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富士通半导体
数据表
DS04-27703-4E
ASSP
电源应用(锂离子电池充电器)
DC / DC转换器IC,适用于充电
MB3875/MB3877
s
描述
该MB3875和MB3877是收费适用于下变频,它采用脉冲DC / DC转换器集成电路
宽度调制(PWM)来控制输出电压和电流独立。
这些IC可以动态地控制该二次电池的充电电流,通过检测在AC电压下降
适配器,以保持其功率不变(动态控制充电) 。
充电方法,能够快速充电,例如,用一台笔记本个人电脑的操作过程中的AC适配器。
用一个片上输出电压设定电阻,它允许输出电压被设定在高精确度,这些
IC是最适合作为内部电池充电器笔记本电脑。
该MB3875和MB3877支持3芯和4芯电池,分别。
这些产品受美国专利号6147477 。
s
特点
检测在AC适配器上的电压降,并动态地控制所述充电电流(动态- CON-
受控充电)
高效率: 95 %
宽范围的工作电源电压: 7 V至25 V
输出电压精度(输出电压设定电阻集成) : 0
±
0.8 % (大=
+
25
°C)
(续)
s
24引脚塑料SSOP
(FPT-24P-M03)
MB3875/3877
(续)
高精密基准电压源: 4.2 V
±
0.8 %
支持频率设定使用外部电阻器
(频率设定电容器集成) :100千赫兹至500千赫兹
片上电流检测放大器具有广泛的同相输入电压范围: 0 V至V
CC
片待机电流功能: 0
A
(典型值)
片上软启动功能
内部图腾柱输出级支持P沟道MOS场效应管器件
s
引脚分配
( TOP VIEW )
INC2
: 1
IN3 : 2
FB2 : 3
OUTC2 : 4
VREF : 5
INE2
: 6
+INE2
: 7
+INE1
: 8
FB1 : 9
OUTC1 : 10
INE1
: 11
INC1
: 12
24 :
+INC2
23 : GND
22 : CS
21 : V
CC
(O)
20 : OUT
19 : VH
18 : V
CC
17 : RT
16 :
INE3
15 : FB3
14 : CTL
13 :
+INC1
(FPT-24P-M03)
2
MB3875/3877
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
符号
–INC2
IN3
FB2
OUTC2
VREF
–INE2
+INE2
+INE1
FB1
OUTC1
–INE1
–INC1
+INC1
CTL
FB3
–INE3
RT
V
CC
VH
OUT
V
CC
(O)
CS
GND
+INC2
I / O
I
I
O
O
O
I
I
I
O
O
I
I
I
I
O
I
O
O
I
说明
电流检测放大器(电流安培。 2 )输入引脚。
DC / DC输出电压(充电电压)输入引脚。
误差放大器(误差放大器。 2 )输出引脚。
电流检测放大器(电流安培。 2 )输出引脚。
参考电压输出引脚。
误差放大器(误差放大器2 )反相输入引脚。
误差放大器(误差放大器。 2)非反相输入。
误差放大器(误差放大器1)的非反相输入端子
误差放大器(误差放大器1 )输出引脚。
电流检测放大器(电流安培1 )输出引脚。
误差放大器(误差放大器1 )反相输入引脚。
电流检测放大器(电流安培。 1 )输入引脚。
电流检测放大器(电流安培。 1 )输入引脚。
电源控制引脚。
设置CTL引脚为低电平时, IC处于待机状态。
误差放大器(误差放大器。 3 )输出引脚。
误差放大器(误差放大器。 3 )反相输入引脚。
三角波振荡频率设定电阻连接引脚。
电源引脚的参考电源和控制电路。
电源引脚FET驱动电路( VH = Vcc的
5 V).
高侧FET栅极驱动引脚。
输出电路供电。
软启动电容器连接端子。
接地引脚。
电流检测放大器(电流安培。 2 )输入引脚。
3
MB3875/3877
s
框图
INE1
11
OUTC1
<Current Amp.1>
+
13
×
25
INC1
12
+INC1
+INE1
FB1
INE2
OUTC2
+INC2
8
9
6
4
10
<Error
Amp.1> VREF
+
<PWM
Comp.>
+
+
+
<Error
Amp.2> VREF
+
<OUT>
OUT
DRIVE
20
21
V
CC
(O)
<Current Amp.2>
+
24
×
25
INC2
1
+INE2
7
3
V
CC
偏压
19
(V
CC
5 V)
VH
<VH>
FB2
IN3
2
<UVLO>
V
CC
INE3
R1
16
<Error
Amp.3> VREF
+
+
R2
50 k
(V
CC
UVLO ) 215千欧
+
35 k
FB3
15
<SOFT>
VREF
1
A
VREF
(4.2 V)
0.91 V
(0.77 V)
VREF
ULVO
V
CC
CS
22
V
CC
18
CTL
2.5 V
1.5 V
<OSC>
( 45 pF的)
RT
17
BIAS
<REF>
<CTL>
14
VREF
5
GND
23
: MB3875 100千欧
MB3877 150千欧
4
MB3875/3877
s
绝对最大狂暴
参数
电源电压
输出电流
峰值输出电流
功耗
储存温度
符号
V
CC
I
OUT
I
OUT
P
D
TSTG
Ta
+25°C
条件
V
CC
,V
CC
(O)
5% (吨= 1 /女
OSC
×
值班)
等级
–55
最大
28
60
500
740*
+125
单位
V
mA
mA
mW
°C
*:该包装被安装在所述双面环氧板(10厘米
×
10厘米) 。
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
参考电压输出
当前
VH引脚输出电流
输入电压
CTL端子的输入电压
输出电流
峰值输出电流
振荡器频率
定时电阻
软启动电容
VH引脚电容
参考电压输出
电容
符号
V
CC
I
REF
I
VH
V
IN
V
INE
V
INC。
V
CTL
I
OUT
I
OUT
f
OSC
R
T
C
S
C
VH
C
REF
Ta
IN3
条件
V
CC
,V
CC
(O)
–INE1,–INE2,+INE1,+INE2
+INC1,+INC2,–INC1,–INC2,
5% (吨= 1 /女
OSC
×
值班)
价值
7
–1
0
0
0
0
0
–45
–450
100
33
–30
典型值
290
47
2200
0.1
0.1
+25
最大
25
0
30
17
V
CC
– 1.8
V
CC
25
45
450
500
130
100000
1.0
1.0
+85
单位
V
mA
mA
V
V
V
V
mA
mA
千赫
k
pF
F
F
°C
工作温度
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
富士通的代表事前。
5
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    联系人:杨小姐
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