富士通半导体
数据表
DS04-21356-3E
ASSP
双串行输入
PLL频率合成器
MB15F02SL
s
描述
富士通MB15F02SL是一个串行输入锁相环（ PLL）频率合成器具有1200 MHz和一
500 MHz的预分频器。 1200 MHz和500 MHz的预分频器有一百二十九分之一百二十八双模分频比或
64/65 ，和一个8/9或16/17启动脉冲吞咽动作。
电源电压范围为2.4 V至3.6 V的MB15F02SL采用了最新的BiCMOS工艺。其结果，
电源电流典型值为3 mA的2.7 V的精致电荷泵提供1.5均衡的输出电流
mA或6毫安。电荷泵电流是由串行数据进行选择。
MB15F02SL非常适合用于无线移动通信，诸如GSM和PDC 。
s
特点
高工作频率： RF合成器：1200兆赫最大
IF合成器： 500 MHz的最大
低电源电压： V
CC
= 2.4 3.6 V
超低电源电流：I
CC
= 3.0毫安（典型值） 。 （V
CC
= 2.7 V ，TA = + 25 ° C，在IF ， RF锁定状态）
I
CC
= 3.5毫安（典型值） 。 （V
CC
= 3.0 V， TA = + 25 ° C，在IF ， RF锁定状态）
直接省电功能：在省电模式下电源电流
（典型值） 。 0.1
A
(V
CC
= 3.0 V， TA = + 25 ° C） ，最大。 10
A
(V
CC
= 3.0 V)
双模预分频器：1200兆赫预分频器（ 64/65 ，一百二十九分之一百二十八） / 500 MHz的预分频器（ 8/9或16/17 ）
串行输入14位可编程参考分频器R = 3 16,383
串行输入可编程分频器包括：
- 二进制7位吞计数器： 0 127
- 二进制11位可编程计数器： 3至2,047
软件可选的电荷泵电流
片上进行相位比较器相位控制
工作温度： TA = -40至+ 85°C
引脚与MB15F02 ， MB15F02L兼容
s
套餐
16引脚塑封SSOP
16片塑胶BCC
(FPT-16P-M05)
(LCC-16P-M04)
MB15F02SL
s
引脚说明
PIN号
SSOP - 16 BCC- 16
1
2
3
4
5
16
1
2
3
4
针
名字
GND
RF
OSC
IN
GND
IF
鳍
IF
V
CCIF
I / O
–
I
–
I
–
地面RF- PLL部分。
可编程参考分频器输入。 TCXO的应接
用交流耦合电容。
地为IF- PLL部分。
预分频器输入引脚的IF -PLL 。
连接到外部VCO应经由AC耦合。
电源电压输入引脚IF- PLL部分。
锁定检测信号输出（ LD ） /相位比较器监测
输出（ FOUT ） 。
输出信号通过LDS位以串行数据。
LDS位= “ H” ;输出信号FOUT
LDS位= “ L” ; LD的输出信号
功率节省模式控制为对IF- PLL部分。该引脚必须设置
在上电过程中的“L” 。 （打开被禁止的。 ）
PS
IF
变为“H” ;普通模式
PS
IF
变为“L” ;省电模式
电荷泵输出的IF PLL部分。
可通过被选择的相位检测器的相位特性的
在FC-位的编程。
电荷泵输出的RF- PLL部分。
可通过被选择的相位检测器的相位特性的
在FC-位的编程。
功率节省模式控制用于RF - PLL部分。该引脚必须设置
在上电过程中的“L” 。 （打开被禁止的。 ）
PS
RF
变为“H” ;普通模式
PS
RF
变为“L” ;省电模式
预分频器的互补输入的RF - PLL部分。
该引脚应通过一个电容接地。
电源电压输入端子与RF - PLL部分，该移位寄存器
和振荡器的输入缓冲器。当电源关闭，锁定的RF- PLL数据
将丢失。
预分频器输入引脚的RF -PLL 。
连接到外部VCO应经由AC耦合。
负载使能信号inpunt （带施密特触发器输入缓冲器。 ）
当LE的位被置为“H” ，在移位寄存器中的数据传送到所述
根据在所述串行数据中的控制位的对应锁存器中。
串行数据输入（带施密特触发器输入缓冲器。 ）
数据传送到相应的锁存器（IF-参考计数器的IF-编。
计数器， RF -REF 。计数器， RF- PROG。根据在控制位计数器）
该串行数据。
时钟输入23位的移位寄存器（带施密特触发器输入缓冲器。 ）
一位数据移入移位寄存器在时钟的上升沿。
说明
6
5
LD / FOUT
O
7
6
PS
IF
I
8
7
Do
IF
O
9
8
Do
RF
O
10
9
PS
RF
I
11
12
13
14
10
11
12
13
Xfin
RF
V
负责任渔业行为守则
鳍
RF
LE
I
–
I
I
15
14
数据
I
16
15
时钟
I
3
MB15F02SL
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
储存温度
符号
V
CC
V
I
V
O
TSTG
等级
分钟。
–0.5
–0.5
GND
–55
马克斯。
+4.0
V
CC
+0.5
V
CC
+125
单位
V
V
V
°C
备注
警告：在半导体器件上的应用应力（电压，电流可能会损坏，
温度等）超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
电源电压
输入电压
工作温度
符号
V
CC
V
I
Ta
价值
分钟。
2.4
GND
–40
典型值。
3.0
–
–
马克斯。
3.6
V
CC
+85
单位
V
V
°C
备注
警告：在推荐的工作条件是必需的，以保证正常运行
半导体器件。所有器件的电气特性均可得到保证时，该设备是
在这些范围内进行操作。
总是用自己的推荐工作条件范围内的半导体器件。手术
超出这些范围的可能不利地影响可靠性，并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途，工作条件，或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用，应联系其
富士通的代表事前。
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