富士通半导体
简介表
NP05-11444-2E
256兆移动FCRAM
TM
1.8V， DDR突发模式
MB82DDS08314A-75L
特点
伪SRAM是双倍数据速率（ DDR ）突发接口
符合移动RAM（ COSMORAM ）修订4常用规格
DDR突发模式功能
复用的地址和数据总线
总之初始延迟
高速的数据传输率
各种掉电模式
睡觉
32 Mbit的部分
64 Mbit的部分
128 Mbit的部分
送货方式：外延片和芯片
主要技术指标
产品型号
组织
I / O总线配置
接口
电源电压
突发频率（最大）
数据传输速率
_______
MB82DDS08314A-75L
8米字
×
32位
×
32复用的地址和数据总线
双倍数据速率（ DDR ）
1.75 V至1.95 V
135兆赫
1G字节/秒
6纳秒
40毫安
250
μA
睡觉
10
μA
从CLK & CLK数据访问时间（最大值）。
工作电流（最大）
待机电流（最大值）。
掉电电流（最大值）。
注意： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。
2007年9月，
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