SPANSION MCP
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-50309-1E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
64M （ × 16 ）Flash存储器&
4M （ × 16 ）静态RAM
MB84VD23180FM
-70
s
特点
电源2.7 V电压为3.1 V
高性能
70 ns的最大访问时间（闪存）
70 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
–30
°
C至+ 85
°
C
包73球FBGA
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
电源电压（ V）
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
V
CC
R * = 3.0 V
70
70
30
+0.1V
–0.3 V
SRAM
V
CC
S * = 3.0 V
70
70
35
+0.1V
–0.3 V
* ：两个V
CC
F且V
CC
s必须是在推荐的工作范围内时，被访问的任一部件。
s
包
73球FBGA封装胶
BGA-73P-M03
MB84VD23180FM
-70
（续）
FL灰内存
同时读/写操作
（双
银行）
FlexBank
TM
*
1
银行A ： 8兆位（ 8 KB
×
图8和64 KB的
×
15)
B组： 24兆位（ 64 KB
×
48)
银行C： 24兆位（ 64 KB
×
48)
银行D： 8兆位（ 8 KB
×
图8和64 KB的
×
15)
两个虚拟银行从四个物理银行的组合选择（请参阅“虚拟银行的例子
组合表“和”同步操作表“）。
主机系统可以编程或擦除在一个银行，然后从另一立即同时读
银行，读取和写入操作之间的零延迟。
同时读 - 擦除
读而程序
单3.0V，读取，编程和擦除
最小化系统级电源要求
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
16个4 K字和字126 32K字扇区。
任何部门的结合可以同时删除。它还支持整片擦除。
HiddenROM区
256字节HiddenROM ，通过一个新的访问“ HiddenROM启用”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护“最外层” 2
×
8 KB的行业，无论对保护引导扇区的两端， /
解除保护状态
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，提高了程序的性能
嵌入式擦除
TM
*
2
算法
自动preprograms和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
READY / BUSY输出
（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定，设备自动切换到低功耗模式。
低V
CC
F写禁止
≤
2.5 V
计划暂停/恢复
中止程序操作，以允许在读在另一个字节
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
请参考详细的功能“ MBM29DL64DF ”数据表
（续）
2
MB84VD23180FM
-70
（续）
SRAM
功耗
工作40 mA最大
待机： 10
一个MAX
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.1 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制： LB （ DQ
7
到DQ
0
） ， UB （ DQ
15
到DQ
8
)
* 1： FlexBank
TM
是日本富士通株式会社的注册商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
3
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