富士通半导体
数据表
DS501-00006-3v1-E
FRAM内存
4米位（ 256千
×
16)
MB85R4002A
■
说明
该MB85R4002A是的FRAM （铁电随机存取存储器）芯片构成的262144字
×
非易失性存储单元的16位的使用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺制造
技术。
该MB85R4002A能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85R4002A中使用的存储单元可用于10
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
该MB85R4002A使用伪SRAM的接口，这是与传统的异步SRAM的兼容。
■
特点
位配置
LB和UB数据字节控制
读/写耐用性
数据保留
工作电源电压
低功耗工作
： 262,144字
×
16位
: 10
10
次/字节
： 10年（
+
55
°C),
55年（
+
35
°C)
： 3.0 V至3.6 V
：工作电源15 mA电流（典型值）
待机电流50
μA
（典型值）
工作环境温度范围：
40
°C
to
+
85
°C
包
： 48引脚塑料TSOP （ FPT - 48P - M48 ）
符合RoHS
版权所有 2011-2013富士通半导体有限公司保留所有权利。
2013.4
MB85R4002A
■
功能真值表
模式
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
I / O1到I / O8
的I / O9到I / O16
供应
当前
H
预充电待机
X
X
X
X
L
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
X
L
X
X
X
H
L
L
H
L
X
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
手术
(I
DD
)
高阻
高阻
待机
(I
SB
)
读
L
H
L
L
H
L
读
（伪SRAM中，
OE控制*
1
)
L
H
H
L
H
L
H
写
L
L
H
L
H
L
L
H
L
H
L
写
（伪SRAM中，
我们控制*
2
)
L
H
H
L
H
or
注：L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是H，L
HI- Z =高阻抗
：锁存地址，并在上升沿锁存数据
：锁存地址，并在下降沿锁存数据，
* 1 ： OE伪SRAM的控制装置，在OE的下降沿有效的地址读取。
* 2 ：我们控制了伪SRAM意味着在WE的下降沿有效的地址和数据写入。
4
DS501-00006-3v1-E
MB85R4002A
■
绝对最大额定值
参数
电源电压*
输入引脚电压*
输出引脚电压*
工作环境温度
储存温度
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
A
T
英镑
等级
民
0.5
0.5
0.5
40
55
最大
+4.0
V
DD
+
0.5 (
≤
4.0)
V
DD
+
0.5 (
≤
4.0)
+85
+125
单位
V
V
V
o
o
C
C
* ：所有电压参考VSS （接地0V） 。
警告：半导体器件可通过应用程序应力（包括永久损坏，无
限制，电压，电流或温度）超过绝对最大额定值。
不要超过任何这些评级。
■
推荐工作条件
参数
电源电压*
高电平输入电压*
低电平输入电压*
工作环境温度
符号
V
DD
V
IH
V
IL
T
A
价值
民
3.0
V
DD
×
0.8
0.5
40
典型值
3.3
最大
3.6
V
DD
+
0.5
(
≤
4.0)
+0.6
+85
单位
V
V
V
o
C
* ：所有电压参考VSS （接地0V） 。
警告：在推荐的工作条件是必需的，以确保正常运行
的半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，
设备在这些条件下操作。
任何使用半导体器件将是他们推荐的工作条件下。
除了这些条件可能造成不利影响的可靠性其它任何条件下操作
设备，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于任何使用，操作不是代表条件或组合
在此数据表。如果你正在考虑比这里列出的任何条件下的应用程序，
请事先联系销售代表。
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