富士通半导体
数据表
DS05-50202-2E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
16M (
×
8/
×
16 ）Flash存储器&
4M (
×
8/
×
16 ）静态RAM
MB84VD2118XA
-85
/
MB84VD2119XA
-85
s
特点
2.7至3.6 V电源电压
高性能
85 ns最大访问时间
工作温度
25
to
+85 °C
包69球FBGA封装， 56引脚TSOP （ I）
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
F，V
CC
s
=
3.0 V
+0.6
V
0.3
V
SRAM
MB84VD2118XA-85/MB84VD2119XA-85
85
85
35
85
85
45
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
套餐
69球FBGA封装胶
56引脚塑料TSOP （ I）
(BGA-69P-M02)
(FPT-56P-M04)
MB84VD2118XA
-85
/MB84VD2119XA
-85
（续）
1.闪存
同时读/写操作（双行）
与银行不同的尺寸可供选择Miltiple设备（参见“引脚说明” ）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和31 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
引导代码部门架构
MB84VD2118XA ：热门行业
MB84VD2119XA ：底部部门
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
现成的忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
F写禁止
≤
2.5 V
隐藏的ROM （高-ROM ）地区
的Hi- ROM为64K字节，通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD2118XA ： SA37 ， SA38 MB84VD2119XA ： SA0 ， SA1 ）
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，节目时间将由40 ％ reduse 。
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参考“ MBM29DL16XTD / BD”数据表中的详细功能
2. SRAM
功耗
操作：最多40毫安。
待机： 7
A
马克斯。
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.6 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制：磅（ DQ
0
到DQ
7
） ，瑞银（ DQ
8
到DQ
15
)
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
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