SPANSION MCP
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-50306-1E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
16M （ × 8 / × 16 ）Flash存储器&
2M （ × 8 / × 16 ）静态RAM
MB84VD2108XEM
-70
/MB84VD2109XEM
-70
s
特点
2.7 V至3.3 V 电源电压
高性能
70 ns的最大访问时间（闪存）
70 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
–40
°
C至+ 85
°
C
包56球BGA
（续）
s
产品阵容
产品型号
电源电压（ V）
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
MB84VD2108XEM/MB84VD2109XEM
V
CC
F = 3.0 V
70
70
30
+0.3 V
–0.3 V
V
CC
S = 3.0 V
70
70
35
+0.3 V
–0.3 V
注意：两个V
CC
F且V
CC
s必须是在推荐的工作范围内时，被访问的任一部件。
s
包
56焊球BGA封装胶
(BGA-56P-M02)
MB84VD2108XEM/2109XEM
-70
（续）
FL灰内存
同时读/写操作（双行）
与银行不同的尺寸可供选择Miltiple设备（请参阅订购信息）
主机系统可以编程或擦除一家银行，然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
8个4 K字和31 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
引导代码部门架构
MB84VD2108XEM ：热门行业
MB84VD2109XEM ：底部部门
嵌入式擦除
TM
*算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
现成的忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动休眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
HiddenROM区
HiddenROM为64K字节，通过了新的“ HiddenROM启用”命令序列访问
工厂序列和保护，以提供一个安全的电子序列号（ESN ）
WP / ACC输入引脚
在V
IL
，使保护引导扇区，无论部门保护/解除保护状态
（ MB84VD2108XEM ： SA37 ， SA38 MB84VD2109XEM ： SA0 ， SA1 ）
在V
IH
允许拆除引导扇区保护
在V
加
，节目时间将由40 ％ reduse 。
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参考“ MBM29DL16XTE / BE ”数据表中的详细功能
* :
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
SRAM
功耗
工作40 mA最大
待机： 7
A
最大
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.5 V至3.3 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制： LB （ DQ
7
到DQ
0
） ， UB （ DQ
15
到DQ
8
)
2
QQ：2880707522 复制
