【ESD二极管MAZMxxxH系列硅平面型1.60±0.05单位：mm0.55±0.05对于浪涌吸收电】,IC型号MAZM068H,MAZM068H PDF资料,MAZM068H经销商,ic,电子元器件-51电子网

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ESD二极管

MAZMxxxH系列

硅平面型

1.60

±0.05

单位：mm

0.55

±0.05

对于浪涌吸收电路

1.60

±0.05

1.20

±0.05

1.00

±0.05

5

4

1.20

±0.05

1.60

±0.05

■

特点

四个要素阳极普通型

功耗P

D

： 150毫瓦

1

2

3

5°

0.10

±0.03

0.20

±0.05

功耗

*

结温

储存温度

P

D

T

j

T

英镑

150

150

55

to

+150

mW

°C

°C

注） * ：P

D

= 150毫瓦与印刷电路板来实现。

1 ：阴极1

4 ： 3阴极

2 ：阳极1，2， 3，4 5 ：阴极4

3 ：阴极2

SSMini5 -F1套餐

内部连接电路

5

4

1

0

0.01

参数

符号

等级

单位

2

3

■

通用电气特性

T

a

=

25°C

±

3°C

参数

齐纳电压

*

齐纳升经营性

齐纳营业性

反向电流

符号

V

Z

R

ZK

R

Z

I

R

I

Z

I

Z

I

Z

V

R

条件

特定网络ED值

特定网络ED值

特定网络ED值

特定网络ED值

参阅的列表

电气特性

部件号内

民

典型值

最大

单位

V

A

注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法二极管。

2.静电击穿电压为

±10

kV

测试方法： IEC1000-4-2 （C

=

150 pF的，R

=

330

,

接触放电： 10次）

3. * ：温度必须控制在25 ℃的V

Z

测宽。

V

Z

在其它温度测量值必须被调整到V

Z

(25°C)

V

Z

电流经过guaranted 20毫秒。

(0.15)

■

绝对最大额定值

T

a

=

25°C

5°

出版日期： 2004年11月

SKE00021AED

1

MAZMxxxH系列

■

零件号内的电气特性

T

a

= 25°C

±

3°C

齐纳电压

产品型号

民

MAZM062H

MAZM068H

MAZM082H

MAZM100H

MAZM120H

5.8

6.4

7.7

9.4

11.4

V

Z

(V)

喃

6.2

6.8

8.2

10.0

12.0

最大

6.6

7.2

8.7

10.6

12.7

I

Z

（MA ）

5

5

5

5

5

齐纳稳压崛起

反向电流

运行运行

（DC）的

电阻阻值

I

R

(A)

R

Z

() R

ZK

()

V

R

I

Z

=

5毫安我

Z

=

0.5毫安

最大

(V)

最大

最大

0.2

0.1

0.1

0.05

0.05

4

4

5

7

9

50

30

30

30

30

100

60

60

60

80

标记符号

6.2Z

6.8Z

8.2Z

10Z

12Z

P

D

T

a

250

10 mm 10 mm

0.8 mm

铜箔

t

=

0.035 mm

10

2

T

a

=

25°C

I

Z

V

Z

10

2

T

a

=

25°C

I

F

V

F

功耗P

D

（ mW）的

200

10

150

1

正向电流I

F

（MA ）

齐纳电流I

Z

（MA ）

10

1

100

10

1

MAZM062H

MAZM068H

MAZM082H

MAZM100H

MAZM120H

10

1

50

10

2

0

0

50

100

150

200

250

10

3

10

2

4

6

8

10

12

14

0

0.4

0.8

1.2

环境温度T

a

(

°C

)

齐纳电压V

Z

(V)

正向电压V

F

(V)

R

Z

I

Z

T

a

=

25°C

MAZM062H

MAZM120H

10

MAZM100H

MAZM082H

MAZM068H

S

Z

I

Z

齐纳电压的S温度系数

Z

（MV /

°C

)

12

T

a

=

25 ℃150 ℃的

MAZM120H

C

t

V

R

30

T

a

=

25°C

10

2

齐纳二极管的工作电阻R

Z

(

)

10

8

终端电容C

t

（PF ）

MAZM100H

20

MAZM068H

6

MAZM082H

1

4

MAZM068H

10

MAZM062H

MAZM082H

MAZM100H

MAZM120H

2

MAZM062H

10

1

1

10

10

2

0

0

10

20

30

40

50

60

0

0

4

8

12

齐纳电流I

Z

（MA ）

齐纳电流I

Z

（MA ）

反向电压V

R

(V)

2

SKE00021AED

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的

下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息

外贸Law"是要出口或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和

该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权

或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。

（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任

在本材料中描述的信息。

（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-

TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户

持设备）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-

化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性

必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类

体。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知

修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，

因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范

系统蒸发散满足您的要求。

（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的

荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会

对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价

分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施

作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止

物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。

（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命

和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独

交换。

（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面

松下电器产业株式会社许可

2003年九月

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！

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联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

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全新原装现货，原厂代理。

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联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

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21+

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