SPANSION MCP
数据表
TM
2003年9月
TM
该文件规定，现在由两个Advanced Micro Devices公司，并提供Spansion存储产品
富士通。尽管该文件被标记为最初开发的规范的公司的名称，
这些产品将提供给AMD和富士通的客户。
规格连续性
没有改变这个数据表作为提供设备的SPANSION的结果
修订版将在适当的时候改变会注意到在修订概要发生， 。
TM
产品。今后日常的产品
订购零件编号的连续性
AMD和富士通继续支持"Am"和"MBM"开始现有的部件号。要订购这些
产品，请只使用本文档中列出的订购部件号。
欲了解更多信息
请联系您当地的AMD和富士通的销售办事处关于Spansion公司其他信息
的解决方案。
TM
内存
富士通半导体
数据表
DS05-50222-1E
堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器SRAM &
CMOS
64M （ × 16 ）Flash存储器&
8M （ × 16 ） SRAM
MB84SD23280FA/MB84SD23280FE
-70
s
特点
1.65 V至1.95 V电源电压
高性能
70 ns的最大访问时间（闪存）
70 ns的最大访问时间（ SRAM ）
工作温度
–30
°C
+85
°C
包73球FBGA
（续）
s
产品阵容
FL灰内存
电源电压（ V）
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
V
CC
F * = 1.8 V
70
70
20
+0.15V
–0.15 V
SRAM
V
CC
S * = 1.8 V
70
70
35
+0.15V
–0.15 V
* ：两个V
CC
F且V
CC
s必须是在推荐的工作范围内时，被访问的任一部件。
s
包
73球FBGA封装胶
(BGA-73P-M03)
MB84SD23280FA/MB84SD23280FE
-70
（续）
FL灰内存
0.17
米制程技术
可同时读/写操作（双行）
FlexBank
TM
*
1
银行A ： 16M位（ 16KB
×
4和64KB
×
31)
B组： 16M位（ 64KB
×
32)
银行C： 16M位（ 64KB
×
32)
银行D： 16M位（ 16KB
×
4和64KB
×
31)
最低100,000编程/擦除周期
扇区擦除架构
四8K字，一百28 32K字扇区。
任何部门的结合可以同时删除。还支持整片擦除。
WP输入引脚
在V
IL
，使得保护所有部门，不分部门保护/解除保护状态
在V
IH
允许拆除部门保护
嵌入式擦除
TM
*
2
算法
自动preprograms和擦除芯片或任何部门
嵌入式程序
TM
*
2
算法
自动写和在指定地址的数据验证
数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
自动睡眠模式
当地址保持稳定，设备自动切换到低功耗模式
低V
CC
写禁止
擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作，以允许在同一设备内的另一扇区的读数据和/或程序
恢复的擦除操作
扇区保护
软件命令锁业
请参阅“ MBM29BS64LF ”数据表中的详细功能
SRAM
功耗
工作时：最大50 mA
待机： 15
A
最大
关机功能使用CE1S和CE2s
数据保持电源电压： 1.0 V至1.95 V
CE1S和CE2s片选
字节数据控制： LB （ DQ
7
到DQ
0
） ， UB （ DQ
15
到DQ
8
)
* 1： FlexBank
TM
是日本富士通株式会社的注册商标。
* 2 ：嵌入式擦除
TM
和嵌入式程序
TM
是Advanced Micro Devices ， Inc.的商标。
2
MB84SD23280FA/MB84SD23280FE
-70
s
引脚分配
FBGA
（ TOP VIEW ）
侧面标
A10
北卡罗来纳州
B10
北卡罗来纳州
D9
A15
C8
A11
C7
A8
B6
北卡罗来纳州
B5
北卡罗来纳州
C6
WE
C5
WP
C4
LB
C3
A7
D8
A12
D7
A19
D6
CE2s
D5
RESET
D4
UB
D3
A6
D2
A3
E9
A21
E8
A13
E7
A9
E6
A20
E5
RDY
E4
A18
E3
A5
E2
A2
F10
北卡罗来纳州
F9
北卡罗来纳州
F8
A14
F7
A10
G10
北卡罗来纳州
G9
A16
G8
北卡罗来纳州
G7
DQ6
H9
北卡罗来纳州
H8
DQ15
H7
DQ13
H6
DQ4
H5
DQ3
J9
VSS
J8
DQ7
J7
DQ12
J6
VCCS
J5
VCCF
J4
DQ10
J3
DQ0
J2
CE1s
K8
DQ14
K7
DQ5
K6
北卡罗来纳州
K5
DQ11
K4
DQ2
K3
DQ8
L10
北卡罗来纳州
M10
北卡罗来纳州
L6
北卡罗来纳州
L5
北卡罗来纳州
F4
A17
F3
A4
F2
A1
F1
北卡罗来纳州
G4
DQ1
G3
VSS
G2
A0
G1
北卡罗来纳州
H4
DQ9
H3
OE
H2
持续进修基金
A1
北卡罗来纳州
B1
北卡罗来纳州
C1
北卡罗来纳州
L1
北卡罗来纳州
M1
北卡罗来纳州
(BGA-73P-M03)
3
MB84SD23280FA/MB84SD23280FE
-70
s
引脚说明
引脚配置
引脚名称
A
18
到A
0
A
21
, A
20
, A
19
DQ
15
到DQ
0
持续进修基金
CE1s
CE2s
OE
WE
RDY
UB
LB
RESET
WP
北卡罗来纳州
V
SS
V
CC
f
V
CC
s
地址输入（通用）
地址输入（闪光）
数据输入/输出（普通）
芯片使能（闪存）
芯片使能（ SRAM ）
芯片使能（ SRAM ）
输出使能（普通）
写使能（普通）
就绪输出（闪存）开漏输出
高字节控制（ SRAM ）
低字节控制（ SRAM ）
硬件复位引脚（闪光）
写保护（闪存）
无内部连接
设备接地（公共）
设备电源（闪存）
设备电源（ SRAM ）
功能
输入/输出
I
I
I / O
I
I
I
I
I
O
I
I
I
I
动力
动力
动力
s
框图
V
CC
f
A
21
到A
0
A
21
到A
0
WP
V
SS
RDY
RESET
持续进修基金
64男位
FL灰内存
DQ
15
到DQ
0
DQ
15
到DQ
0
V
CC
s
A
18
到A
0
DQ
15
到DQ
0
V
SS
LB
UB
WE
OE
CE1s
CE2s
8M的位
SRAM
4
QQ：2881677436 复制
