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富士通半导体
数据表
DS04-21349-1E
ASSP
单串行输入
PLL频率合成器
片内分频器
MB15C03
s
描述
富士通MB15C03是一个串行输入锁相环( PLL)频率合成器具有预分频器。 64 /
65师可以使脉冲燕子操作预分频器。
此操作具有1.0伏的电源电压(最小值) 。
MB15C03是适用于移动通信,例如寻呼系统。
s
特点
操作频率
独立的电源:
90兆赫@V
DD
= 1.0 1.5V
120 MHz的@V
DD
= 1.2 1.5V
V
DD
= 1.0 1.5V(对整个系统)
V
P
= 2.0V至3.5V (对于一个电荷泵)
省电功能
脉冲吞咽功能: 64/65
串行输入14位可编程参考分频器: R = 5 16,383
串行输入18位可编程分频器包括:
- 二进制6位吞计数器: 0 63
- 二进制12位可编程计数器: 5至4,095
宽工作温度:钽= -20到+ 60°C
塑料16 -pin SSOP封装( FPT - 16P - M05 )
s
16引脚塑料SSOP
(FPT-16P-M05)
该器件包含电路,以防止损伤的投入,由于高静电压或electroc网络的视场。但是,它是表示,正常的预防措施
要注意避免应用超过最大额定电压至该高阻抗电路更高的任何电压。
MB15C03
s
引脚分配
V
DD
时钟
数据
LE
PS
LD
D
O
1
2
3
4
16
15
14
V
SS
OSC
IN
OSC
OUT
TEST
FC
f
p
f
r
V
P
TOP 13
意见
5
12
6
7
8
11
10
9
2
MB15C03
s
引脚说明
PIN号
1
2
3
4
名字
V
DD
时钟
数据
LE
I / O
I
I
I
系统
1V
1V
1V
1V
电源电压
时钟输入移位寄存器。
数据被移入移位寄存器在时钟的上升沿。
使用二进制代码的串行数据输入。
负载使能信号输入
LE为高电平时,在移位寄存器中的数据传送到一个锁存器,
根据在串行数据中的控制位。
预分频器输入。
偏置电路和放大器的输入端端口。与外部连接
压控振荡器应该由AC耦合来完成。
省电模式的控制。该引脚必须设置为“L”上电时。
PS变为“H” ;普通模式
PS = “L” ;省电模式
锁定检测信号输出。
当PLL被锁定, LD输出“H” 。
当PLL没有锁定, LD输出“L” 。
电荷泵的输出。
电荷泵的相位可以通过FC的输入扭转。对D
O
产量
可以通过FC输入反相。该programm-之间的关系
可以参考分频器输出( FR)和可编程分频器输出(F
p
)
如下所示;
f
r
& GT ; F
p
“ H”电平(FC = “L”) , “ L”电平(FC = “H”)
f
r
= f
p
:高阻
f
r
& LT ; F
p
“ L”电平(FC = “L”) , “ H”电平(FC = “H”)
电源为电荷泵。
可编程参考计数器输出(F
r
)监测引脚。
可编程计数器输出(F
p
)监测引脚。
相位比较器的输入选择引脚。
测试模式选择引脚。 (下拉电阻)
设置该引脚为“ H” ,测试模式变为可用。请将此引脚
接地或打开一般。
振荡器输出。
用于连接外部晶振。
可编程参考分频器输入。
振荡器输入。
时钟可以被输入到OSC
IN
从外部。在这种情况下,请留下
OSC
OUT
引脚开路,并与OSC连接
IN
为交流耦合。
地面上。
说明
5
I
1V
6
PS
I
1V
7
LD
O
1V
8
D
O
O
3V
9
10
11
12
13
14
V
P
f
r
f
p
FC
TEST
OSC
OUT
O
O
I
I
O
3V
1V
1V
1V
1V
1V
15
16
OSC
IN
V
SS
I
1V
3
MB15C03
s
框图
V
DD
1
可编程
参考分频器
二进制的14位
参考计数器
水晶
振荡器
电路
f
r
16
V
SS
15
OSC
IN
断断续续的
模式控制
电路
14
OSC
OUT
14
f
r
14位锁存器
时钟
2
13
TEST
比较
f
p
12
FC
14
11
f
p
数据
3
控制
注册
18位移位寄存器
10
f
r
18
LE
4
18位锁存器
6
12
5
PS
6
预分频器
二进制6位
计数器
二进制的12位
可编
BLE计数器
f
p
收费
9
V
P
LD
7
锁定探测器
控制电路
Do
8
4
MB15C03
s
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入电压
输出电压
输出电流
工作温度
储存温度
符号
V
DD
V
P
V
IN
V
OUT
V
OUTP
I
OUT
Ta
T
英镑
等级
分钟。
GND -0.5
GND -0.5
GND -0.5
GND -0.5
GND -0.5
–10
–20
–40
马克斯。
+2.0
+5.0
V
DD
+0.5
V
DD
+0.5
V
P
+0.5
+10
+60
+125
单位
V
V
V
V
V
mA
°C
°C
备注
警告:在半导体器件上的应用应力(电压,电流可能会损坏,
温度等)超过绝对最大额定值。不要超过这些额定值。
s
推荐工作条件
参数
符号
V
DD
V
P
输入电压
工作温度
V
IN
Ta
价值
分钟。
1.0
1.2
2.0
GND
–20
典型值。
马克斯。
1.5
1.5
3.5
V
DD
+60
单位
V
V
V
°C
备注
对于90 MHz的
对于120 MHz的
电源电压
警告:建议的工作条件是对半导体器件的正常工作范围。所有
在这些范围内操作该设备的电气特性是必要的。
始终使用内推荐的工作条件的半导体器件。操作之外
这些范围可能不利地影响可靠性,并可能导致设备故障。
无担保是由相对于用途,工作条件,或组合不派代表参加
数据表。用户在未记载条件下使用,应联系其
富士通代表事前。
HandIing注意事项
本设备应在防静电容器运输和存储。
这是对静电敏感的设备;采取适当的防静电的预防措施。确保人员和设备
正确接地。覆盖工作台与接地导电垫。
插入或从插槽中删除该设备之前,请务必关闭电源关闭。
搬运或运输印刷电路板用的设备时保护导线与导电片材。
5
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