飞思卡尔半导体公司
技术参数
MBC13720/D
第2版， 2003年12月
的SiGe ：C低噪声
放大器，旁通
开关
MBC13720
包装信息
塑料包装
CASE 419B
(SOT-363)
飞思卡尔半导体公司...
订购信息
设备
MBC13720T1
器件标识
20
包
SOT-363
该MBC13720是高IP3 ，低噪声放大器设计用于400 MHz至2.4 GHz的
多标准无线应用。在输入和输出匹配是外部，以允许
最大的设计灵活性。 LNA具有两个可选的当前设置以及待机
模式。该LNA将运营从2.5到3.0 V电源。该MBC13720使用制造
摩托罗拉先进的射频BiCMOS工艺的硅锗碳选项，并装在一个超
小型SOT- 363表面贴装封装。
可选择的电流5.0 mA或11毫安
待机模式，关闭设备完全
高输入IP3 ：
10 dBm的@ 1.9 GHz的
13 dBm的@ 2.4 GHz的
低噪声系数：
1.38分贝@ 1.9 GHz的
1.55分贝@ 2.4 GHz的
获得@ 9.0毫安， 2.75 V ：
14.5分贝@ 1.9 GHz的
12分贝@ 2.4 GHz的
适合使用400 MHz至2.4 GHz的
偏置稳定的设备和温度变化
超小型SOT- 363表面贴装封装
仅在磁带和卷轴包装
权威数据
- 摩托罗拉公司保留更改产品规格的细节可能需要向右
允许改善其产品的设计。 摩托罗拉公司， 2003年。保留所有权利。
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
特定网络阳离子
飞思卡尔半导体公司
EN1
EN2
V
CC
BIAS
控制
在RF
RF OUT
图1.简化的框图
1规格
飞思卡尔半导体公司...
表1.最大额定值
评级
电源电压
存储温度范围
工作环境温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.3
-65到150
-30到85
单位
V
°C
°C
注意事项：
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应限制在推荐工作的限制
条件及电气特性表。
2.静电放电（ESD ）抗扰度符合人体模型（ HBM ）
≤550
V和
机器模型（ MM ）
≤50
五，其他EST数据可应要求提供。
表2.推荐工作条件
特征
工作电压
频带
符号
V
CC
f
RF
民
2.5
400
典型值
2.7
-
最大
3.0
2400
单位
V
兆赫
表3.电气特性
(V
CC
= 2.75, T
A
= 25°C)
特征
消耗电流
低IP3
高IP3
绕行
输入/输出回波损耗
低IP3
高IP3
绕行
RF增益（ 900 MHz）的
低IP3
高IP3
绕行
符号
I
CC
-
-
-
RL
-
-
-
G
-
-
-
20
21
-2.9
-
-
-
10
10
12
-
-
-
dB
5.0
11
0
-
-
-
mA
mA
A
dB
民
典型值
最大
单位
2
MBC13720技术参数
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摩托罗拉
飞思卡尔半导体公司
参数
2参数
表5.高IP3模式散射参数
(V
CC
= 2.7 V ， EN1 =高， EN2 =低）
f
（兆赫）
100
200
300
400
500
S
11
|S
11
|
0.661
0.629
0.583
0.544
0.526
0.502
0.486
0.473
0.464
0.457
0.450
0.446
0.445
0.443
0.440
0.437
0.439
0.439
0.437
0.440
0.439
0.443
0.444
0.448
0.452
0.456
0.460
0.472
∠φ
-8
-14
-20
-21
-23
-25
-26
-27
-28
-29
-30
-31
-32
-33
-35
-35
-37
-38
-40
-41
-42
-44
-45
-48
-50
-52
-57
-65
|S
11
|
21.189
18.913
16.730
14.168
12.141
10.757
9.523
8.531
7.725
7.028
6.461
5.990
5.551
5.226
4.903
4.611
4.370
4.160
3.981
3.822
3.675
3.530
3.416
3.322
3.236
3.151
3.032
2.943
S
21
∠φ
161
146
134
123
116
111
106
101
98
94
92
89
86
84
82
80
78
76
74
73
71
69
68
66
64
63
59
55
|S
11
|
0.010
0.014
0.019
0.024
0.029
0.034
0.039
0.044
0.050
0.056
0.061
0.067
0.073
0.079
0.085
0.091
0.097
0.103
0.111
0.117
0.124
0.132
0.140
0.149
0.159
0.169
0.193
0.223
S
12
∠φ
36
54
61
67
71
73
75
76
77
78
79
79
80
80
80
80
80
81
81
81
81
81
82
82
81
82
81
80
|S
11
|
0.829
0.801
0.764
0.726
0.709
0.690
0.676
0.665
0.656
0.650
0.643
0.639
0.634
0.632
0.628
0.626
0.623
0.622
0.618
0.617
0.613
0.612
0.611
0.608
0.605
0.600
0.589
0.573
S
22
∠φ
-6
-10
-14
-15
-16
-17
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-31
-32
-34
-35
-37
-38
-41
-43
-48
-54
飞思卡尔半导体公司...
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2800
3000
摩托罗拉
MBC13720技术参数
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放大器，旁通
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(SOT-363)
飞思卡尔半导体公司...
订购信息
设备
MBC13720T1
器件标识
20
包
SOT-363
该MBC13720是高IP3 ，低噪声放大器设计用于400 MHz至2.4 GHz的
多标准无线应用。在输入和输出匹配是外部，以允许
最大的设计灵活性。 LNA具有两个可选的当前设置以及待机
模式。该LNA将运营从2.5到3.0 V电源。该MBC13720使用制造
摩托罗拉先进的射频BiCMOS工艺的硅锗碳选项，并装在一个超
小型SOT- 363表面贴装封装。
可选择的电流5.0 mA或11毫安
待机模式，关闭设备完全
高输入IP3 ：
10 dBm的@ 1.9 GHz的
13 dBm的@ 2.4 GHz的
低噪声系数：
1.38分贝@ 1.9 GHz的
1.55分贝@ 2.4 GHz的
获得@ 9.0毫安， 2.75 V ：
14.5分贝@ 1.9 GHz的
12分贝@ 2.4 GHz的
适合使用400 MHz至2.4 GHz的
偏置稳定的设备和温度变化
超小型SOT- 363表面贴装封装
仅在磁带和卷轴包装
权威数据
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允许改善其产品的设计。 摩托罗拉公司， 2003年。保留所有权利。
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EN1
EN2
V
CC
BIAS
控制
在RF
RF OUT
图1.简化的框图
1规格
飞思卡尔半导体公司...
表1.最大额定值
评级
电源电压
存储温度范围
工作环境温度范围
符号
V
CC
T
英镑
T
A
价值
3.3
-65到150
-30到85
单位
V
°C
°C
注意事项：
1.最大额定值超出这可能会损坏设备的价值。
功能操作应限制在推荐工作的限制
条件及电气特性表。
2.静电放电（ESD ）抗扰度符合人体模型（ HBM ）
≤550
V和
机器模型（ MM ）
≤50
五，其他EST数据可应要求提供。
表2.推荐工作条件
特征
工作电压
频带
符号
V
CC
f
RF
民
2.5
400
典型值
2.7
-
最大
3.0
2400
单位
V
兆赫
表3.电气特性
(V
CC
= 2.75, T
A
= 25°C)
特征
消耗电流
低IP3
高IP3
绕行
输入/输出回波损耗
低IP3
高IP3
绕行
RF增益（ 900 MHz）的
低IP3
高IP3
绕行
符号
I
CC
-
-
-
RL
-
-
-
G
-
-
-
20
21
-2.9
-
-
-
10
10
12
-
-
-
dB
5.0
11
0
-
-
-
mA
mA
A
dB
民
典型值
最大
单位
2
MBC13720技术参数
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摩托罗拉
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参数
2参数
表5.高IP3模式散射参数
(V
CC
= 2.7 V ， EN1 =高， EN2 =低）
f
（兆赫）
100
200
300
400
500
S
11
|S
11
|
0.661
0.629
0.583
0.544
0.526
0.502
0.486
0.473
0.464
0.457
0.450
0.446
0.445
0.443
0.440
0.437
0.439
0.439
0.437
0.440
0.439
0.443
0.444
0.448
0.452
0.456
0.460
0.472
∠φ
-8
-14
-20
-21
-23
-25
-26
-27
-28
-29
-30
-31
-32
-33
-35
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-37
-38
-40
-41
-42
-44
-45
-48
-50
-52
-57
-65
|S
11
|
21.189
18.913
16.730
14.168
12.141
10.757
9.523
8.531
7.725
7.028
6.461
5.990
5.551
5.226
4.903
4.611
4.370
4.160
3.981
3.822
3.675
3.530
3.416
3.322
3.236
3.151
3.032
2.943
S
21
∠φ
161
146
134
123
116
111
106
101
98
94
92
89
86
84
82
80
78
76
74
73
71
69
68
66
64
63
59
55
|S
11
|
0.010
0.014
0.019
0.024
0.029
0.034
0.039
0.044
0.050
0.056
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0.067
0.073
0.079
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0.111
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0.140
0.149
0.159
0.169
0.193
0.223
S
12
∠φ
36
54
61
67
71
73
75
76
77
78
79
79
80
80
80
80
80
81
81
81
81
81
82
82
81
82
81
80
|S
11
|
0.829
0.801
0.764
0.726
0.709
0.690
0.676
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0.656
0.650
0.643
0.639
0.634
0.632
0.628
0.626
0.623
0.622
0.618
0.617
0.613
0.612
0.611
0.608
0.605
0.600
0.589
0.573
S
22
∠φ
-6
-10
-14
-15
-16
-17
-18
-19
-20
-21
-22
-23
-24
-25
-26
-27
-28
-29
-31
-32
-34
-35
-37
-38
-41
-43
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飞思卡尔半导体公司...
600
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800
900
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2300
2400
2500
2600
2800
3000
摩托罗拉
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