富士通半导体
数据表
DS05-11422-3E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
32M位（2M字
×
16位）的
手机专用内存
MB82DP02183C
-65L
CMOS 2097152 - WORD x 16位
快速循环随机存取存储器
与低功耗SRAM接口
■
描述
富士通MB82DP02183C是一个CMOS快速循环随机存储器（ FCRAM * ）异步
静态随机存取存储器（ SRAM）的接口含有33554432存储器中的16位格式访问。
MB82DP02183C使用的是富士通FCRAM先进的核心技术，并利用在提高整合
相较于普通的SRAM 。这MB82DP02183C适合于移动应用，如蜂窝电话听筒
和PDA 。
*： FCRAM是富士通有限公司，日本的商标
■
特点
异步SRAM接口
快速访问周期时间：吨
AA
= t
CE
= 65 ns（最大值）
8个字第接入能力：吨
PAA
= 20 ns（最大值）
低电压工作条件： V
DD
= 2.6 V至3.5 V
宽工作温度：T已
A
= -30 ° C至+85°C
由LB和UB字节控制
低功耗：我
DDA1
= 30 mA最大
I
DDS1
= 80
A
最大
各种省电模式：睡眠
4M比特的部分
8M比特的部分
出货形式：晶圆/芯片， 71球塑料FBGA封装
版权所有2004-2006富士通有限公司保留所有权利
MB82DP02183C
-65L
■
功能真值表
模式
待机
（取消选择）
输出禁用*
1
输出禁用
（不读）
阅读（高字节）
H
阅读（低字节）
阅读（字）
不写
写（高字节）
L
写（低字节）
写（字）
断电*
2
L
X
X
X
H*
4
L
L
X
H
L
X
有效
有效
X
输入有效
无效
H
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
有效
有效
有效
有效
CE2
H
CE1
H
WE
X
H
OE
X
H
LB
X
X
H
H
UB
X
X
H
L
A
20
到A
0
X
*3
有效
有效
DQ
8
to
DQ
1
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
产量
有效
无效
无效
DQ
16
to
DQ
9
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
高-Z
产量
有效
无效
输入有效
输入有效输入有效
高-Z
高-Z
注：L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是V
IL
或V
IH
，高Z =高阻抗
* 1 ：如果不能保持这种逻辑条件长于1
s.
* 2 ：省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。
数据保留取决于掉电程序的选择。
请参阅“ ■关机”的细节。
* 3 ：既可以是V
IL
或V
IH
但必须是之前读取或写入有效。
* 4 ： OE可以是V
IL
写操作时，如果满足以下条件;
（ 1 ）写脉冲由CE1启动。在“■时序参见” （ 12 ）读/写时序＃1-1 （ CE1控制）“
图“ 。
（ 2 ） OE保持V
IL
在写周期。
5
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