富士通半导体
数据表
DS05-11424-4E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
16兆位（ 1 M个字
×
16位）的
MB82D01181E
-60L
■
描述
手机专用内存
MB82D01181E是一个快速周期随机存取存储器（FCRAM ）与异步静态随机存取
存储器（SRAM）接口含有16777216存储器中的16位格式访问。 MB82D01181E是适合
对于移动应用，如蜂窝手机和PDA 。
注意： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。
■
特点
异步SRAM接口
1M的字
×
16位组织
低电压工作条件
宽工作温度
读/写周期时间
快速随机存取时间
工作电流
待机电流
掉电电流
字节控制
出货形式
: V
DD
=
2.3 V至3.5 V
: T
A
=
0
°C
to
+
70
°C
: t
RC
=
t
WC
=
70 ns（最小值）
: t
AA
=
t
CE
=
60 ns（最大值）
: I
DDA1
= 20 mA最大
: I
DDs1
= 100
A
马克斯（V
DD
≤
3.1 V)
: I
DDP
= 10
A
最大
：晶圆/芯片， 48引脚塑料FBGA
版权所有2004-2006富士通有限公司保留所有权利
MB82D01181E
-60L
■
功能真值表
模式
待机（取消）
输出禁用*
1
不读
阅读（高字节）
阅读（低字节）
阅读（字）
不写
写（高字节）
写（低字节）
写（字）
断电*
2
L
X
X
X
L
H
H
H
L
CE2 CE1
H
WE
X
H
OE
X
H
LB
X
X
H
H
L
L
H
H
L
L
X
UB
X
X
H
L
H
L
H
L
H
L
X
A
19
到A
0
DQ
8
到DQ
1
DQ
16
到DQ
9
X
*3
有效
有效
有效
有效
有效
有效
有效
有效
X
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
产量
有效
无效
无效
输入
有效
输入
有效
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
高-Z
产量
有效
无效
输入
有效
无效
输入
有效
高-Z
I
DDP
No
是的
I
DD
I
DDS
数据
保留
L
I
DDA
注：L
=
V
IL
, H
=
V
IH
, X
=
无论是V
IL
或V
IH
高-Z
=
高阻抗
* 1 ：输出禁止模式不应该被保存超过1
s.
* 2 ：省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。
* 3 ：既可以是V
IL
或V
IH
但必须是之前读取或写入有效。
4
MB82D01181E
-60L
■
绝对最大额定值
参数
电源电压*
输入电压*
输出电压*
短路输出电流
储存温度
* ：所有电压参考V
SS
.
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
I
OUT
T
英镑
等级
民
0.5
0.5
0.5
50
55
最大
+3.6
+3.6
+3.6
+50
+125
单位
V
V
V
mA
°C
■
推荐工作条件
参数
符号
V
DD (31)
电源电压*
1,
*
2
V
DD (27)
V
DD (23)
V
SS
V
IH（ 31）
V
IH （ 23 ， 27 ）
低电平输入电压*
1,
*
4
环境温度
* 1 ：所有电压都参考V
SS
.
* 2 ：本机支持三种电压范围，V
DD (31)
, V
DD (27)
和V
DD (23)
在相同的设备。 V
DD
范围划分
由于进入到V三个范围在桌子上
IH
根据V变化
DD
电源电压。
* 3 ：过冲规范。 （V
IH （最大）
=
V
DD
+
为1.0V ，脉冲宽度
≤
5.0纳秒）
* 4 ：冲规范。 （V
白细胞介素（分钟）
=
为1.0V ，脉冲宽度
≤
5.0纳秒）
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
V
IL
T
A
价值
民
3.1
2.7
2.3
0
V
DD
×
0.8
V
DD
×
0.8
0.3
0
最大
3.5
3.1
2.7
0
V
DD
+
0.2
和
≤
3.5
V
DD
+
0.2
V
DD
×
0.2
+70
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
高电平输入电压*
1,
*
2,
*
3
5
QQ：2881677436 复制
