19-3778 ;第七版; 8/09
KIT
ATION
EVALU
BLE
AVAILA
72V ，过压保护开关/
限幅控制器，外置MOSFET
概述
在MAX6495 - MAX6499是一个家庭的小尺寸，低电流
租金，高电压过压保护电路
瞬时系统，如在汽车中找到
和工业应用。这些设备监控
输入电压和控制外部n沟道MOSFET
开关的输入时，分离出负载在输出
过压状态。在MAX6495 - MAX6499工作
在很宽的电源电压范围为+ 5.5V至+ 72V 。
n沟道MOSFET的栅极被驱动为高，而
所监视的输入低于用户可调的过
电压阈值。一个集成的电荷泵电路
提供一个10V的栅极 - 源极电压，以充分提高
的n沟道MOSFET 。当输入电压
超过用户调整的过压阈值，则
MOSFET的栅极被迅速拉低， disconnect-
安泰从输入的负载。在某些应用中，显示
连接来自负载的输出是不期望的。在
这些情况下，保护电路可以被配置为
充当电压限制器，其中所述门控输出saw-
tooths的电压限制到负载（ MAX6495 /
MAX6496/MAX6499).
在MAX6496支持较低的输入电压和
通过更换外部反向降低了功率损耗
电池二极管与外部串联p沟道MOSFET 。
在MAX6496产生合适的偏置电压
确保了p沟道MOSFET是在正常
操作。栅极 - 源极电压被钳位很好地协同
荷兰国际集团抛负载的条件下，与p沟道MOSFET
在电池反接情况下是关闭的。
该MAX6497 / MAX6498拥有一个漏极开路， undedi-
cated比较器，其通知系统，如果输出
下降到低于设定的阈值。在MAX6497
保持锁定状态，直到MOSFET开关无论是
输入功率或
SHDN
引脚循环。在MAX6498
何时会自动重试V
OVSET
低于130mV 。
这些器件提供小型，热
增强型6引脚和8引脚TDFN封装，是
从-40 ° C至+ 125°C完全指定。
特点
o
宽电源电压范围： + 5.5V至+ 72V
o
过压保护开关控制器允许
用户对尺寸外部N沟道MOSFET
o
快速门关断过电压时提供100mA
吸收能力
o
内部电荷泵电路确保10V
栅 - 源电压增强的低R
DS （ ON）
性能
o
n沟道MOSFET闭锁后的
过压状态（ MAX6497 / MAX6499 ）
o
可调过压门限
o
热关断保护
o
支持系列P沟道MOSFET的反接
电池欠压保护（ MAX6496 ）
o
POK指示器（ MAX6497 / MAX6498 ）
o
可调节的欠压门限（ MAX6499 ）
o
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
o
小型的3mm x 3mm TDFN封装
MAX6495–MAX6499
订购信息
部分
MAX6495ATT+T
MAX6495ATT/V+T
PIN- PACKAGE
6 TDFN -EP *
6 TDFN -EP *
顶标
AJM
八月
订购信息不断在数据表的末尾。
注意：
所有器件均工作在-40 ° C至+ 125 ° C的工作
温度范围。
+表示
一个铅（Pb ） - 免费/符合RoHS标准的封装。
T =卷带包装。
* EP
=裸焊盘。
/V
表示汽车合格一部分。
选型指南在数据资料的最后。
销刀豆网络gurations
顶视图
OUTFB
6
门
5
GND
4
应用
汽车
产业
电信/服务器/网络
火线
笔记本电脑
1
IN
MAX6495
2
SHDN
3
OVSET
采用3mm x 3mm TDFN封装
FireWire是苹果电脑公司的注册商标。
引脚配置继续在数据表的末尾。
1
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
对于定价，交付和订购信息，请联系马克西姆直接在1-888-629-4642 ，
或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
72V ，过压保护开关/
限幅控制器，外置MOSFET
MAX6495–MAX6499
绝对最大额定值
（所有引脚参考GND ）。
IN， GATE ， GATEP ............................................. ......- 0.3V至+ 80V
SHDN ， CLEAR
.............................................- 0.3V至（ V
IN
+ 0.3V)
POK ， OUTFB ............................................... ...........- 0.3V至+ 80V
门OUTFB ............................................... ......- 0.3V至+ 12V
GATEP至IN ............................................... ............- 12V至+ 0.3V
OVSET ， UVSET ， POKSET .......................................- 0.3V至+ 12V
灌/拉电流（所有引脚） .......................................... ... 50毫安
所有其他引脚与GND ..................................- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6引脚TDFN （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 1455mW
8引脚TDFN （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 1455mW
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 60 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= 14V ，C
门
= 6NF ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源电压范围
符号
V
IN
SHDN
=高
SHDN
=低（ MAX6497 / MAX6498 /
MAX6499)
SHDN
=低（ MAX6495 / MAX6496 ）
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
OVSET阈值电压
(MAX6495/MAX6496)
OVSET阈值迟滞
(MAX6495/MAX6496)
OVSET阈值电压
(MAX6497/MAX6498)
OVSET阈值电压
(MAX6499)
UVSET阈值电压
(MAX6499)
OVSET / UVSET阈值
滞后（ MAX6499 ）
POKSET阈值电压
(MAX6497/MAX6498)
POKSET门槛
滞后（ MAX6497 /
MAX6498)
OVSET ， UVSET ， POKSET
输入电流
启动响应时间
门上升时间
V
TH +
V
TH-
V
HYST
V
TH +
V
TH-
V
TH +
V
TH-
V
TH +
V
TH-
V
HYST
V
IN
上升，使GATE
V
IN
落，禁止GATE
OVSET上升
OVSET下降
OVSET下降
OVSET上升
OVSET下降
OVSET上升
OVSET下降
UVSET上升
UVSET下降
OVSET下降
1.22
1.22
1.22
0.494
1.22
4.75
条件
民
5.5
100
15
24
5
155
1.24
1.18
5
0.505
0.13
1.24
1.18
1.24
1.18
5
1.24
1.18
5
1.26
1.26
1.26
0.518
1.26
典型值
最大
72.0
150
24
32
5.25
V
mV
V
%
V
V
V
%
V
A
单位
V
输入电源电流
I
IN
空载
V
POKSET +
POKSET上升
V
POKSET-
POKSET下降
V
HYST
POKSET下降
%
I
SET
t
开始
SHDN
上升（注2）
GATE上升，从GND到V
OUTFB
+ 8V,
OUTFB = GND
-50
100
1
+50
nA
s
ms
2
_______________________________________________________________________________________
72V ，过压保护开关/
限幅控制器，外置MOSFET
电气特性（续）
(V
IN
= 14V ，C
门
= 6NF ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
OVSET到门传播
延迟
UVSET到门， POKSET到
POK传播延迟
GATE输出高电压
GATE输出低电压
GATE电荷泵电流
门OUTFB钳
电压
IN至GATEP输出低
电压
IN至GATEP钳位电压
SHDN ， CLEAR
逻辑高
输入电压
SHDN ， CLEAR
逻辑低电平
输入电压
SHDN
输入脉冲宽度
明确
输入脉冲宽度
SHDN ， CLEAR
输入
下拉电流
热关断
热关断
迟滞
POKSET到POK延迟
(MAX6497/MAX6498)
POK输出低电压
(MAX6497/MAX6498)
POK泄漏电流
(MAX6497/MAX6498)
V
OL
V
IN
≥
14V ， POKSET = GND ，我
SINK
= 3.2毫安
V
IN
≥
2.8V ， POKSET = GND ，我
SINK
= 100A
V
POKSET
= 14V
SHDN
在内部下拉至GND
（注3）
0.6
V
IH
V
IL
7
0.5
1.0
+160
20
35
0.4
0.4
100
1.4
V
OH
V
OL
I
门
V
CLMP
I
GATEP
_
SINK
= 75μA ，我
GATEP
_
来源
= 1A
V
IN
= 24V ，我
GATEP
_
来源
= 10A
符号
t
OV
条件
从V SET上升
TH
- 为100mV到V
TH
+ 100mV的
POKSET ， UVSET下降从V
TH
+ 100mV的到
V
TH
- 为100mV
V
OUTFB
= V
IN
= 5.5V ，R
门
至IN = 1MΩ
V
OUTFB
= V
IN，
V
IN
≥
14V ，R
门
至IN = 1MΩ
GATE下沉15毫安， OUTFB = GND
V
IN
= 5.5V ， GATE下沉1mA时， OUTFB = GND
GATE = GND
12
7.5
12
1.4
V
0.4
s
s
A
°C
°C
s
V
nA
100
18
11.7
18
20
V
IN
+ 3.4 V
IN
+ 3.8 V
IN
+ 4.2
V
IN
+ 8 V
IN
+ 10 V
IN
+ 11
1
0.9
民
典型值
最大
0.6
单位
s
s
V
V
A
V
V
V
MAX6495–MAX6499
注1 ：
规格与T
A
= -40°C通过设计保证，而不是生产测试。
注2 ：
在MAX6495 - MAX6499上电，在关闭模式下，外部MOSFET （V
门
= GND） 。外部MOSFET导通
t
开始
所有输入条件后是有效的。
注3 ：
为了获得精确的过温关断性能，将设备与外部MOSFET紧密热接触。
_______________________________________________________________________________________
3
72V ，过压保护开关/
限幅控制器，外置MOSFET
MAX6495–MAX6499
典型工作特性
(V
IN
= + 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
电源电流
- 电源电压
MAX6495 TOC01
电源电流与温度的关系
MAX6495 toc02
关断电源电流
- 电源电压
关断电源电流（ μA ）
SET = GND ， SHDN = GND
MAX6496
40
MAX6495 toc03
120.0
SET = GND ，增强门
117.5
电源电流（ μA ）
115.0
112.5
110.0
107.5
105.0
50
135
电源电流（ μA ）
110
85
60
35
10
5
SET = GND ，增强门
30
20
102.5
100.0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
10
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
栅极电压与电源电压
MAX6495 toc04
GATEP电压与电源电压
MAX6495 toc05
UVLO阈值与温度的关系
5.4
5.3
UVLO门限（ V）
5.2
5.1
5.0
4.9
4.8
4.7
4.6
落下
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
升起
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
MAX6495 toc06
12
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
9
12
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
9
V
IN
- V
GATEP
(V)
5.5
V
门
- V
IN
(V)
6
6
3
3
0
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
0
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
4.5
设定的阈值与温度
MAX6495 toc07
门OUTFB钳位电压
与温度的关系
16.4
16.3
V
门
- V
OUTFB
(V)
16.2
16.1
16.0
15.9
15.8
15.7
SET = OUTFB = GND
在SHDN =
MAX6495 toc08
1.40
在SHDN =
1.35
设定的阈值（ V）
1.30
1.25
1.20
1.15
落下
1.10
升起
16.5
15.6
15.5
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4
_______________________________________________________________________________________
72V ，过压保护开关/
限幅控制器，外置MOSFET
典型工作特性（续）
(V
IN
= + 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
MAX6495–MAX6499
STARTUP波形
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc09
STARTUP从关机状态
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc10
V
IN
10V/div
V
门
10V/div
V
SHDN
1V/div
V
门
10V/div
V
OUT
10V/div
V
OUT
10V/div
400s/div
400s/div
过电压开关故障
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc11
过电压限制器
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc12
V
IN
20V/div
V
IN
20V/div
V
门
20V/div
V
门
20V/div
V
OUT
20V/div
200s/div
V
OUT
20V/div
跳变门限= 28V
400s/div
_______________________________________________________________________________________
5
19-3778 ;冯0 ; 7/05
72V ，过压保护开关/限幅
控制器，外置MOSFET
概述
在MAX6495 - MAX6499是一个家庭的小尺寸，低电流
租金，高电压过压保护电路
瞬时系统，如在汽车中找到
和工业应用。这些设备监控
输入电压和控制外部n沟道MOSFET
开关的输入时，分离出负载在输出
过压状态。在MAX6495 - MAX6499工作
在很宽的电源电压范围为+ 5.5V至+ 72V 。
n沟道MOSFET的栅极被驱动为高，而
所监视的输入低于用户可调的过
电压阈值。一个集成的电荷泵电路
提供一个10V的栅极 - 源极电压，以充分提高
的n沟道MOSFET 。当输入电压
超过用户调整的过压阈值，则
MOSFET的栅极被迅速拉低， disconnect-
安泰从输入的负载。在某些应用中，显示
连接来自负载的输出是不期望的。在
这些情况下，保护电路可以被配置为
充当电压限制器，其中所述门控输出saw-
tooths的电压限制到负载（ MAX6495 /
MAX6496/MAX6499).
在MAX6496支持较低的输入电压和
通过更换外部反向降低了功率损耗
电池二极管与外部串联p沟道MOSFET 。
在MAX6496产生合适的偏置电压
确保了p沟道MOSFET是在正常
操作。栅极 - 源极电压被钳位很好地协同
荷兰国际集团抛负载的条件下，与p沟道MOSFET
在电池反接情况下是关闭的。
该MAX6497 / MAX6498拥有一个漏极开路， undedi-
cated比较器，其通知系统，如果输出
下降到低于设定的阈值。在MAX6497
保持锁定状态，直到MOSFET开关无论是
输入功率或
SHDN
引脚循环。在MAX6498
何时会自动重试V
OVSET
低于130mV 。
这些器件提供小型，热
增强型6引脚和8引脚TDFN封装，是
从-40 ° C至+ 125°C完全指定。
特点
宽电源电压范围： + 5.5V至+ 72V
过压保护开关控制器允许
用户对尺寸外部N沟道MOSFET
快速门关断过电压时提供100mA
吸收能力
内部电荷泵电路确保10V
栅 - 源电压增强的低R
DS （ ON）
性能
n沟道MOSFET闭锁后的
过压状态（ MAX6497 / MAX6499 ）
可调过压门限
热关断保护
支持系列P沟道MOSFET的反接
电池欠压保护（ MAX6496 ）
POK指示器（ MAX6497 / MAX6498 ）
可调节的欠压门限（ MAX6499 ）
-40 ° C至+ 125 ° C工作温度范围
小型的3mm x 3mm TDFN封装
MAX6495–MAX6499
订购信息
部分
MAX6495ATT+T
MAX6496ATA+T
温度范围
-40°C至+ 125°C
-40°C至+ 125°C
PIN的
包
6 TDFN - 6
8 TDFN - 8
顶部
标志
AJM
AOF
订购信息不断在数据表的末尾。
+表示
无铅封装。
选型指南在数据资料的最后。
销刀豆网络gurations
顶视图
OUTFB
6
门
5
GND
4
应用
汽车
产业
电信/服务器/网络
火线
笔记本电脑
1
IN
MAX6495
2
SHDN
3
OVSET
采用3mm x 3mm TDFN封装
FireWire是苹果电脑公司的注册商标。
引脚配置继续在数据表的末尾。
1
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
72V ，过压保护开关/限幅
控制器，外置MOSFET
MAX6495–MAX6499
绝对最大额定值
（所有引脚参考GND ）。
IN， GATE ， GATEP ............................................. ......- 0.3V至+ 80V
SHDN ， CLEAR
.............................................- 0.3V至（ V
IN
+ 0.3V)
POK ， OUTFB ............................................... ...........- 0.3V至+ 80V
门OUTFB ............................................... ......- 0.3V至+ 12V
GATEP至IN ............................................... ............- 12V至+ 0.3V
OVSET ， UVSET ， POKSET .......................................- 0.3V至+ 12V
灌/拉电流（所有引脚） .......................................... ... 50毫安
所有其他引脚与GND ..................................- 0.3V至（V
IN
+ 0.3V)
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
6引脚TDFN （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 1455mW
8引脚TDFN （减免18.2mW / ° C以上+ 70 ° C） ......... 1455mW
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 60 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
IN
= 14V ，C
门
= 6NF ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源电压范围
符号
V
IN
SHDN
=高
SHDN
=低（ MAX6497 / MAX6498 /
MAX6499)
SHDN
=低（ MAX6495 / MAX6496 ）
欠压锁定
欠压锁定
迟滞
OVSET阈值电压
(MAX6495/MAX6496)
OVSET阈值迟滞
(MAX6495/MAX6496)
OVSET阈值电压
(MAX6497/MAX6498)
OVSET阈值电压
(MAX6499)
UVSET阈值电压
(MAX6499)
OVSET / UVSET阈值
滞后（ MAX6499 ）
POKSET阈值电压
(MAX6497/MAX6498)
POKSET门槛
滞后（ MAX6497 /
MAX6498)
OVSET ， UVSET ， POKSET
输入电流
启动响应时间
门上升时间
V
TH +
V
TH-
V
HYST
V
TH +
V
TH-
V
TH +
V
TH-
V
TH +
V
TH-
V
HYST
V
IN
上升，使GATE
V
IN
落，禁止GATE
OVSET上升
OVSET下降
OVSET下降
OVSET上升
OVSET下降
OVSET上升
OVSET下降
UVSET上升
UVSET下降
OVSET下降
1.22
1.22
1.22
0.494
1.22
4.75
条件
民
5.5
100
15
24
5
155
1.24
1.18
5
0.505
0.13
1.24
1.18
1.24
1.18
5
1.24
1.18
5
1.26
1.26
1.26
0.518
1.26
典型值
最大
72.0
150
24
32
5.25
V
mV
V
%
V
V
V
%
V
A
单位
V
输入电源电流
I
IN
空载
V
POKSET +
POKSET上升
V
POKSET-
POKSET下降
V
HYST
POKSET下降
%
I
SET
t
开始
SHDN
上升（注2）
GATE上升，从GND到V
OUTFB
+ 8V,
OUTFB = GND
-50
100
1
+50
nA
s
ms
2
_______________________________________________________________________________________
72V ，过压保护开关/限幅
控制器，外置MOSFET
电气特性（续）
(V
IN
= 14V ，C
门
= 6NF ，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
OVSET到门传播
延迟
UVSET到门， POKSET到
POK传播延迟
GATE输出高电压
GATE输出低电压
GATE电荷泵电流
门OUTFB钳
电压
IN至GATEP输出低
电压
IN至GATEP钳位电压
SHDN ， CLEAR
逻辑高
输入电压
SHDN ， CLEAR
逻辑低电平
输入电压
SHDN
输入脉冲宽度
明确
输入脉冲宽度
SHDN ， CLEAR
输入
下拉电流
热关断
热关断
迟滞
POKSET到POK延迟
(MAX6497/MAX6498)
POK输出低电压
(MAX6497/MAX6498)
POK泄漏电流
(MAX6497/MAX6498)
V
OL
V
IN
≥
14V ， POKSET = GND ，我
SINK
= 3.2毫安
V
IN
≥
2.8V ， POKSET = GND ，我
SINK
= 100A
V
POKSET
= 14V
SHDN
在内部下拉至GND
（注3）
0.6
V
IH
V
IL
7
0.5
1.0
+160
20
35
0.4
0.4
100
1.4
V
OH
V
OL
I
门
V
CLMP
I
GATEP
_
SINK
= 75μA ，我
GATEP
_
来源
= 1A
V
IN
= 24V ，我
GATEP
_
来源
= 10A
符号
t
OV
条件
从V SET上升
TH
- 为100mV到V
TH
+ 100mV的
POKSET ， UVSET下降从V
TH
+ 100mV的到
V
TH
- 为100mV
V
OUTFB
= V
IN
= 5.5V ，R
门
至IN = 1MΩ
V
OUTFB
= V
IN，
V
IN
≥
14V ，R
门
至IN = 1MΩ
GATE下沉20mA时， OUTFB = GND
V
IN
= 5.5V ， GATE下沉1mA时， OUTFB = GND
GATE = GND
12
7.5
12
1.4
V
0.4
s
s
A
°C
°C
s
V
nA
100
18
11.7
18
V
IN
+ 8
20
V
IN
+ 3.4 V
IN
+ 3.8 V
IN
+ 4.2
V
IN
+ 10
V
IN
+ 11
1
0.9
民
典型值
最大
0.6
单位
s
s
V
V
A
V
V
V
MAX6495–MAX6499
注1 ：
规格为-40 ° C的设计，而不是生产测试保证。
注2 ：
在MAX6495 - MAX6499上电，在关闭模式下，外部MOSFET （V
门
= GND） 。外部MOSFET导通
t
开始
所有输入条件后是有效的。
注3 ：
为了获得精确的过温关断性能，将设备与外部MOSFET紧密热接触。
_______________________________________________________________________________________
3
72V ，过压保护开关/限幅
控制器，外置MOSFET
MAX6495–MAX6499
典型工作特性
(V
IN
= + 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
电源电流
- 电源电压
MAX6495 TOC01
电源电流与温度的关系
SET = GND ，增强门
117.5
电源电流（ μA ）
115.0
112.5
110.0
107.5
105.0
MAX6495 toc02
关断电源电流
- 电源电压
关断电源电流（ μA ）
SET = GND ， SHDN = GND
MAX6496
40
MAX6495 toc03
120.0
50
135
电源电流（ μA ）
110
85
60
35
10
5
SET = GND ，增强门
30
20
102.5
100.0
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
10
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
栅极电压与电源电压
MAX6495 toc04
GATEP电压与电源电压
MAX6495 toc05
UVLO阈值与温度的关系
5.4
5.3
UVLO门限（ V）
5.2
5.1
5.0
4.9
4.8
4.7
4.6
落下
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
升起
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
MAX6495 toc06
12
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
9
12
SET = GND ， IN = OUTFB SHDN =
9
V
IN
- V
GATEP
(V)
5.5
V
门
- V
IN
(V)
6
6
3
3
0
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
0
5
15
25
35
45
55
65
75
电源电压（ V）
4.5
设定的阈值与温度
MAX6495 toc07
门OUTFB钳位电压
与温度的关系
16.4
16.3
V
门
- V
OUTFB
(V)
16.2
16.1
16.0
15.9
15.8
15.7
SET = OUTFB = GND
在SHDN =
MAX6495 toc08
1.40
在SHDN =
1.35
设定的阈值（ V）
1.30
1.25
1.20
1.15
落下
1.10
升起
16.5
15.6
15.5
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
4
_______________________________________________________________________________________
72V ，过压保护开关/限幅
控制器，外置MOSFET
MAX6495–MAX6499
典型工作特性（续）
(V
IN
= + 12V ，T
A
= + 25 ℃，除非另有说明。 ）
STARTUP波形
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc09
STARTUP从关机状态
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc10
V
IN
10V/div
V
门
10V/div
V
SHDN
1V/div
V
门
10V/div
V
OUT
10V/div
V
OUT
10V/div
400s/div
400s/div
过电压开关故障
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc11
过电压限制器
(C
IN
= 100μF ，C
OUT
= 10μF ，R
OUT
= 100)
MAX6495 toc12
V
IN
20V/div
V
IN
20V/div
V
门
20V/div
V
门
20V/div
V
OUT
20V/div
200s/div
V
OUT
20V/div
跳变门限= 28V
400s/div
_______________________________________________________________________________________
5
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