富士通半导体
数据表
DS05-50106-1E
MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
8M （ × 8 ）闪存&
1M （ × 8 ）静态RAM
MB84VA2004
-10
/MB84VA2005
-10
s
特点
2.7至3.6 V 电源电压
高性能
100 ns的最大访问时间
工作温度
-20 + 85℃
闪存
最少100,000次写/擦除周期
扇区擦除架构
其中的16K字节，两个8千字节， 1是32K字节， 15 64千字节。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
启动代码部门架构
MB84VA2004 ：热门行业
MB84VA2005 ：底部部门
嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪 - 忙输出（ RY / BY ）
硬件方法检测编程或擦除周期完成
自动睡眠模式
当地址保持稳定，自动切换自己的低功耗模式。
低V
CC
写禁止
≤
2.5 V
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读
请参考"MBM29LV800TA / BA"数据表中的详细功能
SRAM
功耗
操作：最多35毫安。
待机： 30
A
马克斯。
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 2.0 V至3.6 V
嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
MB84VA2004
-10
/MB84VA2005
-10
s
产品阵容
FL灰内存
订货型号
V
CC
= 3.0 V
+0.6 V
–0.3 V
SRAM
MB84VA2004-10/MB84VA2005-10
100
100
40
100
100
50
马克斯。地址访问时间（纳秒）
马克斯。 CE访问时间（纳秒）
马克斯。 OE访问时间（纳秒）
s
巴士业务
表2用户总线操作
操作（ 1），（ 3）
全备
输出禁用
从Flash中读取（ 2 ）
持续进修基金
H
X
X
L
X
H
写FLASH
从SRAM读
写入SRAM
闪存硬件复位
L
X
H
H
X
X
L
L
L
H
L
H
H
X
X
X
高-Z
L
L
X
H
L
D
OUT
D
IN
H
H
L
X
H
L
D
IN
H
X
H
L
X
X
L
H
D
OUT
H
H
H
高-Z
H
CE1s
H
CE2s
X
X
X
高-Z
H
OE
WE
DQ
0
到DQ
7
RESET
图例：
L = V
IL
，H = V
IH
，X = V
IL
或V
IH
。见DC特性的电压等级。
注意事项：
除了表示此列1.其他操作都被禁止。
2.我们可以为V
IL
如果OE为V
IL
， OE在V
IH
启动写操作。
3.不要使用CEF = V
IL
， CE1S = V
IL
和CE2s = V
IH
的时间。
4
MB84VA2004
-10
/MB84VA2005
-10
s
闪存灵活的扇区擦除架构
一个的16K字节，两个8千字节， 1是32K字节， 15 64千字节。
单个部门，多个部门或批量擦除功能。
FFFFFH
16K字节
FC000H
8K字节
FA000H
8K字节
F8000H
32K BYTE
F0000H
64K字节
E0000H
64K字节
D0000H
64K字节
C0000H
64K字节
B0000H
64K字节
A0000H
64K字节
90000H
64K字节
80000H
64K字节
70000H
64K字节
60000H
64K字节
50000H
64K字节
40000H
64K字节
30000H
64K字节
20000H
64K字节
10000H
64K字节
00000H
MB84VA2004部门架构
MB84VA2005部门架构
16K字节
00000H
8K字节
04000H
8K字节
06000H
32K BYTE
08000H
64K字节
10000H
64K字节
20000H
64K字节
30000H
64K字节
40000H
64K字节
50000H
64K字节
60000H
64K字节
70000H
64K字节
80000H
64K字节
90000H
64K字节
A0000H
64K字节
B0000H
64K字节
C0000H
64K字节
D0000H
64K字节
E0000H
64K字节
F0000H
FFFFFH
5
QQ：2880707522 复制
