富士通半导体
数据表
DS05-50205-1E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
32M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
2M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
MB84VD2208XEA
-90
/MB84VD2209XEA
-90
s
特点
2.7至3.3V 电源电压
高性能
90 ns的最大访问时间（闪存）
85 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
-25至+ 85°C
包73球FBGA
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F，V
CC
S = 3.0 V
+0.3 V
–0.3 V
SRAM
MB84VD2208XEA-90/MB84VD2209XEA-90
90
90
40
85
85
45
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
包
73球FBGA封装胶
（ BGA - 73P - M01 ）
MB84VD2208XEA
-90
/MB84VD2209XEA
-90
（续）
1.
FL灰内存
可同时读/写操作（双行）
可使用不同大小的银行多台设备
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VD2208XEA ：热门行业
MB84VD2209XEA ：底部部门
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
F写禁止
≤
2.5 V
隐藏ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM为64K字节，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD2208XEA ： SA69 ， SA70 MB84VD2209XEA ： SA0 ， SA1 ）
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，节目时间将由40 ％ reduse 。
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2.
SRAM
功耗
操作：最多40毫安。
待机： 7
A
马克斯。
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.3 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制：磅（ DQ
0
到DQ
7
） ，瑞银（ DQ
8
到DQ
15
)
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
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