光学最小的TEC电源驱动器
模块
MAX8520/MAX8521
绝对最大额定值
V
DD
到GND ................................................ ..............- 0.3V至+ 6V
SHDN ，
MAXV ， MAXIP ， MAXIN ，
CTLI到GND ............................................... ..........- 0.3V至+ 6V
COMP ， FREQ ， OS1 ， OS2 ， CS ，楼盘，
ITEC到GND ...........................................- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
PVDD1 ， PVDD2到GND .............................- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
PVDD1 ， PVDD2到V
DD
..........................................- 0.3V至+ 0.3V
PGND1 ， PGND2到GND .......................................- 0.3V至+0.3 V
COMP ，楼盘， ITEC的接地短路....................................不定
LX电流（注1 ） ........................................ ± 2.25A LX当前
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6× 6 UCSP （减免22MW / ° C以上+ 70 ° C） ............... 1.75W
20引脚5mm x 5mm的X 0.9毫米TQFN （减免20.8mW / ℃，
高于+ 70 ° C） （注2 ） ........................................ ........... 1.67W功率
36焊球WLP封装（减免22MW / ° C以上+ 70 ° C） ............ 1.75W
工作温度范围...........................- 40 ° C至+ 85°C
最高结温..................................... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
焊接温度（再溢流）
铅（Pb ） - 免费（ TQFN ， WLP ） ....................................... 。 + 260℃
含有铅（ UCSP ） ............................................. + 240℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
注1 ：
LX具有内置钳位二极管，以保护地和PVDD 。应用正向偏置这些二极管应注意不要
超过IC的封装功耗限制。
注2 ：
焊料底面金属散热片与PCB接地层。
封装热特性（注3 ）
20 TQFN
结点至环境热阻（ θ
JA
)...............30°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
)......................2°C/W
6x6的UCSP
结点至环境热阻（ θ
JA
)................65.5°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
).......................0°C/W
36 WLP
结点至环境热阻（ θ
JA
)..................38°C/W
结到外壳热阻（ θ
JC
)......................4°C/W
注3 ：
封装的热电阻是用在JEDEC规范JESD51-7记载的方法得到，使用的是四
层板。有关封装的热注意事项的详细信息，请参阅
www.maxim-ic.com/thermal-tutorial 。
电气特性
(V
DD
= V
PVDD1
= V
PVDD2
= V
SHDN
= 5V ， 1MHz的模式（注4 ） 。 PGND1 = PGND2 = GND ， CTLI = MAXV = MAXIP = MAXIN = REF ，
T
A
= 0 ° C至+ 85°C ，
除非另有说明。在T典型值
A
= +25°C.)
参数
输入电压范围
最大TEC电流
参考电压
参考负载调节
MAXIP / MAXIN阈值
准确性
V
REF
V
REF
V
DD
= 3V至5.5V ，我
REF
= 150A
V
DD
= 3V至5V ，我
REF
= 10μA至1mA
V
DD
= 5V
V
DD
= 3V
NFET导通电阻
PFET导通电阻
NFET泄漏
PFET泄漏
R
DS （ ON- N）
R
DS （ ON- P）
I
泄漏（ N）
I
泄漏（ P）
V
DD
= 5V ， I = 0.2A
V
DD
= 3V ， I = 0.2A
V
DD
= 5V ， I = 0.2A
V
DD
= 3V ， I = 0.2A
V
LX
= V
DD
= 5V ，T
A
= +25°C
V
LX
= V
DD
= 5V牛逼
A
= +85°C
V
LX
= 0V ，T
A
= +25°C
V
LX
= 0V ，T
A
= +85°C
V
MAXI_
= V
REF
V
MAXI_
= V
REF
/3
V
MAXI_
= V
REF
V
MAXI_
= V
REF
/3
140
40
143
45
符号
V
DD
条件
民
3.0
±1.5
1.485
1.500
1.2
150
50
150
50
0.09
0.11
0.14
0.17
0.03
0.3
0.03
0.3
4.00
1.515
5.0
160
60
155
55
0.14
0.16
0.23
0.30
4.00
A
A
mV
典型值
最大
5.5
单位
V
A
V
mV
2
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