SPANSION MCP
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-50405-1E
3堆叠MCP （多芯片封装） FLASH & FLASH & FCRAM
CMOS
128M （ × 16 ）突发FLASH MEMORY &
128M （ × 16 ）突发FLASH MEMORY &
128M （ × 16 ）页/突发移动FCRAM
TM
MB84SF6H6H6L2
-70
s
特点
=电源电压
闪存_1 & 2 ： V
CC
F = 1.65 V至1.95 V
FCARM ： V
CC
R = 2.5 V至3.1 V ，V
CCQ
R = 1.65 V至1.95 V
高性能
11 ns（最大值）突发读取访问时间，最大56 ns的随机存取时间（ Flash_1 & Flash_2 ）
11 ns（最大值）突发读取访问时间，最大70 ns的随机存取时间（ FCRAM
TM
)
（续）
Flash_1 & Flash_2
电源电压（ V）
I / O电源电压（ V）
最大延迟时间（纳秒）
同步/
最大突发访问时间（纳秒）
BURST
最大OE访问时间（纳秒）
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
异步
最大OE访问时间（纳秒）
最大页面访问时间（纳秒）
V
CC
F_1 & * 2 = 1.8 V
+0.15V
–0.15V
s
产品阵容
FCRAM
V
CC
R * = 3.0 V
+0.10V
–0.50V
V
CCQ
R = 1.65 V至1.95 V
71
11
11
56
56
11
—
V
CCQ
R = 1.65 V至1.95 V
—
11
—
70
70
40
20
* ：所有的V
CC
F_1 ，V
CC
F_2和V
CC
r必须当被访问或者部分相同的水平。
s
包
115球FBGA封装胶
BGA-115P-M03
MB84SF6H6H6L2
-70
工作温度
–30
°C
+85
°C
包115球BGA
- FLASH MEMORY_1 & FLASH MEMORY_2
0.13
m
工艺技术
单1.8伏读取，编程和擦除（ 1.65 V至1.95 V）
同时读/写操作（双行）
FlexBank
TM
*
1
A银行： 16兆（ 4 K字
×
8和32 K字
×
31)
B组： 48Mbit （ 32 K字
×
96)
银行C： 48Mbit （ 32 K字
×
96)
银行D： 16兆（ 4 K字
×
8和32 K字
×
31)
高性能突发频率达到66MHz的时
11 ns的突发访问时间@ 30 pF的，在工业级温度范围
56 ns的非同步随机接入时间（在30 pF）的
可编程突发接口
线性脉冲串： 8 ， 16 ，和32个字与环绕
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
8个4千字， 254 32K字扇区， 8个4 K字的部门。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
WP输入引脚（ WP_1 ， WP_2 ）
在V
IL
允许保护的低，高端"outermost" 4×4 K字或引导区的两端，而不管
扇区保护/解除保护状态。
加快引脚（ ACC ）
在V
加
，提高了程序的性能。 ;各界锁定时， ACC = V
IL
嵌入式擦除
TM
*
2
算法
自动preprograms和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*
2
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
就绪输出（ RY / BY ）
在同步模式下，表示读突发的状况。
在异步模式下，表示内部程序的状态和擦除功能。
自动休眠模式
当地址保持稳定，设备自动切换到低功耗模式
擦除挂起/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
硬件复位引脚（ RESET）
硬件方法重置设备读取阵列数据
请参考“ MBM29BS12DH ”数据表中deteiled功能
（续）
2
MB84SF6H6H6L2
-70
（续）
- FCRAM
TM
*
3
功耗
操作：35 mA最大
待机
: 300
A
马克斯（无CLK ）
各种局部断电模式
睡觉
: 10
A
最大
16M部分： 120
A
最大
32M部分： 150
A
最大
掉电控制由CE2r
8个字页读接入能力
突发读/写访问能力
字节写控制： LB （ DQ
7
到DQ
0
） ， UB （ DQ
15
到DQ
8
)
* 1： FlexBank
TM
是日本富士通株式会社的注册商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
* 3： FCRAM
TM
是日本富士通株式会社的注册商标。
3
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