富士通半导体
数据表
DS05-11404-2E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
16兆位（ 1 M个字
×
16位）的
手机专用内存
MB82D01171A
-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL
CMOS 1,048,576 - WORD
×
16位
快速循环随机存取存储器
与低功耗SRAM接口
s
描述
富士通MB82D01171A是CMOS快速周期随机存取存储器（FCRAM ）与异步静态
随机存取存储器（SRAM ）含有16777216存储器中的16位格式进行访问的接口。这
MB82D01171A适合于低功率应用，如蜂窝手机和PDA 。
注意： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。
s
产品阵容
参数
访问时间（吨
AA
最大值，T
CE
MAX ）
有源电流（I
DDA1
MAX ）
待机电流（I
DDS1
MAX ）
掉电电流（I
DDP
MAX ）
MB82D01171A
80
80L
80纳秒
80LL
85
85L
85纳秒
20毫安
200
A
100
A
70
A
200
A
100
A
70
A
200
A
100
A
70
A
10
A
85LL
90
90L
90纳秒
90LL
s
套餐
48球FBGA封装胶
48球FBGA封装胶
(BGA-48P-M16)
(BGA-48P-M18)
MB82D01171A
-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL
s
特点
异步SRAM接口
1M的字
×
16位组织
快速随机循环时间：吨
RC
=
90纳秒
快速随机存取时间：吨
AA
=
t
CE
=
80纳秒， 85纳秒， 90纳秒
低功耗：我
DDS1
=
200
A,
100
A
（ L型），70
A
（ LL版）
宽工作条件： V
DD
= +2.3
V到
+2.7
V
+2.7
V到
+3.1
V
+3.1
V到
+3.5
V
T
A
= 30 °C
to
+85 °C
字节写入控制
4字地址接入能力
掉电控制由CE2
2
MB82D01171A
-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL
s
引脚分配
（ TOP VIEW ）
闪存兼容的FBGA
（后缀PBT ）
1
2
3
4
5
6
1
SRAM兼容FBGA
（后缀PBN ）
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
H
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
CE1
OE
V
SS
A
17
A
7
A
6
A
5
DQ
1
DQ
9
UB
LB
A
18
NC
DQ
3
CE2
WE
NC
A
19
DQ
6
A
8
A
9
A
10
A
11
DQ
8
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ
9
OE
UB
A
0
A
3
A
5
A
17
NC
A
14
A
12
A
9
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
A
2
CE1
DQ
2
DQ
4
DQ
5
DQ
6
WE
A
11
CE2
DQ
1
DQ
3
V
DD
V
SS
DQ
7
DQ
8
NC
DQ
10
DQ
11
V
SS
V
DD
DQ
12
DQ
13
DQ
11
DQ
13
DQ
15
V
DD
DQ
5
DQ
15
DQ
14
DQ
16
A
18
A
19
A
8
DQ
10
DQ
12
DQ
2
DQ
4
DQ
14
DQ
16
DQ
7
V
SS
(BGA-48P-M16)
(BGA-48P-M18)
s
引脚说明
引脚名称
A
0
到A
19
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
DQ
1
到DQ
8
DQ
9
到DQ
16
V
DD
V
SS
NC
地址输入
芯片使能（低电平有效）
芯片使能（高电平有效）
写使能（低电平有效）
输出使能（低电平有效）
低字节写控制（低电平有效）
高字节写控制（低电平有效）
低字节数据的输入/输出
高字节数据输入/输出
电源
地
无连接
描述
3
MB82D01171A
-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL
s
框图
V
DD
V
SS
A
0
到A
19
地址
LATCH &
卜FF器
ROW
解码器
内存
CELL
ARRAY
16777216位
DQ
1
到DQ
8
I / O
卜FF器
DQ
9
到DQ
16
输入数据
LATCH &
控制
SENSE /
开关
产量
数据
控制
列/
解码器
地址
LATCH &
卜FF器
CE2
动力
控制
定时
控制
CE1
WE
LB
UB
OE
4
MB82D01171A
-80/80L/80LL/85/85L/85LL/90/90L/90LL
s
功能真值表*
1
模式
断电*
2
待机（取消）
输出禁用*
3
阅读*
4
写
写（低字节）
写（高字节）
H
L
H
H
CE1
X
H
CE2
L
WE
X
X
OE
X
X
H
L
LB
X
X
X
X
L
L
H
UB
X
X
X
X
L
H
L
DQ
1
to
DQ
8
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
输入
有效
输入
有效
无效
DQ
9
to
DQ
16
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
输入
有效
无效
输入
有效
I
DDA
是的
I
DD
I
DDP
I
DDS
数据
保留
No
L
*1 : V
=
有效，L
=
逻辑低，H
=
逻辑高电平，X
=
任一“ L”或“ H”时，高阻抗
=
高阻抗
* 2 ：省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。
* 3 ：输出禁止模式不应该被保存超过1
s.
* 4 ：不支持在读模式字节的控制。
5
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