【富士通半导体数据表DS05-50108-1EMCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &】,IC型号MB84VA2105,MB84VA2105 PDF资料,MB84VA2105经销商,ic,电子元器件-51电子网

富士通半导体

数据表

DS05-50108-1E

MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &

CMOS

16M （ × 8 ）闪存&

1M （ × 8 ）静态RAM

MB84VA2104

-10

/MB84VA2105

-10

s

特点

2.7至3.6 V 电源电压

高性能

100 ns的最大访问时间

工作温度

-20 + 85℃

闪存

最少100,000次写/擦除周期

扇区擦除架构

其中的16K字节，两个8千字节， 1是32K字节， 31 64千字节。

任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。

启动代码部门架构

MB84VA2104 ：热门行业

MB84VA2105 ：底部部门

嵌入式擦除

TM

算法

自动预先计划和擦除芯片或任何部门

嵌入式程序

TM

算法

自动写和在指定地址的数据验证

数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束

就绪 - 忙输出（ RY / BY ）

硬件方法检测编程或擦除周期完成

自动睡眠模式

当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。

低V

CC

写禁止

≤

2.5 V

擦除暂停/恢复

暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读

请参考详细功能"MBM29LV160T / B"数据表

SRAM

功耗

操作：最多35毫安。

待机： 30

A

马克斯。

关机功能使用CE1S和CE2s

数据保持电源电压： 2.0 V至3.6 V

嵌入式擦除

TM

和嵌入式程序

TM

是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。

MB84VA2104

-10

/MB84VA2105

-10

s

框图

V

CC

f

A

0

到A

20

A

0

到A

20

RESET

持续进修基金

V

SS

RY / BY

16M的位

FL灰内存

DQ

0

到DQ

7

V

CC

s

A

0

到A

16

V

SS

WE

OE

CE1s

CE2s

1M的位

静态RAM

2

MB84VA2104

-10

/MB84VA2105

-10

s

引脚分配

（ TOP VIEW ）

A

6

5

4

3

2

1

CE1s

A

10

OE

A

11

A

14

WE

B

V

SS

DQ

5

DQ

7

A

8

A

18

V

CC

s

C

DQ

1

DQ

2

DQ

4

A

5

北卡罗来纳州

A

17

D

A

1

A

0

DQ

0

北卡罗来纳州

持续进修基金

V

SS

E

A

2

A

3

A

6

DQ

3

北卡罗来纳州

F

A

4

A

7

A

19

北卡罗来纳州

V

CC

f

北卡罗来纳州

G

CE2s

RY / BY

RESET

A

13

DQ

6

北卡罗来纳州

H

A

9

A

15

A

16

A

20

A

12

北卡罗来纳州

表1引脚配置

针

A

0

到A

16

A

17

到A

20

DQ

0

到DQ

7

持续进修基金

CE1s

CE2s

OE

WE

RY / BY

RESET

北卡罗来纳州

V

SS

V

CC

f

V

CC

s

功能

地址输入（通用）

地址输入（闪光）

数据输入/输出（普通）

芯片使能（闪存）

芯片使能（ SRAM ）

输出使能（普通）

写使能（普通）

就绪/忙输出（闪存）

硬件复位引脚/扇区保护解锁（闪光）

无内部连接

设备接地（公共）

设备电源（闪存）

设备电源（ SRAM ）

输入/

产量

I

I / O

I

O

I

—

动力

3

MB84VA2104

-10

/MB84VA2105

-10

s

产品阵容

FL灰内存

订货型号

V

CC

= 3.0 V

+0.6 V

–0.3 V

SRAM

MB84VA2104-10/MB84VA2105-10

100

40

100

50

马克斯。地址访问时间（纳秒）

马克斯。 CE访问时间（纳秒）

马克斯。 OE访问时间（纳秒）

s

巴士业务

表2用户总线操作

操作（ 1），（ 3）

全备

输出禁用

从Flash中读取（ 2 ）

持续进修基金

H

X

L

X

H

写FLASH

从SRAM读

写入SRAM

闪存硬件复位

L

X

H

X

L

H

L

H

X

高-Z

L

X

H

L

D

OUT

D

IN

H

L

X

H

L

D

IN

H

X

H

L

X

L

H

D

OUT

H

高-Z

H

CE1s

H

CE2s

X

高-Z

H

OE

WE

DQ

0

到DQ

7

RESET

图例：

L = V

IL

，H = V

IH

，X = V

IL

或V

IH

。见DC特性的电压等级。

注意事项：

除了表示此列1.其他操作都被禁止。

2.我们可以为V

IL

如果OE为V

IL

， OE在V

IH

启动写操作。

3.不要使用CEF = V

IL

， CE1S = V

IL

和CE2s = V

IH

的时间。

4

MB84VA2104

-10

/MB84VA2105

-10

s

闪存灵活的扇区擦除架构

一个的16K字节，两个8千字节， 1是32K字节， 31 64千字节。

个别行业，多领域，或批量擦除功能。

.

扇区大小

64字节

32字节

8字节

16字节

地址范围

00000H到0FFFFH

10000H到1FFFFH

20000H到2FFFFH

30000H到3FFFFH

40000H到4FFFFH

50000H到5FFFFH

60000H到6FFFFH

70000H到7FFFFH

80000H到8FFFFH

90000H到9FFFFH

A0000H到AFFFFH

B0000H到BFFFFH

C0000H到CFFFFH

D0000H到DFFFFH

E0000H到EFFFFH

F0000H到FFFFFH

100000H到10FFFFH

110000H到11FFFFH

120000H到12FFFFH

130000H到13FFFFH

140000H到14FFFFH

150000H到15FFFFH

160000H到16FFFFH

170000H到17FFFFH

180000H到18FFFFH

190000H到19FFFFH

1A0000H到1AFFFFH

1B0000H到1BFFFFH

1C0000H到1CFFFFH

1D0000H到1DFFFFH

1E0000H到1EFFFFH

1F0000H到1F7FFFH

1F8000H到1F9FFFH

1FA000H到1FBFFFH

1FC000H到1FFFFFH

扇区大小

16字节

8字节

32字节

64字节

地址范围

00000H到03FFFH

04000H到05FFFH

06000H到07FFFH

08000H到0FFFFH

10000H到1FFFFH

20000H到2FFFFH

30000H到3FFFFH

40000H到4FFFFH

50000H到5FFFFH

60000H到6FFFFH

70000H到7FFFFH

80000H到8FFFFH

90000H到9FFFFH

A0000H到AFFFFH

B0000H到BFFFFH

C0000H到CFFFFH

D0000H到DFFFFH

E0000H到EFFFFH

F0000H到FFFFFH

100000H到10FFFFH

110000H到11FFFFH

120000H到12FFFFH

130000H到13FFFFH

140000H到14FFFFH

150000H到15FFFFH

160000H到16FFFFH

170000H到17FFFFH

180000H到18FFFFH

190000H到19FFFFH

1A0000H到1AFFFFH

1B0000H到1BFFFFH

1C0000H到1CFFFFH

1D0000H到1DFFFFH

1E0000H到1EFFFFH

1F0000H到1FFFFFH

MB84VA2104部门架构

MB84VA2105部门架构

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