【富士通半导体数据表DS05-50111-1EMCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &】,IC型号MB84VD2008-10,MB84VD2008-10 PDF资料,MB84VD2008-10经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-50111-1E

MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &

CMOS

8M （ × 16 ）Flash存储器&

2M （ × 16 ）静态RAM

MB84VD2008

-10

/MB84VD2009

-10

s

特点

2.7至3.6 V 电源电压

高性能

100 ns的最大访问时间

工作温度

-20 + 85℃

闪存

可同时读操作，而擦除或读时，程序

最少100,000次写/擦除周期

扇区擦除架构

两个16 Kb字节， 4个8千字节，二是32K字节， 14 64千字节。

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

启动代码部门架构

MB84VD2008 ：热门行业

MB84VD2009 ：底部部门

嵌入式擦除

TM

算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

TM

算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪 - 忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

自动睡眠模式

当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。

低V

CC

写禁止

≤

2.5 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读

请参考"MBM29DL800TA / BA"数据表中的详细功能

SRAM

功耗

操作： 50mA以下。

待机： 50

A

马克斯。

数据保持电源电压： 2.0 V至3.6 V

嵌入式擦除

TM

和嵌入式程序

TM

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MB84VD2008

-10

/MB84VD2009

-10

s

框图

V

CC

f

A

0

到A

18

A

0

到A

18

8M的位

FL灰内存

V

SS

RY / BY

RESET

持续进修基金

DQ

0

到DQ

15

V

CC

s

A

0

到A

16

V

SS

LBS

瑞银

WE

OE

CES

2M的位

静态RAM

2

MB84VD2008

-10

/MB84VD2009

-10

s

引脚分配

（ TOP VIEW ）

A

6

5

4

3

2

1

CES

A

10

OE

A

11

A

13

WE

B

V

SS

DQ

5

DQ

7

A

8

A

17

V

CC

s

C

DQ

1

DQ

2

DQ

4

A

5

瑞银

A

16

D

A

1

A

0

DQ

0

DQ

8

持续进修基金

V

SS

E

A

2

A

3

A

6

DQ

3

DQ

10

DQ

9

F

A

4

A

7

A

18

DQ

12

V

CC

f

DQ

11

G

北卡罗来纳州

RY / BY

RESET

A

12

DQ

6

DQ

13

H

A

9

A

14

A

15

LBS

DQ

15

DQ

14

表1引脚配置

针

A

0

到A

16

A

17

到A

18

DQ

0

到DQ

15

持续进修基金

CES

OE

WE

RY / BY

瑞银

LBS

RESET

北卡罗来纳州

V

SS

V

CC

f

V

CC

s

功能

地址输入（通用）

地址输入（闪光）

数据输入/输出（普通）

芯片使能（闪存）

芯片使能（ SRAM ）

输出使能（普通）

写使能（普通）

就绪/忙输出（闪存）

高字节控制（ SRAM ）

低字节控制（ SRAM ）

硬件复位引脚/扇区保护解锁（闪光）

无内部连接

设备接地（公共）

设备电源（闪存）

设备电源（ SRAM ）

输入/

产量

I

I / O

I

O

I

—

动力

3

MB84VD2008

-10

/MB84VD2009

-10

s

产品阵容

FL灰内存

订货型号

V

CC

= 3.0 V

+0.6 V

–0.3 V

SRAM

MB84VD2008-10/MB84VD2009-10

100

40

85

45

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

s

巴士业务

表2用户总线操作

操作（ 1），（ 3）

全备

输出禁用

从Flash中读取（ 2 ）

写FLASH

从SRAM读

持续进修基金

H

L

H

CES

H

L

H

L

OE

X

H

X

H

L

H

L

WE

X

H

X

H

L

H

LBS

X

H

X

L

H

L

写入SRAM

闪存硬件复位

H

X

L

H

X

L

X

H

L

X

瑞银

X

H

X

L

H

L

H

X

DQ

0

到DQ

7

DQ

8

到DQ

15

RESET

高-Z

D

OUT

D

IN

D

OUT

高-Z

D

OUT

D

IN

高-Z

D

IN

高-Z

D

OUT

D

IN

D

OUT

D

OUT

高-Z

D

IN

D

IN

高-Z

L

H

图例：

L = V

IL

，H = V

IH

，X = V

IL

或V

IH

。见DC特性的电压等级。

注意事项：

除了表示此列1.其他操作都被禁止。

2.我们可以为V

IL

如果OE为V

IL

， OE在V

IH

启动写操作。

3.不要使用CEF = V

IL

下，CE = V

IL

的时间。

4

MB84VD2008

-10

/MB84VD2009

-10

s

闪存灵活的扇区擦除架构

两个16 Kb字节， 4个8千字节，二是32K字节， 14 64千字节。

单个部门，多个部门或批量擦除功能。

(×8)

16K字节/ 8K字

(×16)

64K字节/ 32K字

(×8)

(×16)

FFFFFh地址7FFFFH

FC000H 7E000H

32K字节/ 16K字

F4000H 7A000H

8K字节/ 4K字

F2000H 79000H

8K字节/ 4K字

银行1

8K字节/ 4K字

EE000H 77000H

8K字节/ 4K字

EC000H 76000H

32K字节/ 16K字

E4000H 72000H银行2

16K字节/ 8K字

E0000H 70000H

64K字节/ 32K字

D0000H 68000H

64K字节/ 32K字

C0000H 60000H

64K字节/ 32K字

B0000H 58000H

64K字节/ 32K字

A0000H 50000H

64K字节/ 32K字

90000H 48000H

64K字节/ 32K字

80000H 40000H

64K字节/ 32K字

2银行

64K字节/ 32K字

60000H 30000H

64K字节/ 32K字

50000H 28000H

64K字节/ 32K字

40000H 20000H银行1

64K字节/ 32K字

30000H 18000H

64K字节/ 32K字

20000H 10000H

64K字节/ 32K字

10000H 08000H

64K字节/ 32K字

00000H 00000H

MBM29DL800TA部门架构

MB84VD2008部门架构

16K字节/ 8K字

32K字节/ 16K字

8K字节/ 4K字

70000H 38000H

32K字节/ 16K字

16K字节/ 8K字

64K字节/ 32K字

F0000H 78000H

64K字节/ 32K字

FFFFFh地址7FFFFH

F0000H 78000H

E0000H 70000H

D0000H 68000H

C0000H 60000H

B0000H 58000H

A0000H 50000H

90000H 48000H

80000H 40000H

70000H 38000H

60000H 30000H

50000H 28000H

40000H 20000H

30000H 18000H

20000H 10000H

1C000H 0C000H

14000H 0A000H

12000H 09000H

10000H 08000H

0E000H 07000H

0C000H 06000H

04000H 02000H

00000H 00000H

MBM29DL800BA部门架构

MB84VD2009部门架构

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