ESD二极管
MAZW000H系列
硅平面型
单位：mm
对于浪涌吸收电路
■
特点
两个元素阳极普通型
SSS迷你型3 -pin封装
0.33
+0.05
–0.02
3
0.10
+0.05
–0.02
(0.40) (0.40)
0.80
±0.05
1.20
±0.05
5
0.15分钟。
0.23
+0.05
–0.02
1
2
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
总功耗
*
结温
储存温度
符号
P
合计
T
j
T
英镑
等级
150
150
55
to
+150
单位
mW
°C
°C
0-0.01
0.52
±0.03
5
注） * ：P
合计
= 150毫瓦与印刷电路板来实现。
1 ：阴极1
2 ：阴极2
3 ：阳极1,2
SSSMini3 -F1套餐
内部连接电路
3
1
2
■
通用电气特性
T
a
= 25°C
±
3°C
参数
齐纳电压
*
齐纳升经营性
齐纳营业性
反向电流
符号
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
条件
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
参阅的列表
电气特性
部件号内
民
典型值
最大
单位
V
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法二极管。
2.静电击穿电压为
±10
kV
测试方法： IEC1000-4-2 （C
=
150 pF的，R
=
330
,
接触放电： 10次）
3. * ：温度必须控制在25 ℃的V
Z
测宽。
V
Z
在其它温度测量值必须被调整到V
Z
(25°C)
V
Z
电流经过guaranted 20毫秒。
0.15最大。
0.15分钟。
0.80
±0.05
1.20
±0.05
出版日期： 2003年6月30日
SKE00019AED
1
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