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富士通半导体
数据表
AE0.3E
内存
CMOS
4
×
512 K
×
32位
同步动态RAM
MB81F643242B-10FN-X
CMOS 4银行
×
524,288-Word
×
32位
同步动态随机存取存储器
s
描述
富士通MB81F643242B是包含CMOS同步动态随机存取存储器(SDRAM )
在一个32位格式访问67108864存储器单元。该MB81F643242B拥有完全同步
操作参考的正沿时钟使所有操作都在一个时钟输入同步哪些
实现高性能和简单的用户界面共存。该MB81F643242B SDRAM被设计成
降低使用标准的动态RAM(DRAM )的复杂性,需要许多控制信号的时序
的限制,并且可以改善存储器多达比常规DRAM 5倍以上的数据带宽。
该MB81F643242B非常适合于工作站,个人计算机,激光打印机,高分辨率图形
适配器/加速器和其他应用中一个非常大的内存和带宽是必需的,
在需要一个简单的接口。
s
产品线&特点
参数
CL - 吨
RCD
- t
RP
@ 66兆赫
时钟频率
突发模式周期时间
从时钟存取时间
工作电流
掉电模式下电流(I
CC2P
)
自刷新电流(I
CC6
)
CL = 3
CL = 3
CL = 3
MB81F643242B-10FN-X
3 - 3 - 3 CLK分钟。
100 MHz的最大。
10 ns(最小值) 。
7 ns(最大值) 。
mA(最大值) 105 。
2mA以下。
2mA以下。
单+3.3 V电源± 0.3 V宽容
LVTTL兼容的I / O接口
4K的刷新周期每16毫秒
四银行业务
突发的读/写操作和突发
读/写单操作能力
可编程突发类型,突发长度,
CAS延迟
自动刷新(每3.9
s)
CKE断电模式
输出使能输入和数据模板
MB81F643242B-10FN-X
先进的信息( AE0.3E )
s
86引脚塑料TSOP ( II )封装
侧面标
(FPT-86P-M01)
(普通本德)
包装及订购信息
- 86引脚塑料( 400万), TSOP - II ,顺序MB81F643242B - 10FN -X
- 86引脚塑料( 400万), TSOP - II与SCITT功能,以便为MB81F643242B - 10FN -XS
2
MB81F643242B-10FN-X
先进的信息( AE0.3E )
s
引脚分配和说明
86引脚TSOP ( II )
( TOP VIEW )
<Normal弯: FPT - 86P - M01>
V
CC
DQ
0
V
CCQ
DQ
1
DQ
2
V
SSQ
DQ
3
DQ
4
V
CCQ
DQ
5
DQ
6
V
SSQ
DQ
7
北卡罗来纳州
V
CC
DQM
0
WE
CAS
RAS
CS
北卡罗来纳州
A
12
A
11
A
10
/ AP
A
0
A
1
A
2
DQM
2
V
CC
北卡罗来纳州
DQ
16
V
SSQ
DQ
17
DQ
18
V
CCQ
DQ
19
DQ
20
V
SSQ
DQ
21
DQ
22
V
CCQ
DQ
23
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ
15
V
SSQ
DQ
14
DQ
13
V
CCQ
DQ
12
DQ
11
V
SSQ
DQ
10
DQ
9
V
CCQ
DQ
8
北卡罗来纳州
V
SS
DQM
1
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CLK
CKE
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
DQM
3
V
SS
北卡罗来纳州
DQ
31
V
CCQ
DQ
30
DQ
29
V
SSQ
DQ
28
DQ
27
V
CCQ
DQ
26
DQ
25
V
SSQ
DQ
24
V
SS
引脚数
1, 3, 9, 15, 29, 35, 41, 43, 49, 55, 75, 81
2, 4, 5, 7, 8, 10, 11, 13, 31, 33, 34, 36,
37, 39, 40, 42, 45, 47, 48, 50, 51, 53,
54, 56, 74, 76, 77, 79, 80, 82, 83, 85
6, 12, 32, 38, 44, 46, 52, 58, 72, 78, 84,
86
14, 21, 30, 57, 69, 70, 73
17
18
19
20
22, 23
24
24, 25, 26, 27, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66
67
68
16, 28, 59, 71
符号
V
CC
, V
CCQ
DQ
0
到DQ
31
V
SS
, V
SSQ
*
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
A
11
( BA
1
), A
12
( BA
0
)
AP
A
0
到A
10
CKE
CLK
DQM
0
到DQM
3
电源电压
数据I / O
无连接
写使能
功能
列地址选通
行地址选通
芯片选择
选择银行(银行地址)
自动预充电启动
地址输入
时钟使能
时钟输入
输入掩码/输出使能
行:一个
0
到A
10
列:
0
到A
7
*:这些引脚在内部的芯片连接。
3
MB81F643242B-10FN-X
先进的信息( AE0.3E )
s
框图
图。 1 - MB81F643242B框图
CLK
到的每个块
时钟
卜FF器
CKE
BANK-3
BANK-2
BANK-1
BANK-0
RAS
CS
控制
信号
LATCH
命令
解码器
CAS
RAS
CAS
WE
WE
模式
注册
A
0
到A
10
,
A
10
/ AP
DRAM
CORE
(2,048
×
256
×
32)
地址
缓冲器/
注册
A
11
( BA
1
)
A
12
( BA
0
)
ROW
地址。
DQM
0
to
DQM
3
COLUMN
地址
计数器
I / O数据
缓冲器/
注册
歌罗西书
地址。
I / O
V
CC
V
CCQ
V
SS
/V
SSQ
DQ
0
to
DQ
31
4
MB81F643242B-10FN-X
先进的信息( AE0.3E )
s
功能真值表注* 1
命令真值表
功能
设备取消
无操作
突发停止
阅读自动预充电
写带自动预充电
银行主动
预充电单银行
预充电所有银行
模式寄存器设置
注意事项:
*1.
*2.
*3.
*4.
*5.
*6.
*8, *9
注* 2,* 3和* 4
CKE
笔记
符号
n-1
*5
*5
DESL
NOP
BST
* 6 READ
* 6 READA
*6
WRIT
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
n
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
X
H
H
L
L
L
L
H
H
H
L
X
H
L
H
H
L
L
H
L
L
L
CS RAS CAS WE
A
12
, A
10
A
9
A
11
to
( BA ) (AP )一个
8
X
X
X
V
V
V
V
V
V
X
L
X
X
X
L
H
L
H
V
L
H
L
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
V
A
7
to
A
0
X
X
X
V
V
V
V
V
X
X
V
* 6 WRITA
* 7 ACTV
PRE
PALL
太太
V =有效, L =逻辑低,H =逻辑高电平, X = L或H.
所有的命令当做时钟的上一上升沿没有个CSU命令。
所有命令都被假定为有效的状态转换。
所有输入锁存时钟的上升沿。
NOP和DESL命令对部分相同的效果。
READ , READA ,令状和WRITA命令只应出具相应的银行有后
被激活( ACTV命令)。参阅状态图。
* 7 。应该只有相应的银行后发出ACTV命令已预充电( PRE或PALL
命令) 。
* 8 。上电后必需的。请参考上电初始化在第19页。
* 9 。毕竟银行都已预充电( PRE或PALL命令)只能发出MRS命令。
参阅状态图。
5
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