SPANSION MCP
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-50212-3E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器FCRAM &
CMOS
32M （ × 16 ）Flash存储器&
16M （ × 16 ） SRAM接口FCRAM
MB84VD22386EJ/VD22387EJ/VD22388EJ-85/90
MB84VD22396EJ/VD22397EJ/VD22398EJ-85/90
s
特点
2.7 V电源电压为3.1 V的FCRAM
电源2.7 V电压为3.3 V为Flash
高性能
85 ns的最大访问时间（闪存）
85 ns的最大访问时间（ FCRAM ）
工作温度
–30
°C
+85
°C
包71球BGA
（续）
s
产品线
FL灰内存
电源电压（V）的
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
V
CC
F * = 2.7 3.3
85
85
35
FCRAM
V
CC
S * = 2.7 3.1
85
85
50
* ：两个V
CC
F且V
CC
s必须是当被访问或者部分相同的水平。
s
包
71球BGA塑料
(BGA-71P-M02)
注意：这些保证双方FCRAM和Flash在85 ns的存取周期。
MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
（续）
1.闪存
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。该器件还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ ：热门行业
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ ：底界
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
隐藏ROM （高-ROM ）地区
64字节的Hi- ROM中，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
允许在V保护引导扇区
IL
无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ ： SA69 ， SA70
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ ： SA0 ， SA1 ）
可以去除引导扇区保护在V
IH
.
在VACC ，节目时间将减少40％ 。
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2. FCRAM
功耗
操作：20 mA最大
待机： 70
A
最大
省电： 10
A
最大
掉电控制由CE2s
字节写控制：磅（ DQ
7
-DQ
0
） ，瑞银（ DQ
15
-DQ
5
)
4字地址接入能力
2
MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
s
引脚分配
（ TOP VIEW ）
侧面标
A8
北卡罗来纳州
B8
北卡罗来纳州
D8
A
15
E8
北卡罗来纳州
F8
北卡罗来纳州
G8
A
16
H8
VCCF
J8
VSS
L8
北卡罗来纳州
M8
北卡罗来纳州
A7
北卡罗来纳州
B7
北卡罗来纳州
C7
A
11
D7
A
12
E7
A
13
F7
A
14
G7
北卡罗来纳州
H7
DQ
15
J7
DQ
7
K7
DQ
14
L7
北卡罗来纳州
M7
北卡罗来纳州
C6
A
8
D6
A
19
E6
A
9
F6
A
10
G6
DQ
6
H6
DQ
13
J6
DQ
12
K6
DQ
5
C5
WE
D5
CE2s
E5
A
20
H5
DQ
4
J5
VCCS
K5
北卡罗来纳州
C4
D4
E4
RY / BY
H4
DQ
3
J4
VCCF
K4
DQ
11
WP / ACC RESET
C3
LBS
D3
瑞银
E3
A
18
F3
A
17
G3
DQ
1
H3
DQ
9
J3
DQ
10
K3
DQ
2
A2
北卡罗来纳州
C2
A
7
D2
A
6
E2
A
5
F2
A
4
G2
V
SS
H2
OE
J2
DQ
0
K2
DQ
8
L2
北卡罗来纳州
M2
北卡罗来纳州
A1
北卡罗来纳州
B1
北卡罗来纳州
D1
A
3
E1
A
2
F1
A
1
G1
A
0
H1
持续进修基金
J1
CE1s
L1
北卡罗来纳州
M1
北卡罗来纳州
(BGA-71P-M02)
3
MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
s
引脚说明
引脚名称
A
19
到A
0
A
20
DQ
15
到DQ
0
持续进修基金
CE1s
CE2s
OE
WE
RY / BY
瑞银
LBS
RESET
WP / ACC
北卡罗来纳州
V
SS
V
CC
f
V
CC
s
输入/输出
I
I
I / O
I
I
I
I
I
O
I
I
I
I
—
动力
动力
动力
地址输入（通用）
地址输入（闪光）
数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片使能（ FCRAM ）
芯片使能（ FCRAM ）
输出使能（普通）
写使能（普通）
就绪/忙输出（闪存）开漏输出
高字节控制（ FCRAM ）
低字节控制（ FCRAM ）
硬件复位引脚/扇区保护解锁（闪光）
写保护/加速（闪光）
无内部连接
设备接地（公共）
设备电源（闪存）
设备电源（ FCRAM ）
功能
4
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