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富士通半导体
数据表
DS501-00004-1v0-E
FRAM内存
1M的位（ 64千
×
16)
MB85R1002A
■
说明
该MB85R1002A是的FRAM （铁电随机存取存储器）芯片构成的65536个词语
×
非易失性存储单元的16位的使用强电介质的过程和硅栅CMOS工艺制造
技术。
该MB85R1002A能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85R1002A中使用的存储单元可用于10
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
该MB85R1002A使用伪SRAM的接口，这是与传统的异步SRAM的兼容。
■
特点
位配置
读/写耐用性
工作电源电压
工作温度范围
数据保留
LB和UB数据字节控制
包
： 65,536字
×
16位
: 10
10
时
： 3.0 V至3.6 V
:
40℃下，以
+
85 °C
： 10年（
+
55
°C)
： 48引脚塑料TSOP （ 1 ）
2011富士通半导体有限公司保留所有权利
2011.7
MB85R1002A
■
引脚分配
(
顶视图
)
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE
CE2
VSS
UB
LB
VDD
NC
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
NC
NC
VSS
I/O16
I/O8
I/O15
I/O7
I/O14
I/O6
I/O13
I/O5
VDD
I/O12
I/O4
I/O11
I/O3
I/O10
I/O2
I/O9
I/O1
OE
VSS
CE1
A0
(FPT-48P-M48)
■
引脚说明
引脚数
1到8个，18至25
29 36 ， 38 45
26
12
11
28
14, 15
16, 37
13, 27, 46
9, 10, 17, 47, 48
引脚名称
A0至A15
I / O1到I / O16
CE1
CE2
WE
OE
LB ， UB
VDD
VSS
NC
功能说明
地址输入引脚
数据输入/输出管脚
芯片使能1输入引脚
芯片使能2输入引脚
写使能输入引脚
输出使能输入引脚
数据字节控制输入引脚
电源电压引脚
将所有两个引脚来供电。
接地引脚
将所有三个引脚接地。
无连接引脚
2
DS501-00004-1v0-E
MB85R1002A
■
框图
地址锁存
行解码器
A0
FRAM阵列
65,536 × 16
A15
列解码器
S / A
INTWE
intOE
CE2
CE1
WE
OE
LB
UB
I / O1到I / O8
的I / O9到I / O16
I/O16
I/O9
I/O8
I/O1
DS501-00004-1v0-E
3
MB85R1002A
■
功能真值表
模式
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
I / O1到I / O8
的I / O9到I / O16
供应
当前
H
预充电待机
X
X
X
X
L
X
X
H
X
X
H
X
H
X
X
H
X
L
X
X
X
H
L
L
H
L
X
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
H
L
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输出
高阻
数据输出
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
数据输入
高阻
数据输入
手术
(I
CC
)
高阻
高阻
待机
(I
SB
)
读
L
H
L
L
H
L
读
（伪SRAM中，
OE控制*
1
)
L
H
H
L
H
L
H
写
L
L
H
L
H
L
L
H
L
H
L
写
（伪SRAM中，
我们控制*
2
)
L
H
H
L
H
注：L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是V
IL
或V
IH
HI- Z =高阻抗
：锁存地址，并在下降沿锁存数据，
：锁存地址，并在上升沿锁存数据
* 1 ： OE伪SRAM的控制装置，在OE的下降沿有效的地址读取。
* 2 ：我们控制了伪SRAM意味着在WE的下降沿有效的地址和数据写入。
4
DS501-00004-1v0-E
MB85R1002A
■
绝对最大额定值
参数
电源电压*
输入引脚电压*
输出引脚电压*
工作温度
储存温度
* ：所有电压参考VSS
=
0 V.
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
符号
V
CC
V
IN
V
OUT
T
A
T
英镑
等级
民
0.5
0.5
0.5
40
40
最大
+4.0
V
CC
+
0.5 (
≤
4.0)
V
CC
+
0.5 (
≤
4.0)
+85
+125
单位
V
V
V
o
o
C
C
■
推荐工作条件
参数
电源电压*
高电平输入电压*
低电平输入电压*
工作温度
符号
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
价值
民
3.0
V
CC
×
0.8
0.5
40
典型值
3.3
最大
3.6
V
CC
+
0.5
(
≤
4.0)
+0.6
+85
单位
V
V
V
o
C
* ：所有电压参考VSS
=
0 V.
警告：在推荐的工作条件是必需的，以确保正常运行
的半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，
设备在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。
在这些范围以外的操作可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或者两者都不代表
在数据表。用户在未记载条件下使用，可联络
他们的代表事前。
DS501-00004-1v0-E
5
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