富士通半导体
数据表
DS05-50204-2E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
32M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
4M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
MB84VD2218XEC
-90
/MB84VD2219XEC
-90
MB84VD2218XEE
-90
/MB84VD2219XEE
-90
s
特点
2.7至3.3 V 电源电压
高性能
90 ns的最大访问时间（闪存）
85 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
-25至+ 85°C
包73球BGA
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F，V
CC
S = 3.0 V
+0.3 V
–0.3 V
SRAM
MB84VD2218XEC/EE-90/MB84VD2219XEC/EE-90
90
90
40
85
85
45
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
包
73球BGA塑料
(BGA-73P-M01)
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
（续）
1.FLASH记忆
可同时读/写操作（双行）
可使用不同的银行规模Miltiple设备
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VD2218X ：热门行业
MB84VD2219X ：底部部门
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
F写禁止
≤
2.5 V
隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM为64K字节，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD2218XEC / EE ： SA69 ， SA70 MB84VD2219XEC / EE ： SA0 ， SA1 ）
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，节目时间将由40 ％ reduse 。
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2.SRAM
功耗
操作： 50mA以下。
待机： 15
A
马克斯。
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.3 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制：磅（ DQ
0
-DQ
7
） ，瑞银（ DQ
8
-DQ
15
)
2
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
s
引脚分配
（ TOP VIEW ）
A
NC
NC
B
NC
NC
NC
NC
C
NC
A7
LBS
WP /
加
WE
A8
A11
D
A3
A6
瑞银
RESET
CE2s
A19
A12
A15
E
A2
A5
A18
RY /
BY
A20
A9
A13
NC
F
NC
A1
A4
A17
A10
A14
NC
NC
G
NC
A0
VSS
DQ1
DQ6
SA
A16
NC
H
持续进修基金
OE
DQ9
DQ3
DQ4
DQ13
DQ15/
A
–1
CIOf
J
CE1s
DQ0
DQ10
VCCF
VCCS
DQ12
DQ7
VSS
K
DQ8
DQ2
DQ11
首席信息官
DQ5
DQ14
L
NC
NC
NC
NC
M
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
73球BGA
3
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
s
引脚说明
引脚名称
A
0
到A
17
A
–1
, A
18
到A
20
SA
DQ
0
到DQ
15
持续进修基金
CE1s
CE2s
OE
WE
RY / BY
瑞银
LBS
CIOf
首席信息官
RESET
WP / ACC
北卡罗来纳州
V
SS
V
CC
f
V
CC
s
地址输入（通用）
地址输入（闪光）
地址输入（ SRAM ）
数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片使能（ SRAM ）
芯片使能（ SRAM ）
输出使能（普通）
写使能（普通）
就绪/忙输出（闪存）开漏输出
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
I / O配置（闪存）
CIOf = V
IH
是字模式（ × 16 ） ， CIOf = V
IL
是字节模式（ × 8 ）
I / O配置（ SRAM ）
CIO们= V
IH
是字模式（ × 16 ） ，首席信息官= V
IL
是字节模式（ × 8 ）
硬件复位引脚/扇区保护解锁（闪光）
写保护/加速（闪光）
无内部连接
设备接地（公共）
设备电源（闪存）
设备电源（ SRAM ）
功能
输入/输出
I
I
I
I / O
I
I
I
I
I
O
I
I
I
I
I
I
—
动力
动力
动力
4
MB84VD2218XEC/EE/2219XEC/EE
-90
s
框图
V
CC
f
A
0
到A
20
A
0
到A
20
A
–1
WP / ACC
RESET
持续进修基金
CIOf
V
SS
RY / BY
32位
FL灰内存
DQ
0
到DQ
15
/A
–
1
DQ
0
到DQ
15
/A
–
1
V
CC
s
A
0
到A
17
DQ
0
到DQ
15
V
SS
SA
LBS
瑞银
WE
OE
CE1s
CE2s
首席信息官
4M的位
静态RAM
5
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