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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第568页 > MAX9995ETX
19-3383 ;冯0 ; 8/04
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
概述
在MAX9995双通道，高线性度，下变频
混频器提供6.1分贝增益， + 25.6dBm IIP3和9.8分贝
NF的UMTS / WCDMA ，DCS和PCS基站
应用程序。该MAX9995理想用于低端LO
注入。 （对于一个混频器变种高端优化
LO注入，与工厂联系。 ）
该器件集成了RF巴伦和LO端口，
双输入LO选择开关， LO缓冲器， 2双
平衡混频器，和一对差分IF输出扩增
fiers 。在MAX9995需要典型值为0dBm的LO驱动
并供给电流保证低于380mA 。
这些器件采用紧凑的36引脚薄型
QFN封装（6mm
×
6mm），带有裸焊盘。
保证电气性能在扩展
温度范围内，从T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。
特点
1700MHz至2200MHz RF频率范围
1400MHz至2000MHz的LO频率范围
(MAX9995)
1900MHz至2400MHz的LO频率范围
（联系工厂）
40MHz至350MHz的IF频率范围
6.1分贝转换增益
+ 25.6dBm输入IP3
9.8分贝噪声系数
66dBc 2RF - 2LO杂散抑制
P
RF
= -10dBm
双通道理想用于分集接收机
应用
集成LO缓冲器
集成RF和LO非平衡变压器支持单端
输入
-3dBm至+ 3dBm的LO驱动
内置SPDT LO开关，具有50dB LO1 ， LO2
隔离和开关时间为50ns
44分贝通道至通道隔离
MAX9995
应用
UMTS / WCDMA和
cdma2000
3G基站
站
DCS1800和EDGE
基站
PCS1900和EDGE
基站
PHS / PAS基站
固定宽带
无线接入
无线本地环路
专用移动无线电
军事系统
引脚配置/
工作原理图
33 IFM +
订购信息
部分
温度范围
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
36薄型QFN -EP *
36薄型QFN -EP *
无铅，散装
36薄型QFN -EP *
无铅， T / R
MAX9995ETX
MAX9995ETX-T
T
C
** = -40 ° C至+ 85°C 36薄型QFN -EP *
顶视图
36 V
CC
29 LO_ADJ_M
31 IND_EXTM
35 IFM_SET
32 IFM-
34 GND
北卡罗来纳州28
30 V
CC
RFMAIN
TAPMAIN
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
TAPDIV
RFDIV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
裸露
桨
27
LO2
GND
MAX9995ETX+D
MAX9995ETX+TD
MAX9995
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
GND
LOSEL
GND
V
CC
GND
LO1
* EP
=裸焊盘。
**T
C
=外壳温度。
10
11
12
13
14
15
16
17
LO_ADJ_D
IND_EXTD
IFD_SET
GND
IFD +
采用6mm x 6mm的薄型QFN （裸露焊盘）
裸露焊盘在包装的底部
北卡罗来纳州
IFD-
V
CC
V
CC
18
CDMA2000是电信公司的注册商标。
行业协会。
1
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
绝对最大额定值
V
CC
.................................................. ......................- 0.3V至+ 5.5V
LO1 ， LO2到GND ............................................. .................. ± 0.3V
IFM_ ， IFD_ ， IFM_SET ， IFD_SET ， LOSEL ，
LO_ADJ_M ， LO_ADJ_D到GND .............- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFMAIN ， RFDIV和LO_输入电源.......................... + 20dBm的
RFMAIN ， RFDIV电流（ RF是直流短路到GND之间
平衡不平衡转换器） ................................................ .................................. 50毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
36引脚薄型QFN （减免26MW /°C的
高于+ 70 ° C） ............................................ ................. 2100mW
θ
JA
.................................................................................+38°C/W
θ
JC
................................................................................+7.4°C/W
工作温度范围（注一）牛逼....
C
= -40 ° C至+ 85°C
最高结温范围.......................... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
注一：
T
C
是在封装的裸焊盘的温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
（典型
应用电路，
没有输入RF或LO信号的应用，V
CC
= 4.75V至5.25V ，T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
符号
V
CC
总电源电流
V
CC
（引脚16 ）
电源电流
I
CC
V
CC
（引脚30 ）
IFM + / IFM- （共两个）
IFD + / IFD- （共两个）
LOSEL输入高电压
LOSEL输入低电压
LOSEL输入电流
V
IH
V
IL
I
IL
我
IH
-10
2
0.8
+10
条件
民
4.75
典型值
5
332
82
97
70
70
最大
5.25
380
90
110
90
90
V
V
A
mA
单位
V
AC电气特性
（典型
应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，女
RF
=
1700MHz至2200MHz ，女
LO
= 1400MHz至2000MHz的，女
IF
=为200MHz ，使用f
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
=
5.0V ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1700MHz的，女
IF
= 200MHz的，和T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）（注1,2 ）
参数
RF频率
LO频率
符号
f
RF
f
LO
（注7 ）
（注7 ）
（请与工厂联系） （注7 ）
会议RF和LO频率范围;
IF匹配元件影响IF
频率范围（注7 ）
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
转换增益
G
C
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
条件
民
1700
1400
1900
40
典型值
最大
2200
2000
2400
350
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
IF频率
f
IF
6
6.2
6.1
dB
2
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
AC电气特性（续）
（典型
应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，女
RF
=
1700MHz至2200MHz ，女
LO
= 1400MHz至2000MHz的，女
IF
=为200MHz ，使用f
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
=
5.0V ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1700MHz的，女
IF
= 200MHz的，和T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）（注1,2 ）
参数
符号
V
CC
= 5.0V,
T
C
= +25°C,
P
LO
=为0dBm ，
P
RF
= -10dBm
（注3）
条件
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
民
典型值
±0.5
±0.5
±0.5
±0.75
NF
没有阻滞剂
现
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
噪声系数（用拦截器）
输入1dB压缩点
输入三阶截取点
2RF - 2LO杂散抑制
P
1dB
IIP3
2x2
8dBm的拦截语气适用于RF端口处
2000MHz的，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1710MHz ，
P
LO
= -3dBm
（注3）
（注3,4）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1800MHz的（注3）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1766.7MHz （注3）
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
RF
= 1700MHz至2200MHz ，女
IF
= 200MHz的
P
LO1
=为0dBm ，P
LO2
=为0dBm （注5 ）
P
RF
= -10dBm ， RFMAIN （ RFDIV ）
功率在IFDIV （ IFMAIN ）测定
相对于IFMAIN （ IFDIV ）
终止于50Ω所有未使用的部分
LOSEL到中频的50％在2°以内结算到
选择LO端口
LO端口未被选择
LO驱动为0dBm ， RF终端匹配50Ω
40
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
70
60
9.5
23
9.7
9.8
9.9
22
12.6
25.6
66
dBc的
61
88
dBc的
78
-29
-17
-25
37
50.5
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
最大
±1
±1
±1
dB
dB
单位
MAX9995
增益变化的名义
增益随温度的变化
噪声系数
3RF - 3LO支线拒绝
最大的LO泄漏的RF端口
最大2LO泄漏RF端口
最大的LO泄漏IF端口
最小的RF至IF隔离
LO1 ， LO2隔离
最小的通道至通道
隔离
LO开关时间
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
3x3
40
44
dB
50
14
18
21
21
ns
dB
dB
dB
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
通过设计和特性保证。
所有的限制反映了外部元件的损失。输出测量采取的IF输出
典型应用电路。
生产测试。
两个音3MHz的间距，每个音-5dBm在RF端口。
测得的IF频率IF端口。 F
LO1
和f
LO2
由1MHz的偏移。
中频回波损耗可通过外部匹配元件进行优化。
该频带以外的操作是可能的，但还没有被表征。见
典型工作特性。
_______________________________________________________________________________________
3
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
典型工作特性
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
转换增益与RF频率
MAX9995 TOC01
转换增益与RF频率
MAX9995 toc02
转换增益与RF频率
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
V
CC
= 5.25V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc03
8.0
7.5
7.0
转换增益（dB ）
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
1700
1800
1900
2000
2100
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
6.5
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
P
LO
= -3dBm至+ 3dBm的
6.5
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc04
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc05
输入IP3主场迎战RF频率
V
CC
= 5.25V
MAX9995 toc06
26.8
T
C
= +85°C
26.4
26.0
IIP3 （ dBm的）
26.6
26.4
26.2
IIP3 （ dBm的）
26.0
25.8
25.6
P
LO
= -3dBm
25.4
25.2
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
27.0
26.6
26.2
IIP3 （ dBm的）
25.8
25.4
25.0
24.6
25.6
T
C
= -20°C
25.2
24.8
24.4
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
T
C
= +25°C
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.0V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc07
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc08
2RF - 2LO与基频
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
V
CC
= 5.25V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc09
75
70
65
2RF - 2LO （ DBC）
60
55
50
45
40
35
30
P
RF
= -5dBm
66
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
= -3dBm
66
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
4
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
典型工作特性（续）
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc10
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc11
3RF - 3LO与基频
86
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.25V
P
RF
= -5dBm
V
CC
= 5.0V
MAX9995 toc12
90
88
86
3RF - 3LO （ DBC）
84
82
80
78
76
74
72
70
P
RF
= -5dBm
T
C
= -20°C
T
C
= +25°C
88
P
RF
= -5dBm
86
P
LO
= -3dBm
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
=为0dBm
88
T
C
= +85°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
输入P
1dB
与RF频率
MAX9995 toc13
输入P
1dB
与RF频率
MAX9995 toc14
输入P
1dB
与RF频率
14.2
14.0
13.8
P
1dB
（ dBm的）
13.6
13.4
13.2
13.0
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.25V
MAX9995 toc15
14.4
T
C
= +25°C
14.0
T
C
= +85°C
13.8
13.7
13.6
13.5
P
LO
= -3dBm
P
1dB
（ dBm的）
P
LO
=为0dBm
14.4
P
1dB
（ dBm的）
13.6
13.4
13.3
13.2
13.2
12.8
T
C
= -20°C
12.4
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
13.1
13.0
12.9
1700
1800
1900
P
LO
= + 3dBm的
12.8
12.6
12.4
V
CC
= 4.75V
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
LO隔离开关与LO频率
MAX9995 toc16
LO隔离开关与LO频率
MAX9995 toc17
LO隔离开关与LO频率
V
CC
= 4.75V至5.25V
MAX9995 toc18
55
54
53
隔离度（dB ）
52
51
50
49
48
47
46
45
1400
1500
1600
1700
1800
1900
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
54
53
P
LO
= -3dBm
52
隔离度（dB ）
P
LO
=为0dBm
51
P
LO
= + 3dBm的
50
49
48
47
54
53
52
隔离度（dB ）
51
50
49
48
47
2000
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
_______________________________________________________________________________________
5
19-3383 ;转1 ; 3/11
IT
TION
VALUA
E
BLE
AVAILA
双通道，SiGe ，高线性度，1700MHz至2700MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
概述
在MAX9995双通道，高线性度，下变频
混频器提供6.1分贝增益， + 25.6dBm IIP3和9.8分贝
NF用于WCDMA ，TD-SCDMA ， LTE，TD - LTE中，并
GSM / EDGE基站应用。
该器件集成了RF巴伦和LO端口，
双输入LO选择开关， LO缓冲器， 2双
平衡混频器，和一对差分IF输出扩增
fiers 。在MAX9995需要典型值为0dBm的LO驱动
并供给电流保证低于380mA 。
这些器件采用紧凑的36引脚TQFN
封装（6mm
×
6毫米） ，带有裸焊盘。电动
性能在扩展温度
TURE范围内，从T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。
特点
o
度，1700MHz至2700MHz RF频率范围
o
1400MHz至2600MHz的LO频率范围
o
40MHz至350MHz的IF频率范围
6.1分贝转换增益
+ 25.6dBm输入IP3
9.8分贝噪声系数
66dBc 2RF - 2LO杂散抑制
P
RF
= -10dBm
o
双通道理想用于分集接收机
应用
o
集成LO缓冲器
o
集成RF和LO非平衡变压器支持单端
输入
o
-3dBm至+ 3dBm的LO驱动
o
内置SPDT LO开关，具有50dB LO1 - LO2
隔离和开关时间为50ns
o
44分贝通道至通道隔离
o
o
o
o
MAX9995
应用
WCDMA， TD-SCDMA，
和cdma2000
3G
基站
LTE和TD-LTE
基站
GSM / EDGE
基站
PHS / PAS基站
固定宽带
无线接入
无线本地环路
专用移动无线电
军事系统
引脚配置/
工作原理图
29 LO_ADJ_M
33 IFM +
订购信息
部分
温度范围
PIN- PACKAGE
MAX9995ETX+
MAX9995ETX+T
T
C
* = -40 ° C至+ 85°C 36 TQFN -EP **
T
C
* = -40 ° C至+ 85°C 36 TQFN -EP **
顶视图
36 V
CC
31 IND_EXTM
35 IFM_SET
32 IFM-
34 GND
北卡罗来纳州28
30 V
CC
RFMAIN
TAPMAIN
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
TAPDIV
RFDIV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
裸露
PAD *
27
LO2
GND
GND
GND
LOSEL
GND
V
CC
GND
LO1
MAX9995
26
25
24
23
22
21
20
19
+表示无铅（ Pb），且符合RoHS标准的封装。
*T
C
=外壳温度。
** EP
=裸焊盘。
T =卷带包装。
10
11
12
13
14
15
16
17
LO_ADJ_D
IFD_SET
IFD +
IND_EXTD
V
CC
GND
IFD-
V
CC
北卡罗来纳州
18
采用6mm x 6mm TQFN
*裸露焊盘在封装的底部
CDMA2000是电信公司的注册商标。
行业协会。
1
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
双通道，SiGe ，高线性度，1700MHz至2700MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
绝对最大额定值
V
CC
.................................................. ......................- 0.3V至+ 5.5V
LO1 ， LO2到GND ............................................. .................. ± 0.3V
IFM_ ， IFD_ ， IFM_SET ， IFD_SET ， LOSEL ，
LO_ADJ_M ， LO_ADJ_D到GND .............- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFMAIN ， RFDIV和LO_输入电源.......................... + 20dBm的
RFMAIN ， RFDIV电流
（ RF是直流短路到GND之间不平衡变压器） ...................... 50毫安
连续功率耗散（注1 ） ............................... 8.8W
工作温度范围（注2 ）......牛逼
C
= -40 ° C至+ 85°C
最高结温..................................... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
焊接温度（回流） ....................................... + 260℃
注1 ：
基于结点温度T
J
= T
C
+ (θ
JC
X V
CC
X我
CC
） 。此公式时，可以使用的暴露温度
垫是已知的，而该装置焊接到PCB上。见
应用信息
一节。结
温度不能超过+ 150℃。
注2 ：
T
C
是在封装的裸焊盘的温度。牛逼
A
是器件和印刷电路板的环境温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
封装热特性
TQFN
结点至环境热阻（ θ
JA
)
（注3,4） ............................................ ........................ 38 ° C / W
结到外壳热阻（ θ
JC
)
（注1,4） ............................................ ....................... 7.4 ° C / W
注3 ：
结温度T
J
= T
A
+ (θJ
A
X V
CC
X我
CC
） 。当印刷电路板的环境温度是该式中可以使用
众所周知的。结温度不能超过+ 150℃。
注4 ：
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
DC电气特性
（典型
应用电路，
没有输入RF或LO信号的应用，V
CC
= 4.75V至5.25V ，T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
符号
V
CC
总电源电流
V
CC
（引脚16 ）
电源电流
I
CC
V
CC
（引脚30 ）
IFM + / IFM- （共两个）
IFD + / IFD- （共两个）
LOSEL输入高电压
LOSEL输入低电压
LOSEL输入电流
V
IH
V
IL
I
IL
我
IH
-10
2
0.8
+10
条件
民
4.75
典型值
5
332
82
97
70
70
最大
5.25
380
90
110
90
90
V
V
A
mA
单位
V
建议使用的工作条件
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
LO驱动电平
符号
f
RF
f
LO
f
IF
P
LO
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
（注5 ）
条件
民
1700
1400
40
-3
典型值
最大
2700
2600
350
+3
单位
兆赫
兆赫
兆赫
DBM
2
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度，1700MHz至2700MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
AC电气特性-F
RF
= 1700MHz至2200MHz
（典型
应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，女
RF
=
1700MHz至2200MHz ，女
LO
= 1400MHz至2000MHz的，女
IF
=为200MHz ，使用f
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
=
5.0V ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1700MHz的，女
IF
= 200MHz的，和T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）（注6,7）
参数
转换增益
符号
G
C
V
CC
= 5.0V,
T
C
= +25°C,
P
LO
=为0dBm ，
P
RF
= -10dBm
（注8）
条件
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
民
典型值
6
6.2
6.1
±0.5
±0.5
±0.5
±0.75
NF
没有阻滞剂
现
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
噪声系数（用拦截器）
输入1dB压缩点
输入三阶截取点
2RF - 2LO杂散抑制
P
1dB
IIP3
2x2
8dBm的拦截语气适用于RF端口处
2000MHz的，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1710MHz ，P
LO
= -3dBm
（注8）
（注8,9）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1800MHz的（注8 ）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1766.7MHz （注8 ）
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
RF
= 1700MHz至2200MHz ，女
IF
= 200MHz的
P
LO1
=为0dBm ，P
LO2
=为0dBm （注10 ）
P
RF
= -10dBm ， RFMAIN （ RFDIV ）
功率在IFDIV （ IFMAIN ）测定
相对于IFMAIN （ IFDIV ）
终止于50Ω所有未使用的端口
LOSEL到中频的50％在2°以内结算到
选择LO端口
LO端口未被选择
LO驱动为0dBm ， RF终端匹配50Ω
（注11 ）
40
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
70
60
9.5
23
9.7
9.8
9.9
22
12.6
25.6
66
dBc的
61
88
dBc的
78
-29
-17
-25
37
50.5
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
±1
±1
±1
dB
dB
dB
最大
单位
MAX9995
增益变化的名义
增益随温度的变化
噪声系数
3RF - 3LO杂散抑制
最大的LO泄漏的RF端口
最大2LO泄漏RF端口
最大的LO泄漏IF端口
最小的RF至IF隔离
LO1 - LO2隔离
最小的通道至通道
隔离
LO开关时间
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
3x3
40
44
dB
50
14
18
21
21
ns
dB
dB
dB
_______________________________________________________________________________________
3
双通道，SiGe ，高线性度，1700MHz至2700MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
AC电气特性-的fRF = 2540MHz
（典型
应用电路，
RF和LO端口从50Ω源驱动，女
RF
＆ GT ; F
LO
, V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
=
2540MHz ，女
LO
= 2400MHz的，女
IF
= 140MHz的，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注7）
参数
转换增益
输入三阶截取点
2RF - 2LO杂散响应
3RF - 3LO杂散响应
LO泄漏IF端口
RF至IF隔离
通道到通道隔离
P
RF
= -10dBm ， RFMAIN （ RFDIV ）电源
在IFDIV （ IFMAIN ）进行测定，相对于IFMAIN
（ IFDIV ） ，所有未使用的端口，终止于50Ω
符号
G
C
IIP3
2x2
3x3
两个音调：F
RF1
= 2540MHz ，女
RF2
= 2541MHz ，
P
RF
= -5dBm / TONE
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
条件
民
典型值
5.2
24.6
58
63
72
82
-45
49
48
最大
单位
dB
DBM
dBc的
dBc的
DBM
dB
dB
注5 ：
该频带以外的操作是可能的，但还没有被表征。见
典型工作特性。
注6 ：
通过设计和特性保证。
注7 ：
所有的限制反映了外部元件的损失。输出测量采取的IF输出
典型应用电路。
注8 ：
生产测试。
注9 ：
两个音3MHz的间距，每个音-5dBm在RF端口。
注10 ：
测得的IF频率IF端口。 F
LO1
和f
LO2
由1MHz的偏移。
注11 ：
中频回波损耗可通过外部匹配元件进行优化。
典型工作特性
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
转换增益与RF频率
MAX9995 TOC01
转换增益与RF频率
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
P
LO
= -3dBm至+ 3dBm的
MAX9995 toc02
转换增益与RF频率
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
V
CC
= 5.25V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc03
8.0
7.5
7.0
转换增益（dB ）
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
1700
1800
1900
2000
2100
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
6.5
6.5
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
4
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度，1700MHz至2700MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
典型工作特性（续）
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc04
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc05
输入IP3主场迎战RF频率
V
CC
= 5.25V
MAX9995 toc06
26.8
T
C
= +85°C
26.4
26.0
IIP3 （ dBm的）
26.6
26.4
26.2
IIP3 （ dBm的）
26.0
25.8
25.6
P
LO
= -3dBm
25.4
25.2
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
27.0
26.6
26.2
IIP3 （ dBm的）
25.8
25.4
25.0
24.6
25.6
T
C
= -20°C
25.2
24.8
24.4
1700
1800
1900
2000
2100
2200
射频频率（ MHz）的
T
C
= +25°C
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.0V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc07
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc08
2RF - 2LO与基频
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
V
CC
= 5.25V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc09
75
70
65
2RF - 2LO （ DBC）
60
55
50
45
40
35
30
P
RF
= -5dBm
66
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
= -3dBm
66
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
基波频率（MHz）
基波频率（MHz）
基波频率（MHz）
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc10
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc11
3RF - 3LO与基频
86
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.25V
P
RF
= -5dBm
V
CC
= 5.0V
MAX9995 toc12
90
88
86
3RF - 3LO （ DBC）
84
82
80
78
76
74
72
70
P
RF
= -5dBm
T
C
= -20°C
T
C
= +25°C
88
P
RF
= -5dBm
86
P
LO
= -3dBm
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
=为0dBm
88
T
C
= +85°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
基波频率（MHz）
基波频率（MHz）
基波频率（MHz）
_______________________________________________________________________________________
5
19-3383 ;冯0 ; 8/04
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
概述
在MAX9995双通道，高线性度，下变频
混频器提供6.1分贝增益， + 25.6dBm IIP3和9.8分贝
NF的UMTS / WCDMA ，DCS和PCS基站
应用程序。该MAX9995理想用于低端LO
注入。 （对于一个混频器变种高端优化
LO注入，与工厂联系。 ）
该器件集成了RF巴伦和LO端口，
双输入LO选择开关， LO缓冲器， 2双
平衡混频器，和一对差分IF输出扩增
fiers 。在MAX9995需要典型值为0dBm的LO驱动
并供给电流保证低于380mA 。
这些器件采用紧凑的36引脚薄型
QFN封装（6mm
×
6mm），带有裸焊盘。
保证电气性能在扩展
温度范围内，从T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。
特点
1700MHz至2200MHz RF频率范围
1400MHz至2000MHz的LO频率范围
(MAX9995)
1900MHz至2400MHz的LO频率范围
（联系工厂）
40MHz至350MHz的IF频率范围
6.1分贝转换增益
+ 25.6dBm输入IP3
9.8分贝噪声系数
66dBc 2RF - 2LO杂散抑制
P
RF
= -10dBm
双通道理想用于分集接收机
应用
集成LO缓冲器
集成RF和LO非平衡变压器支持单端
输入
-3dBm至+ 3dBm的LO驱动
内置SPDT LO开关，具有50dB LO1 ， LO2
隔离和开关时间为50ns
44分贝通道至通道隔离
MAX9995
应用
UMTS / WCDMA和
cdma2000
3G基站
站
DCS1800和EDGE
基站
PCS1900和EDGE
基站
PHS / PAS基站
固定宽带
无线接入
无线本地环路
专用移动无线电
军事系统
引脚配置/
工作原理图
33 IFM +
订购信息
部分
温度范围
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
T
C
= -40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
36薄型QFN -EP *
36薄型QFN -EP *
无铅，散装
36薄型QFN -EP *
无铅， T / R
MAX9995ETX
MAX9995ETX-T
T
C
** = -40 ° C至+ 85°C 36薄型QFN -EP *
顶视图
36 V
CC
29 LO_ADJ_M
31 IND_EXTM
35 IFM_SET
32 IFM-
34 GND
北卡罗来纳州28
30 V
CC
RFMAIN
TAPMAIN
GND
V
CC
GND
V
CC
GND
TAPDIV
RFDIV
1
2
3
4
5
6
7
8
9
裸露
桨
27
LO2
GND
MAX9995ETX+D
MAX9995ETX+TD
MAX9995
26
25
24
23
22
21
20
19
GND
GND
LOSEL
GND
V
CC
GND
LO1
* EP
=裸焊盘。
**T
C
=外壳温度。
10
11
12
13
14
15
16
17
LO_ADJ_D
IND_EXTD
IFD_SET
GND
IFD +
采用6mm x 6mm的薄型QFN （裸露焊盘）
裸露焊盘在包装的底部
北卡罗来纳州
IFD-
V
CC
V
CC
18
CDMA2000是电信公司的注册商标。
行业协会。
1
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
绝对最大额定值
V
CC
.................................................. ......................- 0.3V至+ 5.5V
LO1 ， LO2到GND ............................................. .................. ± 0.3V
IFM_ ， IFD_ ， IFM_SET ， IFD_SET ， LOSEL ，
LO_ADJ_M ， LO_ADJ_D到GND .............- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFMAIN ， RFDIV和LO_输入电源.......................... + 20dBm的
RFMAIN ， RFDIV电流（ RF是直流短路到GND之间
平衡不平衡转换器） ................................................ .................................. 50毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
36引脚薄型QFN （减免26MW /°C的
高于+ 70 ° C） ............................................ ................. 2100mW
θ
JA
.................................................................................+38°C/W
θ
JC
................................................................................+7.4°C/W
工作温度范围（注一）牛逼....
C
= -40 ° C至+ 85°C
最高结温范围.......................... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
注一：
T
C
是在封装的裸焊盘的温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
（典型
应用电路，
没有输入RF或LO信号的应用，V
CC
= 4.75V至5.25V ，T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
= 5.0V ，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
符号
V
CC
总电源电流
V
CC
（引脚16 ）
电源电流
I
CC
V
CC
（引脚30 ）
IFM + / IFM- （共两个）
IFD + / IFD- （共两个）
LOSEL输入高电压
LOSEL输入低电压
LOSEL输入电流
V
IH
V
IL
I
IL
我
IH
-10
2
0.8
+10
条件
民
4.75
典型值
5
332
82
97
70
70
最大
5.25
380
90
110
90
90
V
V
A
mA
单位
V
AC电气特性
（典型
应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，女
RF
=
1700MHz至2200MHz ，女
LO
= 1400MHz至2000MHz的，女
IF
=为200MHz ，使用f
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
=
5.0V ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1700MHz的，女
IF
= 200MHz的，和T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）（注1,2 ）
参数
RF频率
LO频率
符号
f
RF
f
LO
（注7 ）
（注7 ）
（请与工厂联系） （注7 ）
会议RF和LO频率范围;
IF匹配元件影响IF
频率范围（注7 ）
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
转换增益
G
C
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
条件
民
1700
1400
1900
40
典型值
最大
2200
2000
2400
350
单位
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
IF频率
f
IF
6
6.2
6.1
dB
2
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
AC电气特性（续）
（典型
应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，女
RF
=
1700MHz至2200MHz ，女
LO
= 1400MHz至2000MHz的，女
IF
=为200MHz ，使用f
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在V
CC
=
5.0V ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1700MHz的，女
IF
= 200MHz的，和T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）（注1,2 ）
参数
符号
V
CC
= 5.0V,
T
C
= +25°C,
P
LO
=为0dBm ，
P
RF
= -10dBm
（注3）
条件
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
民
典型值
±0.5
±0.5
±0.5
±0.75
NF
没有阻滞剂
现
f
RF
= 1710MHz至1875MHz
f
RF
= 1850MHz至1910MHz
f
RF
= 2110MHz至2170MHz频率
噪声系数（用拦截器）
输入1dB压缩点
输入三阶截取点
2RF - 2LO杂散抑制
P
1dB
IIP3
2x2
8dBm的拦截语气适用于RF端口处
2000MHz的，女
RF
= 1900MHz的，女
LO
= 1710MHz ，
P
LO
= -3dBm
（注3）
（注3,4）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1800MHz的（注3）
f
RF
= 1900MHz的，
f
LO
= 1700MHz的，
f
带动
= 1766.7MHz （注3）
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
LO
= 1400MHz至2000MHz的
f
RF
= 1700MHz至2200MHz ，女
IF
= 200MHz的
P
LO1
=为0dBm ，P
LO2
=为0dBm （注5 ）
P
RF
= -10dBm ， RFMAIN （ RFDIV ）
功率在IFDIV （ IFMAIN ）测定
相对于IFMAIN （ IFDIV ）
终止于50Ω所有未使用的部分
LOSEL到中频的50％在2°以内结算到
选择LO端口
LO端口未被选择
LO驱动为0dBm ， RF终端匹配50Ω
40
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
P
RF
= -10dBm
P
RF
= -5dBm
70
60
9.5
23
9.7
9.8
9.9
22
12.6
25.6
66
dBc的
61
88
dBc的
78
-29
-17
-25
37
50.5
DBM
DBM
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
最大
±1
±1
±1
dB
dB
单位
MAX9995
增益变化的名义
增益随温度的变化
噪声系数
3RF - 3LO支线拒绝
最大的LO泄漏的RF端口
最大2LO泄漏RF端口
最大的LO泄漏IF端口
最小的RF至IF隔离
LO1 ， LO2隔离
最小的通道至通道
隔离
LO开关时间
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
3x3
40
44
dB
50
14
18
21
21
ns
dB
dB
dB
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
通过设计和特性保证。
所有的限制反映了外部元件的损失。输出测量采取的IF输出
典型应用电路。
生产测试。
两个音3MHz的间距，每个音-5dBm在RF端口。
测得的IF频率IF端口。 F
LO1
和f
LO2
由1MHz的偏移。
中频回波损耗可通过外部匹配元件进行优化。
该频带以外的操作是可能的，但还没有被表征。见
典型工作特性。
_______________________________________________________________________________________
3
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
典型工作特性
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
转换增益与RF频率
MAX9995 TOC01
转换增益与RF频率
MAX9995 toc02
转换增益与RF频率
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
V
CC
= 5.25V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc03
8.0
7.5
7.0
转换增益（dB ）
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
1700
1800
1900
2000
2100
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
6.5
6.4
6.3
转换增益（dB ）
6.2
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
P
LO
= -3dBm至+ 3dBm的
6.5
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc04
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9995 toc05
输入IP3主场迎战RF频率
V
CC
= 5.25V
MAX9995 toc06
26.8
T
C
= +85°C
26.4
26.0
IIP3 （ dBm的）
26.6
26.4
26.2
IIP3 （ dBm的）
26.0
25.8
25.6
P
LO
= -3dBm
25.4
25.2
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
27.0
26.6
26.2
IIP3 （ dBm的）
25.8
25.4
25.0
24.6
25.6
T
C
= -20°C
25.2
24.8
24.4
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
T
C
= +25°C
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.0V
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc07
2RF - 2LO与基频
MAX9995 toc08
2RF - 2LO与基频
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
V
CC
= 5.25V
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
MAX9995 toc09
75
70
65
2RF - 2LO （ DBC）
60
55
50
45
40
35
30
P
RF
= -5dBm
66
P
RF
= -5dBm
64
62
2RF - 2LO （ DBC）
60
58
56
54
52
50
P
LO
=为0dBm
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
= -3dBm
66
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
4
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 1700MHz至2200MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9995
典型工作特性（续）
（典型
应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ， LO是低端注入了200MHz的IF ，T
C
= +25°C.)
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc10
3RF - 3LO与基频
MAX9995 toc11
3RF - 3LO与基频
86
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.25V
P
RF
= -5dBm
V
CC
= 5.0V
MAX9995 toc12
90
88
86
3RF - 3LO （ DBC）
84
82
80
78
76
74
72
70
P
RF
= -5dBm
T
C
= -20°C
T
C
= +25°C
88
P
RF
= -5dBm
86
P
LO
= -3dBm
84
3RF - 3LO （ DBC）
82
80
78
76
74
72
P
LO
= + 3dBm的
P
LO
=为0dBm
88
T
C
= +85°C
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
输入P
1dB
与RF频率
MAX9995 toc13
输入P
1dB
与RF频率
MAX9995 toc14
输入P
1dB
与RF频率
14.2
14.0
13.8
P
1dB
（ dBm的）
13.6
13.4
13.2
13.0
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 5.25V
MAX9995 toc15
14.4
T
C
= +25°C
14.0
T
C
= +85°C
13.8
13.7
13.6
13.5
P
LO
= -3dBm
P
1dB
（ dBm的）
P
LO
=为0dBm
14.4
P
1dB
（ dBm的）
13.6
13.4
13.3
13.2
13.2
12.8
T
C
= -20°C
12.4
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
13.1
13.0
12.9
1700
1800
1900
P
LO
= + 3dBm的
12.8
12.6
12.4
V
CC
= 4.75V
2000
2100
2200
1700
1800
1900
2000
2100
2200
频率（MHz）
频率（MHz）
LO隔离开关与LO频率
MAX9995 toc16
LO隔离开关与LO频率
MAX9995 toc17
LO隔离开关与LO频率
V
CC
= 4.75V至5.25V
MAX9995 toc18
55
54
53
隔离度（dB ）
52
51
50
49
48
47
46
45
1400
1500
1600
1700
1800
1900
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
T
C
= -20°C
54
53
P
LO
= -3dBm
52
隔离度（dB ）
P
LO
=为0dBm
51
P
LO
= + 3dBm的
50
49
48
47
54
53
52
隔离度（dB ）
51
50
49
48
47
2000
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
频率（MHz）
频率（MHz）
频率（MHz）
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