【富士通半导体数据表DS05-50109-1EMCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &】,IC型号MB84VA2107-10,MB84VA2107-10 PDF资料,MB84VA2107-10经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-50109-1E

MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &

CMOS

16M （ × 16 ）Flash存储器&

1M （ × 8 ）静态RAM

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

s

特点

2.7至3.6 V 电源电压

高性能

100 ns的最大访问时间

工作温度

-20 + 85℃

闪存

最少100,000次写/擦除周期

扇区擦除架构

一个是8 K字， 2个4 K字一16K的单词， 31 32 K字。

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

启动代码部门架构

MB84VA2106 ：热门行业

MB84VA2107 ：底部部门

嵌入式擦除

TM

算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

TM

算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪 - 忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

自动睡眠模式

当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。

低V

CC

写禁止

≤

2.5 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读

请参考详细功能"MBM29LV160T / B"数据表

SRAM

功耗

操作：最多35毫安。

待机： 30

A

马克斯。

关机功能使用CE1S和CE2s

数据保持电源电压： 2.0 V至3.6 V

嵌入式擦除

TM

和嵌入式程序

TM

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

s

框图

V

CC

f

A

0

到A

19

A

0

到A

19

16M的位

FL灰内存

V

SS

RY / BY

DQ

8

到DQ

15

RESET

持续进修基金

DQ

0

到DQ

7

V

CC

s

A

0

到A

15

V

SS

SA

WE

OE

CE1s

CE2s

1M的位

静态RAM

s

示例连接与芯片组

V

CC

A[0:20]

A[1:20]

A0

A[0:19]

SA

V

CC

f

RESET

RY / BY

ROM_CS /

RAM_CS /

电池

BACKUP

控制

备用电池

HWR /

LWR /

RD /

D[0:15]

芯片组

持续进修基金

CE1s

V

CC

s

CE2s

WE

OE

DQ [ 0:15 ]

MB84VA2106/7

2

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

s

引脚分配

（ TOP VIEW ）

A

6

5

4

3

2

1

CE1s

A

10

OE

A

11

A

13

WE

B

V

SS

DQ

5

DQ

7

A

8

A

17

V

CC

s

C

DQ

1

DQ

2

DQ

4

A

5

SA *

A

16

D

A

1

A

0

DQ

0

DQ

8

持续进修基金

V

SS

E

A

2

A

3

A

6

DQ

3

DQ

10

DQ

9

F

A

4

A

7

A

18

DQ

12

V

CC

f

DQ

11

G

CE2s

RY / BY

RESET

A

12

DQ

6

DQ

13

H

A

9

A

14

A

15

A

19

DQ

15

/A

-1

DQ

14

*:

A

16

对于SRAM

表1引脚配置

针

A

0

到A

15

A

16

到A

19

SA

DQ

0

到DQ

7

DQ

8

到DQ

15

持续进修基金

CE1s

CE2s

OE

WE

RY / BY

RESET

北卡罗来纳州

V

SS

V

CC

f

V

CC

s

功能

地址输入（通用）

地址输入（闪光）

地址输入（ SRAM ）

数据输入/输出（普通）

数据输入/输出（闪存）

芯片使能（闪存）

芯片使能（ SRAM ）

输出使能（普通）

写使能（普通）

就绪/忙输出（闪存）

硬件复位引脚/扇区保护解锁（闪光）

无内部连接

设备接地（公共）

设备电源（闪存）

设备电源（ SRAM ）

输入/

产量

I

I / O

I

O

I

—

动力

3

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

s

产品阵容

FL灰内存

订货型号

V

CC

= 3.0 V

+0.6 V

–0.3 V

SRAM

MB84VA2106-10/MB84VA2107-10

100

40

100

50

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

s

巴士业务

表2用户总线操作

操作（ 1），（ 3）

全备

输出禁用

从Flash中读取（ 2 ）

持续进修基金

H

X

L

X

H

写FLASH

从SRAM读

写入SRAM

闪存硬件复位

L

X

H

X

L

H

L

H

X

高-Z

L

X

H

L

D

OUT

D

IN

高-Z

H

L

X

H

L

D

IN

D

IN

H

X

H

L

X

L

H

D

OUT

D

OUT

H

高-Z

H

CE1s

H

CE2s

X

高-Z

H

OE

WE

DQ

0

到DQ

7

DQ

8

到DQ

15

RESET

图例：

L = V

IL

，H = V

IH

，X = V

IL

或V

IH

。见DC特性的电压等级。

注意事项：

除了表示此列1.其他操作都被禁止。

2.我们可以为V

IL

如果OE为V

IL

， OE在V

IH

启动写操作。

3.不要使用CEF = V

IL

， CE1S = V

IL

和CE2s = V

IH

的时间。

4

MB84VA2106

-10

/MB84VA2107

-10

s

闪存灵活的扇区擦除架构

一个8K的话，两个4 K字一16K的字，和31 32 K字。

单个部门，多个部门或批量擦除功能。

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

扇区大小

32K字

16K字

4K字

8K字

地址范围

00000H到07FFFH

08000H到0FFFFH

10000H到17FFFH

18000H到1FFFFH

20000H到27FFFH

28000H到2FFFFH

30000H到37FFFH

38000H到3FFFFH

40000H到47FFFH

48000H到4FFFFH

50000H到57FFFH

58000H到5FFFFH

60000H到67FFFH

68000H到6FFFFH

70000H到77FFFH

78000H到7FFFFH

80000H到87FFFH

88000H到8FFFFH

90000H到97FFFH

98000H到9FFFFH

A0000H到A7FFFH

A8000H到AFFFFH

B0000H到B7FFFH

B8000H到BFFFFH

C0000H到C7FFFH

C8000H到CFFFFH

D0000H到D7FFFH

D8000H到DFFFFH

E0000H到E7FFFH

E8000H到EFFFFH

F0000H到F7FFFH

F8000H到FBFFFH

FC000H到FCFFFH

FD000H到FDFFFH

FE000H到FFFFFH

扇形

SA0

SA1

SA2

SA3

SA4

SA5

SA6

SA7

SA8

SA9

SA10

SA11

SA12

SA13

SA14

SA15

SA16

SA17

SA18

SA19

SA20

SA21

SA22

SA23

SA24

SA25

SA26

SA27

SA28

SA29

SA30

SA31

SA32

SA33

SA34

扇区大小

8K字

4K字

16K字

32K字

地址范围

00000H到01FFFH

02000H到02FFFH

03000H到03FFFH

04000H到07FFFH

08000H到0FFFFH

10000H到17FFFH

18000H到1FFFFH

20000H到27FFFH

28000H到2FFFFH

30000H到37FFFH

38000H到3FFFFH

40000H到47FFFH

48000H到4FFFFH

50000H到57FFFH

58000H到5FFFFH

60000H到67FFFH

68000H到6FFFFH

70000H到77FFFH

78000H到7FFFFH

80000H到87FFFH

88000H到8FFFFH

90000H到97FFFH

98000H到9FFFFH

A0000H到A7FFFH

A8000H到AFFFFH

B0000H到B7FFFH

B8000H到BFFFFH

C0000H到C7FFFH

C8000H到CFFFFH

D0000H到D7FFFH

D8000H到DFFFFH

E0000H到E7FFFH

E8000H到EFFFFH

F0000H到F7FFFH

F8000H到FFFFFH

MB84VA2106部门架构

MB84VA2107部门架构

5