富士通微电子
数据表
DS05-13108-4E
FRAM内存
CMOS
2M的位（ 128千
×
16)
MB85R2002
■
说明
该MB85R2002是的FRAM （铁电随机存取存储器）芯片构成的131072字
×
16位
采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术在非易失性存储器单元。
该MB85R2002能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85R2002中使用的存储单元可用于10
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
该MB85R2002使用伪SRAM的接口，这是与传统的异步SRAM的兼容。
■
特点
位配置
读/写耐用性
工作电源电压
工作温度范围
数据保留
LB和UB数据字节控制
包
： 131,072字
×
16位
: 10
10
次/位
： 3.0 V至3.6 V
:
40
° C至+85°C
： 10年（ 55
°C)
： 48引脚塑料TSOP （ 1 ）
版权所有 2007-2009富士通微电子有限公司保留所有权利。
2009.8
MB85R2002
■
功能真值表
模式
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
I / O1到I / O 8的I / O9到I / O16
电源电流
H
备预充电
X
X
X
读
X
L
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
X
L
X
X
X
H
L
L
H
L
X
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
DOUT
DOUT
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DIN
手术
(I
CC
)
高-Z
高-Z
待机
(I
SB
)
L
读
（伪SRAM中，
OE控制*
1
)
L
H
H
L
H
L
写
H
L
L
X
L
H
L
写
（伪SRAM中，
我们控制*
2
)
L
H
H
L
H
L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是V
IL
或V
IH
，高Z =高阻抗
：锁存地址，并在下降沿锁存数据，
：锁存地址，并在上升沿锁存数据
* 1 ： OE伪SRAM的控制装置，在OE的下降沿有效的地址读取。
* 2 ：我们控制了伪SRAM意味着在WE的下降沿有效的地址和数据写入。
4
DS05-13108-4E
MB85R2002
■
绝对最大额定值
参数
电源电压*
输入电压*
输出电压*
工作环境温度
储存温度
* ：所有电压参考GND
=
0 V.
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
T
英镑
等级
民
0.5
0.5
0.5
40
40
最大
+4.0
V
CC
+
0.5
V
CC
+
0.5
+85
+125
单位
V
V
V
o
o
C
C
■
推荐工作条件
参数
电源电压*
输入电压（高） *
输入电压（低） *
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
价值
民
3.0
V
CC
×
0.8
0.5
40
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.5
+0.6
+85
单位
V
V
V
o
C
* ：所有电压参考GND
=
0 V.
警告：在推荐的工作条件是必需的，以确保正常运行
的半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，
设备在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。
在这些范围以外的操作可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或者两者都不代表
在数据表。用户在未记载条件下使用，可联络
他们的代表事前。
DS05-13108-4E
5
富士通半导体
数据表
DS05-13108-2E
FRAM内存
CMOS
2M的位（ 128千
×
16)
MB85R2002
■
说明
该MB85R2002是的FRAM （铁电随机存取存储器）芯片构成的131072字
×
16位
采用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺技术在非易失性存储器单元。
该MB85R2002能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85R2002中使用的存储单元可用于至少10个
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
该MB85R2002使用伪SRAM的接口，这是与传统的异步SRAM的兼容。
■
特点
位配置
读/写耐用性
工作电源电压
工作温度范围
数据保留
LB和UB数据字节控制
包
： 131,072字
×
16位
: 10
10
次/位（最小）
： 3.0 V至3.6 V
： -20 ° C至+85°C
： 10年（ 55
°C)
： 48引脚塑料TSOP （ 1 ）
2007富士通有限公司保留所有权利
MB85R2002
■
功能真值表
模式
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
I / O1到I / O 8的I / O9到I / O16
电源电流
H
备预充电
X
X
X
读
X
L
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
X
L
X
X
X
H
L
L
H
L
X
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
DOUT
DOUT
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
DIN
高-Z
DIN
手术
(I
CC
)
高-Z
高-Z
待机
(I
SB
)
L
读
（伪SRAM中，
OE控制*
1
)
L
H
H
L
H
L
写
H
L
L
X
L
H
L
写
（伪SRAM中，
我们控制*
2
)
L
H
H
L
H
L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是V
IL
或V
IH
，高Z =高阻抗
：锁存地址，并在下降沿锁存数据，
：锁存地址，并在上升沿锁存数据
* 1 ： OE伪SRAM的控制装置，在OE的下降沿有效的地址读取。
* 2 ：我们控制了伪SRAM意味着在WE的下降沿有效的地址和数据写入。
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MB85R2002
■
绝对最大额定值
参数
电源电压*
输入电压*
输出电压*
工作环境温度
储存温度
* ：所有电压参考GND
=
0 V.
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
T
英镑
等级
民
0.5
0.5
0.5
20
40
最大
+4.0
V
CC
+
0.5
V
CC
+
0.5
+85
+125
单位
V
V
V
o
o
C
C
■
推荐工作条件
参数
电源电压*
输入电压（高） *
输入电压（低） *
工作环境温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
价值
民
3.0
V
CC
×
0.8
0.5
20
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.5
+0.6
+85
单位
V
V
V
o
C
* ：所有电压参考GND
=
0 V.
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
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