19-1951 ;转3 ; 12/05
SOT23封装，电源排序器
概述
在MAX6819 / MAX6820的电源定序器
双电压微处理器（的μP ）和多电压
系统。这些器件监视主电源电压
以及启用/禁用外部N沟道MOSFET
切换为辅助电源电压。该MAX6819 /
MAX6820控制本地组件电压排序
当系统上电/断电特性不能
保证（供应来自一个多电压系
统总线，银盒，或者必须在不同的测序
模式的组件在同一电路板上） 。这些小
电源排序器提高了系统的可靠性。
该MAX6819 / MAX6820包含一个内部电压基准
erence /比较器具有外部可调阈值
孩子监视主电源。当
主电源低于所需的阈值，一个外部
最终二次电源MOSFET开关处于关闭状态。
当主电源超过了阈值，
内部电荷泵被激活，且外部
MOSFET开关被使能连接的次级
提供给负载。电荷泵充分提高了
N沟道MOSFET开关，以提供非常低R
DS-
ON
电压降。该设备可以连接到
支持各种电源排序优先级，如
V
I / O
前V
CORE
或V
CORE
前V
I / O
.
该MAX6819具有逻辑驱动EN输入
启用/禁用外部MOSFET驱动器，包括
内部固定的200ms启用超时时间
(V
PRIMARY GOOD
到V
二次启用
） 。该
MAX6820允许启用超时时间是
一个外部电容器调节。这两款器件
指定在汽车级温度范围
（ -40 ° C至+ 125°C ），并在提供节省空间
6引脚SOT23封装。
特点
可调式主电源电压监控器
（监视低至0.62V ）
内部电荷泵提升外部
二级供应N沟道MOSFET开关
延迟从主电源到好中学
供应已启用
工厂固定为200ms （ MAX6819 ）
电容可调（ MAX6820 ）
逻辑驱动使能输入（ MAX6819 ）
免疫短电压瞬变
很少的外部元件
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
小型6引脚SOT23封装
MAX6819/MAX6820
订购信息
部分
MAX6819UT-T
MAX6820UT-T
温度范围
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
PIN的
包
6 SOT23-6
6 SOT23-6
顶部
标志
AARF
AARG
产品必须在2500片为单位订购。
器件采用含铅提供无铅封装。
用“+ T”订货时替换“-T ”指定无铅。
典型工作电路
主电源
(3.3V)
第二路电源
(1.8V)
V
CC2
门
双电源
董事会或
P
应用
双电压微处理器
多电压系统
数字信号处理器
电源PC系列处理器
MAX6819
V
CC1
GND
ON
SETV
EN
关闭
销刀豆网络gurations
顶视图
引脚配置和典型工作电路
继续在数据表的末尾。
V
CC1
1
6
V
CC2
GND
2
MAX6819
5
门
PC电源是IBM公司的注册商标。
SETV
3
4
EN
SOT23-6
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
SOT23封装，电源排序器
MAX6819/MAX6820
绝对最大额定值
参考GND
V
CC1
, V
CC2
， EN ................................................ .....- 0.3V至+ 6.0V
SETV ， SETD ..................- 0.3V至较高（V
CC1
+ 0.3V ）和
(V
CC2
+ 0.3V)
门................................................. ..................- 0.3V至+ 12.0V
输入电流/输出电流（所有引脚） ............................... 20毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6引脚SOT23封装（减免8.7MW / ° C以上+ 70 ° C） ............ 696mW
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接10秒） ................................. + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V至+ 5.5V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有规定。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
工作电压范围
V
CC1
, V
CC2
电源电流
V
CC1
, V
CC2
禁用模式电流
V
CC1
, V
CC2
压摆率（注3 ）
欠压锁定（ UVLO ）
SETV门槛
SETV输入电流
SETV阈值迟滞
SETV到门延迟
SETD斜坡电流（ MAX6820 ）
SETD电压（ MAX6820 ）
SETD阈值迟滞
(MAX6820)
栅极导通时间
栅极关断时间
t
ON
t
关闭
t
延迟
I
SETD
V
SETD
V
UVLO
V
TH
V
SETV
上升，使GATE
（注3）
V
SETV
落，禁止GATE
V
SETV
＆ GT ; V
TH
, V
EN
≥
2V （ MAX6819 ）
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V
V
SETD
落下
C
门
= 1500pF ，V
CC2
= +3.3V, V
门
= +7.8V
C
门
= 1500pF ，V
CC2
= +3.3V, V
门
= +0.5V
相到V
CC2
（注2 ）
R
门
＆ GT ; 50MΩ到V
CC2
相到V
CC2
（注2 ）
R
门
＆ GT ; 5MΩ到V
CC2
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V至+ 5.5V
4.5
4.0
0.5
140
400
1.210
符号
V
CC1
,
V
CC2
I
CC
（注2 ）
V
CC1
= V
CC2
= +3.3V
V
CC1
= V
CC2
= + 3.3V ， EN = GND
MAX6819
MAX6820 （注4 ）
6
1.2 / t
延迟
2.0
1.875
0.602
0.618
10
-1
200
500
1.242
-62
1.5
30
5.5
6.0
V
6.0
0.4
2.0
V
10
280
600
1.273
2.125
0.634
100
条件
民
0.9
60
20
典型值
最大
5.5
120
单位
V
A
A
V / S
V
V
nA
%
ms
nA
V
mV
ms
s
栅极电压
V
门
EN输入电压
V
IL
V
IH
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
在T 100 ％生产测试
A
= + 25°C 。产品规格超过温度上限由设计保证。
无论是V
CC1
或V
CC2
必须是> 2.125V 。其他的电源可以为0 。
通过设计保证，但未经生产测试。
t
延迟
(s) = 2.48
10
6
C
SET
2
_______________________________________________________________________________________
SOT23封装，电源排序器
MAX6819/MAX6820
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
t
延迟
与温度的关系
240
230
220
t
延迟
（女士）
210
200
190
180
170
160
150
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
(MAX6819)
MAX6819 TOC01
栅极导通时间
MAX6819 toc02
250
V
门
5V/div
C
负载
= 1500pF
1ms/div
温度（℃）
栅极关断时间
MAX6819 toc03
V
CC2
与栅极电压
MAX6819 toc04
12
10
V
SETV
500mV/div
8
V
门
(V)
6
4
2
V
CC1
= +3.3V
V
SETV
= 1V
V
门
5V/div
C
负载
= 1500pF
0
20s/div
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
V
CC2
与栅极电压
MAX6819 toc05
V
CC2
与栅极电压
MAX6819 toc06
12
10
8
V
门
(V)
12
10
8
V
门
(V)
6
4
2
0
0
V
CC1
= 0
V
SETV
= 1V
6
4
2
0
V
CC1
= +3.3V
V
SETV
= V
CC2
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
_______________________________________________________________________________________
3
SOT23封装，电源排序器
MAX6819/MAX6820
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
SETV
与温度的关系
MAX6819 toc07
电源电流与温度的关系
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
V
CC1
= +3.3V
V
CC2
= +5V
MAX6819 toc08
0.65
0.64
0.63
V
SETV
(V)
0.62
0.61
0.60
0.59
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
温度（℃）
114
112
I
CC2
电源电流（ μA ）
110
108
106
104
102
100
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
V
CC2
= +3.3V
V
CC1
= +5V
-40 -20
0
20
40
60
80
100
I
CC1
120
温度（℃）
I
CC2
与V
CC2
MAX6819 toc09
I
CC2
与V
CC2
140
120
100
I
CC2
(A)
80
60
V
CC1
= 3.3V
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
MAX6819 toc10
140
120
100
I
CC2
(A)
80
60
40
20
0
0
1
2
3
V
CC2
(V)
4
5
6
V
CC1
= 0
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
40
20
0
0
1
2
3
V
CC2
(V)
4
5
6
4
_______________________________________________________________________________________
SOT23封装，电源排序器
引脚说明
针
名字
MAX6819
1
2
3
MAX6820
1
2
3
V
CC1
GND
SETV
电源电压1.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使
外部MOSFET驱动器。
地
序列阈值设置。连接到一个外部电阻分压器网络设置
V
CC1
阈值，使门开启。内部基准电压是0.618V 。
高电平有效使能。栅极驱动启用吨
延迟
经过EN驱动为高电平。门
当EN为低电平驱动器被立即禁用。连接到V的较高
CC1
和V
CC2
如果不使用。
门延迟设置输入。从SETD连接一个外部电容到GND调整
从SETV > V延迟
TH
到栅极导通。吨
延迟
（多个） = 2.484 ×10
6
乘C
SET
(F).
栅极驱动输出。栅极驱动一个外部N沟道MOSFET连接V
CC2
to
的负载。栅极驱动使吨
延迟
SETV超过V后
TH
和ENABLE驱动
高。当SETV低于V栅极驱动被立即禁用
TH
或启用的
驱动为低电平。当启用时，内部电荷泵驱动GATE到V
CC2
+ 5.5V至
全面提升外部N沟道MOSFET 。
电源电压2.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使
外部MOSFET驱动器。
V
CC1
V
CC2
V
CC2
OUT
门
MAX6819/MAX6820
功能
4
—
EN
—
4
SETD
5
5
门
6
6
V
CC2
详细说明
许多双电源或处理器的多电压板
需要一个电源上升到适当的operat-
荷兰国际集团的另一个电压电源应用之前。不当
测序可以导致芯片闭锁，不正确的设备
起始或长期可靠性的退化。如果将得到变量
不是本地产生的OU电源电压（即将
从主系统总线，一外部购买的银
框或nonsequenced电源管理芯片） ，
上电和断电排序可能很难
控制或预测。供应负荷会影响开启
上/从船上关断时间登机。
该MAX6819 / MAX6820提供合适的当地电压
测序在多电源系统。该测序仪使用
外部n沟道MOSFET切换二次
提供给负载只有当主电源电压高于
所希望的工作电压阈值。 n沟道
MOSFET的工作在默认的关闭模式时的主
电源电压低于所需的阈值，或者如果没有供应
超音序器的UVLO水平。
当主供电电压高于设定的
阈值时，外部MOSFET被驱动的。一个跨
最终电荷泵全面增强了外部MOSFET
通过提供栅极到源极电压（V
GS
）的+ 5.5V
（典型值） 。电荷泵充分提高了的MOSFET来
产生低的漏 - 源阻抗（R
DS （ ON）
）的
降低开关管的电压降。 MOSFET被永远DRI-
UVLO
SETV
顺序
DELAY /
逻辑
0.62V
栅极驱动器
电荷泵
GND
（ ） FOR MAX6820 ONLY
EN （ SETD ）
图1.功能框图
体ven ，除非音序器可以提供最低
V
GS
增强，保证了开关的MOSFET
从来没有工作在高阻抗的线性范围。
任一电源可充当的主要来源，考虑以下各项
以下的电压电平的，其前提是V
CC1
或V
CC2
is
比2.125V （图1和图2 ）的值。
_______________________________________________________________________________________
5
19-1951 ;冯0 ; 1/01
SOT23封装，电源排序器
概述
在MAX6819 / MAX6820的电源定序器
双电压微处理器（的μP ）和multivolt-
年龄的系统。这些设备监测主电源
电压和启用/禁用外部N沟道
MOSFET开关的二次电源电压。该
MAX6819 / MAX6820控制本地组件的电压
测序时，系统上电/断电字符
开创性意义不能得到保证（供应来自
多电压系统总线，银框，或者必须
测序在不同的模式上的组件
同样的板） 。这些小的电源定序器
提高系统的可靠性。
该MAX6819 / MAX6820包含一个内部电压基准
erence /比较器具有外部可调阈值
孩子监视主电源。当
主电源低于所需的阈值，一个外部
最终二次电源MOSFET开关处于关闭状态。
当主电源超过了阈值，
内部电荷泵被激活，且外部
MOSFET开关被使能连接的次级
提供给负载。电荷泵充分提高了
N沟道MOSFET开关，以提供非常低R
DS-
ON
电压降。该设备可以连接到
支持各种电源排序优先级，如
V
I / O
前V
CORE
或V
CORE
前V
I / O
.
该MAX6819具有逻辑驱动EN输入
启用/禁用外部MOSFET驱动器，包括
内部固定的200ms启用超时时间
(V
PRIMARY GOOD
到V
二次启用
） 。该
MAX6820允许启用超时时间是
一个外部电容器调节。这两款器件
指定在汽车级温度范围
（ -40 ° C至+ 125°C ），并在提供节省空间
6引脚SOT23封装。
特点
o
可调式主电源电压监控器
（监视低至0.62V ）
o
内部电荷泵提升外部
二级供应N沟道MOSFET开关
o
延迟从主电源到好中学
供应已启用
工厂固定为200ms （ MAX6819 ）
电容可调（ MAX6820 ）
o
逻辑驱动使能输入（ MAX6819 ）
o
免疫短电压瞬变
o
很少的外部元件
o
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
o
小型6引脚SOT23封装
MAX6819/MAX6820
订购信息
部分
MAX6819UT-T
MAX6820UT-T*
TEMP 。 RANGE
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
PIN的
包
6 SOT23-6
6 SOT23-6
顶部
标志
AARF
AARG
*未来产品，请联络厂方availablitly 。
产品必须在2500片为单位订购。
典型工作电路
主电源
(3.3V)
第二路电源
(1.8V)
V
CC2
门
双电源
董事会或
P
MAX6819
V
CC1
GND
应用
双电压微处理器
多电压系统
数字信号处理器
电源PC系列处理器
顶视图
ON
SETV
EN
关闭
销刀豆网络gurations
引脚配置和典型工作电路
继续在数据表的末尾。
V
CC1
1
6
V
CC2
GND
2
MAX6819
5
门
PC电源是IBM公司的注册商标。
SETV
3
4
EN
SOT23-6
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于价格，交货，并下订单，请联系马克西姆分布在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
SOT23封装，电源排序器
MAX6819/MAX6820
绝对最大额定值
参考GND
V
CC1
, V
CC2
， EN ................................................ .....- 0.3V至+ 6.0V
SETV ， SETD ..................- 0.3V至较高（V
CC1
+ 0.3V ）和
(V
CC2
+ 0.3V)
门................................................. ..................- 0.3V至+ 12.0V
输入电流/输出电流（所有引脚） ............................... 20毫安
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6引脚SOT23封装（减免8.7MW / ° C以上+ 70 ° C） ............ 696mW
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接10秒） ................................. + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V至+ 5.5V ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有规定。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
工作电压范围
V
CC1
, V
CC2
电源电流
V
CC1
, V
CC2
禁用模式电流
V
CC1
, V
CC2
压摆率
欠压锁定（ UVLO ）
SETV门槛
SETV输入电流
SETV阈值迟滞
SETV到门延迟
SETD斜坡电流（ MAX6820 ）
SETD电压（ MAX6820 ）
SETD阈值迟滞
(MAX6820)
栅极导通时间
栅极关断时间
t
ON
t
关闭
t
延迟
I
SETD
V
SETD
V
UVLO
V
TH
V
SETV
上升，使GATE
（注3）
V
SETV
落，禁止GATE
V
SETV
＆ GT ; V
TH
, V
EN
≥
2V （ MAX6819 ）
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V
V
SETD
落下
C
门
= 1500pF ，V
CC2
= +3.3V, V
门
= +7.8V
C
门
= 1500pF ，V
CC2
= +3.3V, V
门
= +0.5V
相到V
CC2
（注2 ）
R
门
＆ GT ; 50MΩ到V
CC2
相到V
CC2
（注2 ）
R
门
＆ GT ; 5MΩ到V
CC2
V
CC1
或V
CC2
＆ GT ; + 2.125V至+ 5.5V
4.5
4.0
0.5
140
400
1.210
符号
V
CC1
,
V
CC2
I
CC
（注2 ）
V
CC1
= V
CC2
= +3.3V
V
CC1
= V
CC2
= + 3.3V ， EN = GND
（注3）
6
1.875
0.602
2.0
0.618
10
-1
200
500
1.242
-62
1.5
30
5.5
6.0
V
6.0
0.4
2.0
V
10
280
600
1.273
2.125
0.634
100
条件
民
0.9
60
20
典型值
最大
5.5
120
单位
V
A
A
V / S
V
V
nA
%
ms
nA
V
mV
ms
s
栅极电压
V
门
EN输入电压
V
IL
V
IH
注1 ：
在T 100 ％生产测试
A
= + 25°C 。产品规格超过温度上限由设计保证。
注2 ：
无论是V
CC1
或V
CC2
必须是> 2.125V 。其他的电源可以为0 。
注3 ：
通过设计保证，但未经生产测试。
2
_______________________________________________________________________________________
SOT23封装，电源排序器
典型工作特性
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAX6819/MAX6820
t
延迟
与温度的关系
240
230
220
t
延迟
（女士）
210
200
190
180
170
160
150
-40 -20
0
20
40
60
80 100 120
(MAX6819)
MAX6819 TOC01
栅极导通时间
MAX6819 toc02
250
V
门
5V/div
C
负载
= 1500pF
1ms/div
温度（℃）
栅极关断时间
MAX6819 toc03
V
CC2
与V
门
MAX6819 toc04
12
10
V
SETV
500mV/div
8
V
门
(V)
6
4
2
V
CC1
= +3.3V
V
SETV
= 1V
V
门
5V/div
C
负载
= 1500pF
0
20s/div
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
V
CC2
与V
门
MAX6819 toc05
V
CC2
与V
门
MAX6819 toc06
12
10
8
V
门
(V)
6
4
2
0
0
12
10
8
V
门
(V)
V
CC1
= 0
V
SETV
= 1V
6
4
2
0
V
CC1
= +3.3V
V
SETV
= V
CC2
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V
CC2
(V)
_______________________________________________________________________________________
3
SOT23封装，电源排序器
AMAX6819/MAX6820
典型工作特性（续）
(T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
V
SETV
与温度的关系
MAX6819 toc07
电源电流与温度的关系
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
V
CC1
= +3.3V
V
CC2
= +5V
MAX6819 toc08
0.65
0.64
0.63
V
SETV
(V)
0.62
0.61
0.60
0.59
-40 -20
0
20
40
60
80
100 120
温度（℃）
114
112
I
CC2
电源电流（ μA ）
110
108
106
104
102
100
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
V
CC2
= +3.3V
V
CC1
= +5V
-40 -20
0
20
40
60
80
100
I
CC1
120
温度（℃）
I
CC2
与V
CC2
MAX6819 toc09
I
CC2
与V
CC2
140
120
100
I
CC2
(A)
80
60
V
CC1
= 3.3V
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
MAX6819 toc10
140
120
100
I
CC2
(A)
80
60
40
20
0
0
1
2
3
V
CC2
(V)
4
5
6
V
CC1
= 0
V
EN
= 2V
V
SETV
= 2V
40
20
0
0
1
2
3
V
CC2
(V)
4
5
6
4
_______________________________________________________________________________________
SOT23封装，电源排序器
引脚说明
针
名字
MAX6819
1
2
3
MAX6820
1
2
3
V
CC1
GND
SETV
电源电压1.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使
外部MOSFET驱动器。
地
序列阈值设置。连接到一个外部电阻分压器网络设置
V
CC1
阈值，使门开启。内部基准电压是0.618V 。
高电平有效使能。栅极驱动启用吨
延迟
经过EN驱动为高电平。门
当EN为低电平驱动器被立即禁用。连接到V的较高
CC1
和V
CC2
如果不使用。
门延迟设置输入。从SETD连接一个外部电容到GND调整
从SETV > V延迟
TH
到栅极导通。吨
延迟
（S ） = 2.484e6乘C
SET
(F).
栅极驱动输出。栅极驱动一个外部N沟道MOSFET连接V
CC2
to
的负载。栅极驱动使吨
延迟
SETV超过V后
TH
和ENABLE驱动
高。当SETV低于V栅极驱动被立即禁用
TH
或启用的
驱动为低电平。当启用时，内部电荷泵驱动GATE到V
CC2
+ 5.5V至
全面提升外部N沟道MOSFET 。
电源电压2.无论是V
CC1
或V
CC2
必须大于欠压锁定，使
外部MOSFET驱动器。
V
CC1
V
CC2
V
CC2
OUT
门
MAX6819/MAX6820
功能
4
—
EN
—
4
SETD
5
5
门
6
6
V
CC2
详细说明
许多双电源或处理器的多电压板
需要一个电源上升到适当的operat-
荷兰国际集团的另一个电压电源应用之前。不当
测序可以导致芯片闭锁，不正确的设备
起始或长期可靠性的退化。如果将得到变量
不是本地产生的OU电源电压（即将
从主系统总线，一外部购买的银
框或nonsequenced电源管理芯片） ，
上电和断电排序可能很难
控制或预测。供应负荷会影响开启
上/从船上关断时间登机。
该MAX6819 / MAX6820提供合适的当地电压
测序在多电源系统。该测序仪
使用一个外部N沟道MOSFET切换节
继发供给到负载的主电源，只有当
高于所期望的工作电压阈值。的N-
沟道MOSFET工作在默认的关闭模式时
主电源低于期望的阈值，或者如果
既不供大于求的音序器的UVLO水平。
当主供电电压高于设定的
阈值时，外部MOSFET被驱动的。一个跨
最终电荷泵全面增强了外部MOSFET
通过提供栅极到源极电压（V
GS
）的+ 5.5V
（典型值） 。电荷泵充分提高了的MOSFET来
产生低的漏 - 源阻抗（R
DS （ ON）
）的
UVLO
SETV
顺序
DELAY /
逻辑
0.62V
栅极驱动器
电荷泵
GND
（ ） FOR MAX6820 ONLY
EN （ SETD ）
图1.功能框图
降低开关管的电压降。 MOSFET被永远DRI-
体ven ，除非音序器可以提供最低
V
GS
增强，保证了开关的MOSFET
从来没有工作在高阻抗的线性范围。
任一电源可充当的主要来源，考虑以下各项
以下的电压电平的，其前提是V
CC1
或V
CC2
is
大于2.125V （图
1和图2）。
5
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