设计，减少了设备数量，并
通过把两个分立器件在一个小的板级空间缩小
六引线封装。采用SOT -363非常适合于低功耗表面
安装应用中的电路板空间非常珍贵，如
便携式产品。
表面贴装比较：
SOT363
面积（mm
2
)
最大包P
D
（ mW）的
设备数量
4.6
120
2
SOT23
7.6
225
1
1
1
SOT23
40%
2
SOT23
70%
SC - 88 / SOT- 363
CASE 419B
类型6
http://onsemi.com
阳极1
N / C 2
阴极3
6阴极
5 N / C
4阳极
节省空间：
包
SOT363
该MBD110DW ， MBD330DW和MBD770DW设备
分拆大受欢迎的MMBD101LT1 ， MMBD301LT1 ，并
MMBD701LT1 SOT- 23器件。它们被设计为
高效率的UHF和VHF检测器的应用程序。容易
可用于许多其它快速开关的射频和数字应用。
特点
标记图
6
XX M
G
G
1
极低的少数载流子寿命
非常低电容
低反向漏
无铅包可用
xx
最大额定值
等级
反向电压
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
符号
V
R
价值
7.0
30
70
120
-55到+125
-55到+150
单位
V
=器件代码
请参阅订购表，
第2页
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
前向功率耗散T
A
= 25°C
结温
存储温度范围
P
F
T
J
T
英镑
mW
°C
°C
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年3月 - 修订版5
出版订单号：
MBD110DWT1/D
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
反向击穿电压
(I
R
= 10
毫安）
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
C
D
MBD110DWT1
C
T
MBD330DWT1
MBD770DWT1
I
R
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
NF
MBD110DWT1
V
F
MBD110DWT1
MBD330DWT1
MBD770DWT1
0.5
0.38
0.52
0.42
0.7
0.6
0.45
0.6
0.5
1.0
6.0
V
0.02
13
9.0
0.25
200
200
0.9
0.5
1.5
1.0
mA
nA
nA
dB
0.88
1.0
pF
符号
V
（ BR ）R
7.0
30
70
10
pF
民
典型值
最大
单位
V
二极管电容
(V
R
= 0 ， F = 1.0 MHz时，注1 ）
总电容
(V
R
= 15伏中，f = 1.0 MHz）的
(V
R
= 20伏中，f = 1.0 MHz）的
反向漏
(V
R
= 3.0 V)
(V
R
= 25 V)
(V
R
= 35 V)
噪声系数
（ F = 1.0千兆赫，注2 ）
正向电压
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
(I
F
= 1.0 mA）的
(I
F
= 10 mA）的
订购信息
设备
MBD110DWT1
MBD110DWT1G
MBD330DWT1
MBD330DWT1G
MBD770DWT1
MBD770DWT1G
H5
T4
M4
记号
包
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
SC - 88 / SOT- 363
SC - 88 / SOT- 363
（无铅）
3000单位/磁带&卷轴
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD110DWT1
1.0
0.7
0.5
IR ，反向漏电流（
m
A)
V
R
= 3.0 V
0.2
0.1
0.07
0.05
100
IF ，正向电流（mA ）
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
1.0
T
A
= 25°C
MBD110DWT1
0.02
MBD110DWT1
0.01
30
40
50
60
70
80
90 100 110
T
A
，环境温度（ ° C）
120
130
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
V
F
，正向电压（伏）
0.7
0.8
图1.反向漏
图2.正向电压
1.0
11
10
NF ，噪声系数（dB ）
本振频率为1.0 GHz的
（测试电路如图5所示）
C，电容（pF ）
D
0.9
9
8
7
6
5
4
3
MBD110DWT1
2
4.0
1
0.1
0.2
0.8
0.7
MBD110DWT1
0.5
1.0
2.0
5.0
P
LO
，本振功率（mW ）
10
0.6
0
1.0
2.0
3.0
V
R
，反向电压（伏）
图3.电容
图4.噪声系数
当地
振荡器
注意测试和规格
注1 - C
D
和C
T
使用电容测量
桥（ Boonton的电子型号75A或等价
借出） 。
注2 - 噪声系数测量二极管测试中调整
贴装二极管采用超高频噪声源和本地振荡器
（ LO ）频率为1.0 GHz的。本振功率调整
1.0毫瓦。 IF放大器NF = 1.5 dB时， F = 30 MHz时，看到
图5中。
注3 L -
S
测量上具有短的，而不是一个包
模具，使用阻抗桥（ Boonton的广播
型号250A RX计） 。
超高频
噪声源
H.P. 349A
二极管
调谐
MOUNT
噪音
系数测试仪
H.P. 342A
IF放大器
NF = 1.5分贝
F = 30 MHz的
图5.噪声系数测试电路
http://onsemi.com
3
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD330DWT1
2.8
CT ，总电容（PF ）
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
F = 1.0 MHz的
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD330DWT1
500
MBD330DWT1
400
克拉考尔法
300
200
100
0
0
3.0
6.0
9.0
12
15
18
21
V
R
，反向电压（伏）
24
27
30
0
10
20
30
40
50
60
70
I
F
，正向电流（mA ）
80
90
100
图6.总电容
图7.少子寿命
10
MBD330DWT1
1.0
T
A
= 100°C
100
MBD330DWT1
IF ，正向电流（mA ）
T
A
= 40°C
10
T
A
= 85°C
IR ，反向漏电流（
m
A)
T
A
= 75°C
0.1
T
A
= 25°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
0.001
0
6.0
12
18
V
R
，反向电压（伏）
24
30
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
V
F
，正向电压（伏）
1.0
1.2
图8.反向漏
图9.正向电压
http://onsemi.com
4
MBD110DWT1 ， MBD330DWT1 ， MBD770DWT1
典型特征
MBD770DWT1
2.0
CT ，总电容（PF ）
F = 1.0 MHz的
1.6
t
，少数载流子寿命（ PS ）
MBD770DWT1
500
MBD770DWT1
400
克拉考尔法
300
1.2
0.8
200
0.4
100
0
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
R
，反向电压（伏）
40
45
50
0
10
20
40
60
30
50
70
I
F
，正向电流（mA ）
80
90
100
图10.总电容
图11.少数载流子寿命
10
MBD770DWT1
1.0
T
A
= 100°C
100
MBD770DWT1
IF ，正向电流（mA ）
IR ，反向漏电流（
m
A)
10
T
A
= 85°C
T
A
= 40°C
T
A
= 75°C
0.1
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0.001
0
10
20
30
V
R
，反向电压（伏）
40
50
0.1
0.2
0.4
0.8
1.2
V
F
，正向电压（伏）
1.6
2.0
图12.反向漏
图13.正向电压
http://onsemi.com
5
QQ：2880707522 复制
