ESD二极管
MAZ9xxxH系列
硅平面型
单位:mm
对于浪涌吸收电路
■
特点
两个元素阳极普通型
功耗P
D
: 200毫瓦
1
0.40
+0.10
–0.05
3
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
0.16
+0.10
–0.06
2
(0.65)
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
功耗
*
结温
储存温度
符号
P
D
T
j
T
英镑
等级
200
150
55
to
+150
单位
mW
°C
°C
1.1
+0.2
–0.1
0-0.1
1.1
+0.3
–0.1
注) * :P
D
= 200毫瓦与印刷电路板来实现。
EIAJ : SC- 59
1 :阴极1
2 :阴极2
3 :阳极
Mini3 -G1封装
内部连接
3
1
2
■
通用电气特性
T
a
=
25°C
± 3°C
参数
齐纳电压
*
齐纳升经营性
齐纳营业性
反向电流
符号
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
I
Z
I
Z
I
Z
V
R
条件
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
特定网络ED值
参阅的列表
电气特性
部件号内
民
典型值
最大
单位
V
A
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2.静电击穿电压:
±10
kV
测试方法: IEC1000-4-2 (C
=
150 pF的,R
=
330
,
接触放电: 10次)
3. * :温度必须控制在25 ℃的V
Z
测宽。
V
Z
在其它温度测量值必须被调整到V
Z
(25°C)
V
Z
电流经过guaranted 20毫秒。
0.4
±0.2
5
出版日期: 2004年3月
SKE00008CED
1
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2003年九月