ESD二极管
MAZMxxxH系列
硅平面型
1.60
±0.05
单位：mm
0.55
±0.05
对于浪涌吸收电路
1.60
±0.05
1.20
±0.05
1.00
±0.05
5
4
1.20
±0.05
1.60
±0.05
■
特点
四个要素阳极普通型
功耗P
D
： 150毫瓦
1
2
3
5°
0.10
±0.03
0.20
±0.05
功耗
*
结温
储存温度
P
D
T
j
T
英镑
150
150
55
to
+150
mW
°C
°C
注） * ：P
D
= 150毫瓦与印刷电路板来实现。
1 ：阴极1
4 ： 3阴极
2 ：阳极1，2， 3，4 5 ：阴极4
3 ：阴极2
SSMini5 -F1套餐
内部连接电路
5
4
1
0
0.01
参数
符号
等级
单位
2
3
■
通用电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
齐纳电压
*
齐纳升经营性
齐纳营业性
反向电流
符号
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
条件
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
参阅的列表
电气特性
部件号内
民
典型值
最大
单位
V
A
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法二极管。
2.静电击穿电压为
±10
kV
测试方法： IEC1000-4-2 （C
=
150 pF的，R
=
330
,
接触放电： 10次）
3. * ：温度必须控制在25 ℃的V
Z
测宽。
V
Z
在其它温度测量值必须被调整到V
Z
(25°C)
V
Z
电流经过guaranted 20毫秒。
(0.15)
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
5°
出版日期： 2004年11月
SKE00021AED
1
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并在此材料中描述的半导体
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特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
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体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
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修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
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和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
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2003年九月
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