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富士通半导体
数据表
DS04-27204-5E
ASSP
双极
开关稳压器
调节器
MB3775
低电压双PWM开关稳压控制器
该MB3775是双脉冲宽度调制控制电路。它包含所需的两路PWM的基本电路
控制电路。通过使用相同的振荡器输出波形得到的完全同步。
该IC可提供以下类型的输出电压:降压,加强和逆变器。功耗低,
因此MB3775是理想的高效率的便携式设备中使用。
特点
宽电源电压范围: 3.6 V至18 V
低电流消耗:2.1 mA典型
宽幅振荡频率范围: 1 kHz至500 kHz的
片上定时器锁存短路保护电路
片上欠压锁定保护
片上参考电压: 1.28 V
可变死区时间提供超过总营业范围控制。
两种类型的封装( SOP - 16PIN : 1类型, SSOP - 16PIN : 1型)
应用
液晶显示器/面板
监控摄像机
等等
版权所有 1994-2006富士通有限公司保留所有权利
MB3775
引脚分配
( TOP VIEW )
C
T
R
T
+IN1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
REF
SCP
+IN2
-
IN1
FB1
D.T.C.1
OUT1
E / GND
-
IN2
FB2
D.T.C.2
OUT2
V
CC
(FPT-16P-M06)
(FPT-16P-M05)
框图
9
V
REF
= 1.28 V
V
CC
1.9 V
1.3 V
+
1
2
16
参考
电压
2.5 V
三角形的
波形
出1
7
误差放大器1
3
4
5
12
14
13
+
PWM Comp.1
S.C.P.Comp 。
+
+
+
输出2
PWM比较例2
10
1.1 V
误差放大器2
+
2.5 V
15
1
A
S
R
R
1.28 V
0.9 V
0.9 V
LATCH
U.V.L.O.
+
+
D.T.C.Comp 。
GND
1.8 V
6
11
8
2
MB3775
操作说明
1.参考电压
参考电压电路产生一个稳定的温度补偿的2.5 V从Vcc端子参考
( 9引脚),用于通过内部电路中使用。
温度的基准电压补偿1/2 V
REF
可以用V来获得到外部电路
REF
终奌站
(引脚16 ) 。
2.振荡器
由一个外部电容器和电阻器连接到C获得的任何频率的三角波形
T
端(引脚1 )和R
T
端子(引脚2) 。
此波形的振幅是从1.3 V至1.9 V的振荡器在内部连接到非反相
的PWM比较器的输入。振荡器波形可在C-
T
端(引脚1 ) 。
3.误差放大器
误差放大器检测该开关稳压器的输出电压。
的共模输入电压范围是
0.2
V至1.45伏,所以输入的参考电压可以被设置在V
REF
端子(引脚16)和GND端子的水平。误差放大器可以被用作反相和非反相
放大器器。
电压增益是固定的。相位补偿可通过一电容器连接到FB端子(销
5和12的误差放大器) 。
误差放大器的输出在内部连接到在PWM比较器的反相输入端,并以
所述短路保护电路。
4.定时锁存短路保护电路
定时器锁存短路保护电路检测到的误差放大器的输出电平。如果一个或两个误差放大器
输出是1.1伏或更低时,定时器电路开始充电的外部连接的保护使电容器。
如果误差放大器的输出电平的电容器电压之前不会低于在正常电压范围
到达晶体管基极 - 发射极电压V
BE
(0.65 V)时,闩锁电路导通,输出驱动晶体管截止
并设置死区时间为100%。
5.欠压锁定保护电路
在上电或在电源线的瞬时波动暧昧过渡状态可能导致的损失
控制和可能产生不利影响,甚至破坏系统。欠压锁定保护电路的COM
剥与电源电压电平的内部参考电压电平。如果电源电压电平低于
参考电平闩锁电路被复位,输出驱动器晶体管关断,死区时间被设定为100% 。
保护使能端(引脚15 )变为“低” 。
6, PWM比较器
每个PWM比较器有两个反相输入端和一个非反相输入端。此电压 - 脉宽CON-
换器,根据输入电压控制输出脉冲宽度。
PWM比较器导通时,振荡器的三角波形是高于所述输出驱动器晶体管
误差放大器的输出和所述死区时间控制终端电压。
7.输出驱动晶体管
集电极开路输出驱动晶体管提供18 V的介电能力共发射极输出。该
输出驱动晶体管可提供高达驱动电流为50 mA的开关功率晶体管。
3
MB3775
绝对最大额定值
参数
电源电压
误差放大器的输入电压
集电极输出电压
集电极输出电流
功耗
工作环境温度
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
P
D
Ta
T
英镑
条件
Ta
≤ +25 ° C( SOP )
Ta
≤ +25 ° C( SSOP )
等级
0.3
30
55
最大
20
+10
20
75
*620
*430
+85
+125
单位
V
V
V
mA
mW
mW
°C
°C
*:该封装被安装在环氧树脂板(4厘米× 4厘米×1.5毫米)。
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
推荐工作条件
参数
电源电压
误差放大器的输入电压
集电极输出电压
集电极输出电流
相位补偿电容
定时电容
定时电阻
振荡器频率
参考电压输出电流
工作环境温度
符号
V
CC
V
I
V
O
I
O
C
P
C
T
R
T
f
OSC
I
REF
Ta
价值
3.6
0.2
0.3
150
5.1
1
3
30
典型值
6.0
0.1
1
+25
最大
18
+1.45
18
50
15000
100
500
+85
单位
V
V
V
mA
F
pF
k
千赫
mA
°C
警告:在推荐的工作条件是必需的,以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时,该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
富士通的代表事前。
4
MB3775
电气特性
( TA = 25
°C,
V
CC
= 6 V)
参数
输出电压
输出温度。稳定性
参考
部分
INPUT稳定性
负载稳定度
条件
I
OR
=
1
mA
T
a
=
30 °C
+85
°C
V
CC
= 3.6 V至18 V
I
OR
=
0.1
mA至
1
mA
符号
V
REF
V
RTC
LINE
负载
I
OS
V
tH
V
tL
V
HYS
V
R
V
TPC
V
机顶盒
V
I
引脚5 ,引脚12
C
T
= 330 pF的,R
T
= 15 k
C
T
= 330 pF的,R
T
= 15 k
T
a
=
30 °C
+85
°C
占空比= 0 %
占空比= 100 %
V
dt
= 0.7 V
IDT =
40 A
I
BPC
V
tC
f
OSC
f
开发
f
dV
f
dT
V
t0
V
t100
I
BDT
I
dt
VDT
价值
1.26
2
80
1.5
0.60
1.4
4
0.2
V
REF
0.1
典型值
1.28
±0.2
2
1
–30
2.72
2.60
120
1.9
0.65
50
50
1.0
1.1
200
10
1
1.0
0.4
0.2
150
最大
1.30
+2
10
7.5
–10
0.7
100
100
0.6
+4
V
REF
0.15
–1
80
单位
V
%
mV
mV
mA
V
V
mV
V
V
mV
mV
A
V
千赫
%
%
%
V
V
A
A
V
短路输出电流
V
REF
= 0 V
租金
电压
封锁
保护
部分
阈值电压
滞后幅度
复位电压(V
CC
)
输入阈值电压
输入待机电压
保护
电路
部分
输入电压闭锁
输入电源电流
比较器的阈值
电压
三角形的
波形
振荡器
部分
振荡器频率
频率偏差
频率稳定度(T
a
)
输入阈值电压
(f
OSC
= 10千赫)
死区时间
控制
部分
输入偏置电流
锁存模式电流源
租金
闩锁输入电压
无拉涨
无拉涨
I
OR
=
0.1
mA
I
OR
=
0.1
mA
I
OR
=
0.1
mA
频率稳定度(V
CC
) V
CC
= 3.6 V至18 V
(续)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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