19-0705版本0 ; 1/07
双通道，SiGe ，高线性度， 700MHz至1000MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
概述
在MAX9985高线性度，双通道downconver-
锡安混频器的设计提供约6分贝
增益， + 28.5dBm IIP3 ，而噪声系数的10.5分贝（ NF ）
理想的分集接收器应用。有700MHz的
至1000MHz RF频率范围和570MHz至
865MHz LO频率范围，该混频器是理想的低
LO注入结构。此外，广
频率范围使MAX9985非常适合GSM
九百五十〇分之八百五十， 2G / 2.5G EDGE，WCDMA ， cdma2000的
和
iDEN网络
基站应用。
在MAX9985双通道下变频器实现了
高的元件集成度。在MAX9985英特
炉排两个双平衡有源混频器内核，两个LO
缓冲器，一个双输入LO选择开关，以及一对
差分IF输出放大器。此外，集成的
片上巴伦在RF和LO端口允许单
端RF和单端LO输入。在MAX9985
需要一个典型值为0dBm的LO驱动器。供电电流
可调节高达400mA的电流。
该MAX9985可在一个36引脚薄型QFN封装
年龄（的6mm x 6mm ），带有裸焊盘。电动
性能在扩展温度
TURE范围内，从T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。
特点
o
700MHz至1000MHz RF频率范围
o
570MHz至865MHz LO频率范围
o
50MHz至250MHz的IF频率范围
o
6分贝典型转换增益
o
10.5分贝典型噪声系数
o
+ 28.5dBm典型输入IP3
o
+ 16.2dBm典型的输入1dB压缩点
o
典型的77dBc 2RF - 2LO杂散抑制
P
RF
= -10dBm
o
双通道理想用于分集接收机
应用
o
47分贝典型的通道至通道隔离
o
-3dBm至+ 3dBm的LO驱动
o
集成LO缓冲器
o
内部RF和LO非平衡变压器支持单端
输入
o
内置SPDT LO开关， 43分贝LO1至LO2
隔离和开关时间为50ns
o
引脚兼容MAX9995 / MAX9995A
1700MHz至2200MHz混频器
o
无铅封装
MAX9985
应用
850MHz的WCDMA基站
GSM 850 / GSM 950 2G / 2.5G EDGE基站
站
的cdmaOne 和cdma2000基站
iDEN网络基站
固定宽带无线接入
无线本地环路
个人移动无线
军事系统
数字与扩频通信
系统
微波链接
CDMA2000是电信公司的注册商标。
行业协会。
的iDEN是摩托罗拉公司的注册商标。
cdmaOne是CDMA Development Group的注册商标。
订购信息
部分
MAX9985ETX
温度范围
-40 ° C至+ 85°C
PIN- PACKAGE
PKG
CODE
36薄型QFN -EP *
T3666-2
（采用6mm x 6mm ）
36薄型QFN -EP *
（采用6mm x 6mm ） ， T3666-2
T / R
36薄型QFN -EP *
（采用6mm x 6mm ） ， T3666-2
无铅，散装
36薄型QFN -EP *
（采用6mm x 6mm ） ， T3666-2
无铅， T / R
MAX9985ETX-T
-40 ° C至+ 85°C
MAX9985ETX+
-40 ° C至+ 85°C
MAX9985ETX+T
-40 ° C至+ 85°C
* EP
=裸露焊盘。
T =卷带盘式封装。
+表示
无铅并符合RoHS标准。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
双通道，SiGe ，高线性度， 700MHz至1000MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9985
绝对最大额定值
V
CC
到GND ................................................ ...........- 0.3V至+ 5.5V
LO1 ， LO2到GND ............................................. .................. ± 0.3V
所有其他引脚与GND ...............................- 0.3V至（V
CC
+ 0.3V)
RFMAIN ， RFDIV和LO_输入电源.......................... + 20dBm的
RFMAIN ， RFDIV电流（ RF是直流短路到GND之间
平衡不平衡转换器） ................................................ ............................... 50毫安
连续功率耗散（T
C
= + 70 ° C） （注一）
36引脚薄型QFN封装（减免26MW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 10.8W
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
最高结温范围.......................... + 150°C
θ
JA
.................................................................................+38°C/W
θ
JC
...................................................................................7.4°C/W
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
注一：
T
C
是在封装的裸焊盘的温度。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
DC电气特性
（使用
典型应用电路，
没有输入RF或LO信号的应用，V
CC
= 4.75V至5.25V ，T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值
是在V
CC
= 5.0V ，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
参数
电源电压
符号
V
CC
总电源电流（见表1低
当前设置）
电源电流
I
CC
V
CC
（引脚16 ）
V
CC
（引脚30 ）
IFM + / IFM- （共两个）
IFD + / IFD- （共两个）
LOSEL输入高电压
LOSEL输入低电压
LOSEL输入电流
V
IH
V
IL
I
IH
我
IL
-10
2
0.8
+10
条件
民
4.75
典型值
5
400
80
80
105
105
V
V
A
最大
5.25
440
mA
单位
V
AC电气特性
（使用
典型应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，
P
RF
= -5dBm ，女
RF
= 820MHz到920MHz ，女
LO
= 670MHz到865MHz ，女
IF
= 100MHz时，女
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 870MHz的，女
LO
= 770MHz ，女
IF
= 100MHz时，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
RF频率
LO频率
IF频率
LO驱动
转换增益
增益随温度变化
平直度超过三个频带中的任何一个：
f
RF
= 824MHz至849MHz
f
RF
= 869MHz至894MHz
f
RF
= 880MHz至915MHz
符号
f
RF
f
LO
f
IF
P
LO
G
C
（注2 ）
（注2 ）
IF匹配元件影响IF
频率范围（注2 ）
（注3）
（注6 ）
条件
民
700
570
50
-3
4.5
6
-0.012
典型值
最大
1000
865
250
+3
7.5
单位
兆赫
兆赫
兆赫
DBM
dB
分贝/°C的
转换增益平坦度
±0.1
dB
2
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 700MHz至1000MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
AC电气特性（续）
（使用
典型应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，
P
RF
= -5dBm ，女
RF
= 820MHz到920MHz ，女
LO
= 670MHz到865MHz ，女
IF
= 100MHz时，女
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 870MHz的，女
LO
= 770MHz ，女
IF
= 100MHz时，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
噪声系数，单边带
噪声系数的阻断
条件
输入压缩点
输出压缩点
小信号压缩在
阻塞条件
三阶输入截点
三阶输入截点
随温度变化
三阶输出截取
点
OIP3
P
RF
= -5dBm /音，女
IF
= 100MHz时，
f
RF1
-f
RF2
= 1MHz的（注3）
f
RF
= 870MHz的，女
LO
P
RF
= -10dBm
= 770MHz ，女
带动
=
P
RF
= -5dBm
820MHz （注3）
f
RF
= 870MHz的，女
LO
P
RF
= -10dBm
= 770MHz ，女
带动
=
803.3MHz （注3 ） P
RF
= -5dBm
P
LO1
= + 3dBm的，P
LO2
= + 3dBm的，
f
LO1
-f
LO2
= 1MHz时， P
RF
= -5dBm ，
f
IF
= 100MHz的（注3,5）
32.0
63
58
70
60
IIP3
P
1dB
OP
1dB
P
RF
= -5dBm ，女
RF
= P
BLOCKER
= + 8dBm的
870MHz的，女
BLOCKER
P
BLOCKER
= + 11dBm
= 871MHz
f
RF1
-f
RF2
= 1MHz的，女
IF
= 100MHz时，
P
RF
= -5dBm / TONE
18.5
符号
NF
条件
f
IF
= 190MHz ，没有阻滞剂本（注3）
+ 11dBm阻断色调适用于RF端口处
961MHz ，女
RF
= 860MHz的，女
LO
= 670MHz ，
f
IFDESIRED
= 190MHz ，
f
BLOCKER
= 291MHz （注3,4）
民
典型值
10.5
最大
13
单位
dB
MAX9985
21
26
dB
16.2
21.2
0.1
DBM
DBM
dB
0.25
28.5
-0.01
34.5
77
dBc的
72
85
dBc的
75
DBM
分贝/°C的
DBM
2RF - 2LO杂散
2x2
3RF - 3LO支线
3x3
LO1至LO2端口隔离
最大的LO泄漏的RF端口
最大2LO泄漏RF端口
最大的LO泄漏IF端口
最小的RF至IF隔离
最小的通道至通道
隔离
39
43
-40
-45
-30
-30
-20
-20
dB
DBM
DBM
DBM
dB
30
P
RF
= -10dBm ， RFMAIN （ RFDIV ）电源
在IFDIV （ IFMAIN ）进行测定，相对于
IFMAIN （ IFDIV ） ，所有未使用的端口终止
至50Ω
45
40
47
dB
_______________________________________________________________________________________
3
双通道，SiGe ，高线性度， 700MHz至1000MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
MAX9985
AC电气特性（续）
（使用
典型应用电路，
V
CC
= 4.75V至5.25V ， RF和LO端口从50Ω源，P驱动
LO
= -3dBm至+ 3dBm的，
P
RF
= -5dBm ，女
RF
= 820MHz到920MHz ，女
LO
= 670MHz到865MHz ，女
IF
= 100MHz时，女
RF
＆ GT ; F
LO
, T
C
= -40 ° C至+ 85°C 。典型值是在
V
CC
= 5.0V ，P
RF
= -5dBm ，P
LO
=为0dBm ，女
RF
= 870MHz的，女
LO
= 770MHz ，女
IF
= 100MHz时，T
C
= + 25 ℃，除非另有说明。 ） （注1）
参数
LO开关时间
RF输入阻抗
LO输入阻抗
IF输出阻抗
RF输入回波损耗
LO输入回波损耗
IF回波损耗
迪FF erential
在LO和IF终止
选择LO端口
LO端口未被选择
RF端接50Ω
符号
条件
LOSEL的50％至IF在2度结算
（注3）
民
典型值
0.05
50
50
200
24
35
36
20
最大
1
单位
s
dB
dB
dB
注1 ：
所有的限制反映了外部元件的损失。输出测量采取的IF输出
典型应用电路。
注2 ：
性能保证在f
RF
= 820MHz到920MHz ，女
LO
= 670MHz到865MHz ，而f
IF
= 100MHz的。操作之外
这个范围是可能的，但也有一些参数的性能劣化。见
典型工作特性。
注3 ：
通过设计和特性保证。
注4 ：
测量过滤，以便本底噪声外劳源噪声-174dBm / Hz的。本说明书反映了所有的效果
信噪比的劣化，在混频器包括LO噪声，如Maxim的应用笔记2021定义。
注5 ：
测得的IF频率IF端口。 LOSEL可以是任何逻辑状态。
注6 ：
表现在T
C
= -40°C为设计保证。
4
_______________________________________________________________________________________
双通道，SiGe ，高线性度， 700MHz至1000MHz
下变频混频器，带有LO缓冲器/开关
典型工作特性
（使用
典型应用电路，
V
CC
= 5.0V ，P
LO
=为0dBm ，P
RF
= -5dBm ，女
RF
＆ GT ; F
LO
, f
IF
= 100MHz时，T
C
= + 25 ° C，除非另外
明智的说明。 ）
转换增益与RF频率
T
C
= -30°C
转换增益（dB ）
7
MAX9985 TOC01
MAX9985
转换增益与RF频率
MAX9985 toc02
转换增益与RF频率
MAX9985 toc03
8
8
8
转换增益（dB ）
6
6
P
LO
= -3dBm ，为0dBm ， + 3dBm的
5
转换增益（dB ）
7
7
6
V
CC
= 4.75V, 5.0V, 5.25V
5
5
T
C
= +85°C
T
C
= +25°C
4
700
800
900
1000
射频频率（ MHz）的
4
700
800
900
1000
射频频率（ MHz）的
4
700
800
900
1000
射频频率（ MHz）的
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9985 toc04
输入IP3主场迎战RF频率
MAX9985 toc05
输入IP3主场迎战RF频率
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.0V
MAX9985 toc06
30
29
输入IP3 （ dBm的）
28
27
26
25
24
700
800
900
T
C
= +25°C
T
C
= +85°C
30
29
输入IP3 （ dBm的）
28
27
P
LO
= -3dBm ，为0dBm ， + 3dBm的
26
25
24
30
29
输入IP3 （ dBm的）
28
27
26
25
24
V
CC
= 5.25V
T
C
= -30°C
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
噪声系数与RF频率
MAX9985 toc07
噪声系数与RF频率
MAX9985 toc08
噪声系数与RF频率
MAX9985 toc09
14
13
噪声系数（dB ）
12
11
10
9
8
7
700
800
900
T
C
= -30°C
T
C
= +25°C
T
C
= +85°C
14
13
噪声系数（dB ）
12
11
10
9
8
7
P
LO
= -3dBm ，为0dBm ， + 3dBm的
14
13
噪声系数（dB ）
12
11
10
9
8
7
V
CC
= 5.0V
V
CC
= 4.75V
V
CC
= 5.25V
1000
700
800
900
1000
700
800
900
1000
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
射频频率（ MHz）的
_______________________________________________________________________________________
5
QQ：2880707522 复制
