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富士通半导体
数据表
DS04-27239-1E
ASSP电源应用
(通用DC / DC转换器)
3路DC / DC转换器IC
MB39A112
s
描述
该MB39A112是一个3通道的DC / DC转换器集成电路采用脉宽调制(PWM ),并且MB39A112是
适于下变频。
3通道内置于TSSOP -20P封装。每个信道可以被控制和软启动。
该MB39A112含有恒定电压偏置电路为输出块,能够实现一种高效的
高频DC / DC变换器。它是理想的内置电源,如ADSL调制解调器。
s
REATURES
支持下变频( CH1至CH3 )
□电源电压范围
7 V至25 V
误差放大器阈值电压: 1.00 V
±
1% (CH1)
: 1.23 V
±
1% (CH 2 ,CH 3)
振荡频率范围
: 250 kHz至2.6 MHz的
内置软启动电路不受负载影响
内置定时器,闩锁式短路保护电路
内置图腾柱输出型的P沟道MOS FET器件
内置恒定电压( VCCO
5 V)的偏压电路,用于输出块
s
20引脚塑封TSSOP
(FPT-20P-M06)
MB39A112
s
引脚分配
( TOP VIEW )
CS1 : 1
INE1
: 2
FB1 : 3
VCC : 4
RT : 5
CT : 6
GND : 7
FB2 : 8
INE2
: 9
CS2 : 10
20 : VCCO
19 : OUT1
18 : OUT2
17 : OUT3
16 : VH
15 : GNDO
14 : CSCP
13 : FB3
12 :
INE3
11 : CS3
(FPT-20P-M06)
2
MB39A112
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
CS1
INE1
FB1
VCC
RT
CT
GND
FB2
INE2
CS2
CS3
INE3
FB3
CSCP
GNDO
VH
OUT3
OUT2
OUT1
VCCO
I / O
I
O
O
I
I
O
O
O
O
O
说明
CH1软启动设定电容连接端子。
CH1误差放大器反相输入端。
CH1误差放大器的输出端。
控制回路电源端子。
三角波振荡频率设定电阻连接端子。
三角波振荡频率设定电容连接端子。
接地端子。
CH 2误差放大器的输出端。
CH 2误差放大器的反相输入端子。
CH2软启动设定电容连接端子。
CH3软启动设定电容连接端子。
CH 3误差放大器的反相输入端子。
CH 3误差放大器的输出端。
定时闭锁短路保护电容连接端子。
接地端子。
电源端,用于驱动输出电路。 ( VH
=
VCCO
5 V) .
CH3外部P沟道MOS FET的栅极驱动端。
CH2外部P沟道MOS FET的栅极驱动端。
CH1外部的P沟道MOS FET的栅极驱动端。
电源端,用于驱动输出电路。 (连接到相同的电势
作为VCC终端) 。
3
MB39A112
s
框图
阈值电压
1.0 V
±
1%
VREF
10
A
CS1 1
L
优先
INE1
2
CH1
PWM
Comp.1
Drive1
PCH
20 VCCO
+
+
1.0 V
错误
Amp1
+
19 OUT1
FB1 3
I
O
=
150毫安
INE2
9
VREF
10
A
CS2 10
L
优先
阈值电压
1.23 V
±
1%
+
+
1.23 V
I
O
=
150毫安
错误
Amp2
+
PWM
Comp.2
CH2
Drive2
PCH
18 OUT2
FB2 8
INE3
12
10
A
CS3 11
阈值电压
1.23 V
±
1%
VREF
+
+
1.23 V
I
O
=
150毫安
错误
Amp3
+
PWM
Comp.3
CH3
Drive3
PCH
17 OUT3
L
优先
FB3 13
H
优先
SCP
比较。
+
+
+
2.7 V
VCCO
5 V
BIAS
电压
VH
16 VH
SCP
15 GNDO
H:在SCP
CSCP 14
2.5 V
2.0 V
OSC
UVLO
误差放大器电源
SCP比较。电源
4 VCC
H: UVLO发布
BIAS
3.5 V
VREF
ErrorAmp参考
1.0 V/1.23 V
VR
动力
开/关
CTL
GND
5
RT
6
CT
7
GND
4
MB39A112
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输出电流
峰值输出电流
功耗
储存温度
符号
VCC
Io
I
OP
P
D
T
英镑
条件
VCC , VCCO终端
OUT1,OUT2 , OUT3的终端
5
%
(t
=
1/fosc
×
值班)
Ta
≤ +
25
°C
等级
55
最大
28
20
400
1280*
+
125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*:该包装被安装在所述双面环氧板(10厘米
×
10厘米) 。
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电流
振荡频率
定时电容
定时电阻
VH端子电容器
软启动电容
短路检测
电容
工作环境
温度
符号
VCC
V
IN
I
O
I
VH
FOSC
C
T
R
T
C
VH
C
S
C
SCP
Ta
VH端子
CS1,CS2, CS3的终端
CSCP端子
条件
VCC , VCCO终端
国家统计局终端
OUT1,OUT2 , OUT3的终端
VH端子
价值
7
0
15
0
250
22
4.7
30
典型值
12
-
1200
100
10
0.1
0.1
0.01
+
25
最大
25
VCC
1.8
15
30
2600
1000
22
1.0
1.0
1.0
+
85
单位
V
V
mA
mA
千赫
pF
k
F
F
F
°C
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
富士通的代表事前。
5
富士通半导体
数据表
DS04-27239-1E
ASSP电源应用
(通用DC / DC转换器)
3路DC / DC转换器IC
MB39A112
s
描述
该MB39A112是一个3通道的DC / DC转换器集成电路采用脉宽调制(PWM ),并且MB39A112是
适于下变频。
3通道内置于TSSOP -20P封装。每个信道可以被控制和软启动。
该MB39A112含有恒定电压偏置电路为输出块,能够实现一种高效的
高频DC / DC变换器。它是理想的内置电源,如ADSL调制解调器。
s
REATURES
支持下变频( CH1至CH3 )
□电源电压范围
7 V至25 V
误差放大器阈值电压: 1.00 V
±
1% (CH1)
: 1.23 V
±
1% (CH 2 ,CH 3)
振荡频率范围
: 250 kHz至2.6 MHz的
内置软启动电路不受负载影响
内置定时器,闩锁式短路保护电路
内置图腾柱输出型的P沟道MOS FET器件
内置恒定电压( VCCO
5 V)的偏压电路,用于输出块
s
20引脚塑封TSSOP
(FPT-20P-M06)
MB39A112
s
引脚分配
( TOP VIEW )
CS1 : 1
INE1
: 2
FB1 : 3
VCC : 4
RT : 5
CT : 6
GND : 7
FB2 : 8
INE2
: 9
CS2 : 10
20 : VCCO
19 : OUT1
18 : OUT2
17 : OUT3
16 : VH
15 : GNDO
14 : CSCP
13 : FB3
12 :
INE3
11 : CS3
(FPT-20P-M06)
2
MB39A112
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
符号
CS1
INE1
FB1
VCC
RT
CT
GND
FB2
INE2
CS2
CS3
INE3
FB3
CSCP
GNDO
VH
OUT3
OUT2
OUT1
VCCO
I / O
I
O
O
I
I
O
O
O
O
O
说明
CH1软启动设定电容连接端子。
CH1误差放大器反相输入端。
CH1误差放大器的输出端。
控制回路电源端子。
三角波振荡频率设定电阻连接端子。
三角波振荡频率设定电容连接端子。
接地端子。
CH 2误差放大器的输出端。
CH 2误差放大器的反相输入端子。
CH2软启动设定电容连接端子。
CH3软启动设定电容连接端子。
CH 3误差放大器的反相输入端子。
CH 3误差放大器的输出端。
定时闭锁短路保护电容连接端子。
接地端子。
电源端,用于驱动输出电路。 ( VH
=
VCCO
5 V) .
CH3外部P沟道MOS FET的栅极驱动端。
CH2外部P沟道MOS FET的栅极驱动端。
CH1外部的P沟道MOS FET的栅极驱动端。
电源端,用于驱动输出电路。 (连接到相同的电势
作为VCC终端) 。
3
MB39A112
s
框图
阈值电压
1.0 V
±
1%
VREF
10
A
CS1 1
L
优先
INE1
2
CH1
PWM
Comp.1
Drive1
PCH
20 VCCO
+
+
1.0 V
错误
Amp1
+
19 OUT1
FB1 3
I
O
=
150毫安
INE2
9
VREF
10
A
CS2 10
L
优先
阈值电压
1.23 V
±
1%
+
+
1.23 V
I
O
=
150毫安
错误
Amp2
+
PWM
Comp.2
CH2
Drive2
PCH
18 OUT2
FB2 8
INE3
12
10
A
CS3 11
阈值电压
1.23 V
±
1%
VREF
+
+
1.23 V
I
O
=
150毫安
错误
Amp3
+
PWM
Comp.3
CH3
Drive3
PCH
17 OUT3
L
优先
FB3 13
H
优先
SCP
比较。
+
+
+
2.7 V
VCCO
5 V
BIAS
电压
VH
16 VH
SCP
15 GNDO
H:在SCP
CSCP 14
2.5 V
2.0 V
OSC
UVLO
误差放大器电源
SCP比较。电源
4 VCC
H: UVLO发布
BIAS
3.5 V
VREF
ErrorAmp参考
1.0 V/1.23 V
VR
动力
开/关
CTL
GND
5
RT
6
CT
7
GND
4
MB39A112
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输出电流
峰值输出电流
功耗
储存温度
符号
VCC
Io
I
OP
P
D
T
英镑
条件
VCC , VCCO终端
OUT1,OUT2 , OUT3的终端
5
%
(t
=
1/fosc
×
值班)
Ta
≤ +
25
°C
等级
55
最大
28
20
400
1280*
+
125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*:该包装被安装在所述双面环氧板(10厘米
×
10厘米) 。
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
输出电流
振荡频率
定时电容
定时电阻
VH端子电容器
软启动电容
短路检测
电容
工作环境
温度
符号
VCC
V
IN
I
O
I
VH
FOSC
C
T
R
T
C
VH
C
S
C
SCP
Ta
VH端子
CS1,CS2, CS3的终端
CSCP端子
条件
VCC , VCCO终端
国家统计局终端
OUT1,OUT2 , OUT3的终端
VH端子
价值
7
0
15
0
250
22
4.7
30
典型值
12
-
1200
100
10
0.1
0.1
0.01
+
25
最大
25
VCC
1.8
15
30
2600
1000
22
1.0
1.0
1.0
+
85
单位
V
V
mA
mA
千赫
pF
k
F
F
F
°C
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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