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富士通半导体
数据表
DS04-27706-1E
ASSP
电源应用（二次电池）
DC / DC转换器IC，适用于充电
MB3878
s
描述
该MB3878是一个DC / DC转换器集成电路适于下变频，使用脉冲宽度（PWM）的充电和
使输出电压被设置为从一个小区的任何期望的水平，以4细胞。
这些IC可以动态地控制该二次电池的充电电流，通过检测在AC电压下降
适配器，以保持其功率不变（动态控制充电） 。
充电方法，能够快速充电，例如，用一台笔记本个人电脑的操作过程中的AC适配器。
该MB3878提供了广阔供电电压范围和低待机电流以及高效率，
因此非常适合用作内置式充电装置中的产品，如笔记本电脑。
s
特点
检测在AC适配器上的电压降，并动态地控制所述充电电流
（动态控制充电）
使用外部电阻器输出电压设定
： 1小区4单元
高效率
: 94
%
的工作电源电压范围宽
7 V至25 V
输出电压设定精度
: 4.2V
±
0.8％ （每单元）
内置频率设定电容使得仅使用外部电阻设定频率
振荡器的频率范围
： 100kHz至500kHz的
内置电流检测放大器具有广泛的同相输入电压范围： 0 V至Vcc
在待机模式下，离开输出电压设定电阻开路，以防止低效率的电流损耗
内置待机电流功能
: 0
A
（标准）
内置软启动功能
内置图腾柱输出级支持P沟道MOS场效应管器件
s
包
24引脚塑料SSOP
(FPT-24P-M03)
MB3878
s
引脚分配
（ TOP VIEW ）
INC2
: 1
OUTC2 ： 2
+INE2
: 3
INE2
: 4
FB2 ： 5
VREF ： 6
FB1 ： 7
INE1
: 8
+INE1
: 9
OUTC1 ： 10
OUTD ： 11
INC1
: 12
24 :
+INC2
23 ： GND
22 ： CS
21 ： VCC （ O）
20 ： OUT
19 ： VH
18 ： VCC
17 ： RT
16 :
INE3
15 ： FB3
14 ： CTL
13 :
+INC1
(FPT-24P-M03)
2
MB3878
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
符号
INC2
OUTC2
+INE2
INE2
FB2
VREF
FB1
INE1
+INE1
OUTC1
OUTD
INC1
+INC1
CTL
FB3
INE3
RT
VCC
VH
OUT
VCC （ O）
CS
GND
+INC2
I / O
I
O
I
I
O
O
O
I
I
O
O
I
I
I
O
I
O
O
I
说明
电流检测放大器（电流安培。 2 ）输入引脚。
电流检测放大器（电流安培。 2 ）输出引脚。
误差放大器（误差放大器。 2）非反相输入。
误差放大器（误差放大器2 ）反相输入引脚。
误差放大器（误差放大器。 2 ）输出引脚。
参考电压输出引脚。
误差放大器（误差放大器1 ）输出引脚。
误差放大器（误差放大器1 ）反相输入引脚
误差放大器（误差放大器。 3）的非反相输入。
电流检测放大器（电流安培1 ）输出引脚。
随着IC处于待机模式时，该引脚悬空，以防止电流损耗
通过输出电压设置电阻。设置CTL引脚为“H”级
OUTD引脚为“L”电平。
电流检测放大器（电流安培。 1 ）输入引脚。
电流检测放大器（电流安培。 1 ）输入引脚。
电源控制引脚。
设置CTL引脚为低电平时， IC处于待机状态。
误差放大器（误差放大器。 3 ）输出引脚。
误差放大器（误差放大器。 3 ）反相输入引脚。
三角波振荡频率设定电阻连接引脚。
电源引脚的参考电源和控制电路。
电源引脚FET驱动电路（ VH = Vcc的
5 V).
高侧FET栅极驱动引脚。
输出电路的电源引脚。
软启动电容器连接端子。
接地引脚。
电流检测放大器（电流安培。 2 ）输入引脚。
3
MB3878
s
框图
INE1
8
OUTC1 10
<Current Amp.1>
+
×
25
INC1
12
+INE1
9
FB1 7
INE2
4
OUTC2 2
<Current Amp.2>
+
+INC2
24
×
25
INC2
1
+INE2
3
5 FB2
2.5 V
1.5 V
<UVLO>
<Error
Amp.3> VREF
INE3
16
11 OUTD
+
+
+INC1
13
<Error
Amp.1> VREF
+
<PWM Comp.>
<OUT>
+
+
+
DRIVE
<Error
Amp.2> VREF
+
21 VCC （ O）
20 OUT
VCC
BIAS
电压
<VH>
19 VH
(V
CC
5 V)
VCC
（ VCC UVLO ） 215千欧
+
35 k
4.2 V
FB3 15
0.91 V
(0.77 V)
VREF
UVLO
VCC
<SOFT>
VREF
1
A
BIAS
<OSC>
（ 45 pF的）
17
RT
CS 22
18 VCC
<CTL>
14 CTL
<REF>
VREF
5.0 V
6
VREF
23
GND
4
MB3878
s
绝对最大狂暴
参数
电源电压
输出电流
峰值输出电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
I
OUT
I
OUT
P
D
TSTG
Ta
≤ +25 °C
条件
VCC ， VCC （ O）
税
≤
5
%
(t
=
1
/
f
OSC
×
值班）
等级
分钟。
55
马克斯。
28
60
500
740*
+125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*：该包装被安装在所述双面环氧板（10厘米
×
10厘米） 。
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
参考电压输出
当前
VH引脚输出电流
输入电压
OUTD引脚输出电压
OUTD引脚输出电流
CTL端子的输入电压
输出电流
峰值输出电流
振荡器频率
定时电阻
软启动电容
VH引脚电容
参考电压输出
电容
工作环境温度
符号
条件
VCC ， VCC （ O）
INE1
to
-INE3 ， + INE1 ， + INE2
+ INC1 ， + INC2 ， -INC1 ， -INC2
税
≤
5
%
(t
=
1
/
FOSC
×
值班）
价值
分钟。
7
1
0
0
0
0
0
0
45
450
100
33
30
典型值。
290
47
2200
0.1
0.1
+25
马克斯。
25
0
30
V
CC
1.8
V
CC
17
2
25
45
450
500
130
100000
1.0
1.0
+85
单位
V
mA
mA
V
V
V
mA
V
mA
mA
千赫
k
pF
F
F
°C
V
CC
I
REF
I
VH
V
INE
V
INC。
V
OUTD
I
OUTD
V
CTL
I
OUT
I
OUT
f
OSC
R
T
C
S
C
VH
C
REF
Ta
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
5
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