IEEE 802.3af PD接口和PWM控制器
集成功率MOSFET
MAX5953A/MAX5953B/MAX5953C/MAX5953D
绝对最大额定值
V +到V
EE
.................................................. ..............- 0.3V至+ 90V
OUT ， PGOOD ，
PGOOD
到V
EE
.....................- 0.3V至（V + + 0.3V ）
RCLASS ，门V
EE
...........................................- 0.3V至+ 12V
UVLO到V
EE
.................................................. .......... -0.3V至+ 8V
PGOOD到OUT ........................................... -0.3V到（V + + 0.3V ）
HVIN ， INBIAS ， DRNH ， XFRMRH ，
XFRMRL到GND ............................................... ..- 0.3V至+ 80V
BST到GND ............................................... ............ -0.3V至+ 95V
BST到XFRMRH ............................................... ..... -0.3V至+ 12V
PGND到GND ............................................... ........- 0.3V至+ 0.3V
DCUVLO ， RAMP ， CSS ， OPTO ， FLTINT ， RCFF ，
RTCT到GND ............................................... ...... -0.3V至+ 12V
SRC ， CS到GND ............................................. ......... -0.3V到+ 6V
REGOUT ， DRVIN到GND .......................................- 0.3V至+ 12V
REGOUT到HVIN ............................................... ... -80V至+ 0.3V
REGOUT到INBIAS ............................................... -80V至+ 0.3V
PPWM到GND ....................................- 0.3V至（V
REGOUT
+ 0.3V)
*按照JEDEC标准51 。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
最大输入/输出电流（连续）
OUT到V
EE
....................................................................500mA
V + ， RCLASS到V
EE
.........................................................70mA
UVLO ， PGOOD ，
PGOOD
到V
EE
.....................................20mA
门V
EE
....................................................................80mA
REGOUT到GND ............................................... ............. 50毫安
DRNH ， XFRMRH ， XFRMRL ， SRC至GND （平均） ，
T
J
= + 125°C ............................................. ..................... 0.9A
PPWM到GND ............................................... ............... ± 20毫安
连续功率耗散* （T
A
= +70°C)
48引脚TQFN封装采用7mm x 7mm
（减免27.8mW / ° C以上+ 70 ° C） ............................. 2222mW
θ
JA
................................................................................36°C/W
工作环境温度范围................ 0 ° C至+ 85°C
工作结温范围.............. 0 ° C至+ 125°C
结温................................................ ...... + 150°C
存储温度范围.............................- 60 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
电气特性
(V
IN
= (V+ - V
EE
） = 48V ， GATE = PGOOD =
PGOOD
=未连接， GND = OUT ， HVIN = V + ， UVLO = V
EE
, T
J
= 0 ° C至+ 125°C ，除非
另有说明。典型值是在T
J
= + 25°C 。所有电压都参考V
EE
中，除非另有说明。 ） （注1）
参数
检测模式
输入失调电流
有效的差分输入
电阻（注3）
分级模式
分级电流关断
门槛
V
TH ， CLASS
V
IN
上升（注4 ）
V
IN
= 12.6V
至20V ，
R
DISC
=
25.5k
（注5,6）
0级，R
RCLASS
= 10k
1级，R
RCLASS
= 732
类2，R
RCLASS
= 392
3级，R
RCLASS
= 255
4级，R
RCLASS
= 178
20.8
0
9.17
17.29
26.45
36.6
21.8
22.5
2
11.83
19.71
29.55
41.4
67
0.4
37.4
34.3
30
38.6
35.4
1
40.2
36.9
V
mA
V
V
mA
V
I
OFFSET
dR
V
IN
= 1.4V至10.1V （注2 ）
V
IN
= 1.4V ，高达10.1V与1V步
550
10
A
k
符号
条件
民
典型值
最大
单位
受电设备（ PD ）接口
当前分类
I
类
电源模式
工作电源电压
工作电源电流
默认的电源导通电压
默认的电源关断电压
V
IN
I
IN
V
UVLO ，ON
V
UVLO ，关
V
IN
= (V+ - V
EE
)
测量在V + ，不包括研究
DISC
,
GATE = V
EE
， HVIN = GND = OUT
V
IN
增加
MAX5953A/MAX5953C
MAX5953B/MAX5953D
V
IN
减少， MAX5953A / MAX5953C
2
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