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19-3502 ;第5版; 5/07
125V / 2A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
概述
该MAX5062 / MAX5063 / MAX5064的高频，
125V半桥， n沟道MOSFET驱动器驱动高
和低侧MOSFET中的高电压应用。
这些驱动器可以独立控制，并且它们的
典型值为35ns的传播延迟，从输入到输出，是
在3纳秒（典型值）相匹配。高电压操作
带之间非常低的和匹配的传播延迟
驱动程序和高源出/吸入电流能力的
散热增强型封装，使这些器件suit-
能够为高功率，高频率的电信电源
转换器。在125V最大输入电压范围亲
志愿组织充分的裕量的100V输入瞬态
电信标准的要求。可靠的片上
自举二极管连接V之间
DD
和BST消除
止数据的需要外部分立二极管。
该MAX5062A / C与MAX5063A / C提供两个nonin-
verting司机（见
选型指南） 。
该
MAX5062B / D与MAX5063B / D提供一个同相
高侧驱动器和一个反相低侧驱动器。该
MAX5064A / B提供每个驱动程序，可以将两个输入
无论是反相或同相。该MAX5062A / B / C / D
而MAX5064A功能的CMOS （V
DD
/ 2 ）逻辑输入。
该MAX5063A / B / C / D和MAX5064B功能TTL
逻辑输入。该MAX5064A / B包括一个突破直至─
进行调整输入，设置之间的死区时间
司机16ns至95ns 。该驱动程序可在
工业标准的8引脚SO封装和引脚的配置
化，并采用热增强型8引脚SO和12引脚
（采用4mm x 4mm ）薄型QFN封装。所有器件均工作
在-40° C至+ 125°C汽车级温度范围。
特点
HIP2100 / HIP2101引脚兼容（ MAX5062A /
MAX5063A)
高达125V的输入操作
8V至12.6V V
DD
输入电压范围
2A峰值源和灌电流驱动能力
35ns的典型传播延迟
保证为8ns传播延迟匹配
驱动器之间
可编程的突破之前，进行时序
(MAX5064)
高达1MHz的组合开关频率，而
驱动100nC栅极电荷（ MAX5064 ）
可在CMOS （V
DD
/ 2 ）或TTL逻辑电平
与滞后输入
截至输入的15V逻辑输入独立
电压
2.5pF的低输入电容
关断瞬间司机在故障或PWM
起止同步（ MAX5064 ）
低200μA电源电流
可用的组合版本
同相和反相驱动器（ MAX5062B / D
和MAX5063B / D ）
采用8引脚SO ，热增强型SO ，
和12引脚薄型QFN封装
MAX5062/MAX5063/MAX5064
订购信息
部分
温度范围
PIN的
顶部
PKG
包装标志代码
—
—
—
—
S8-5
S8-5
S8E-14
S8E-14
应用
电信半桥电源
双开关正激转换器
全桥转换器
有源钳位正激转换器
电源模块
电机控制
MAX5062AASA
-40 ° C至+ 125°C 8 SO
MAX5062BASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO
MAX5062CASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
MAX5062DASA -40 ° C至+ 125°C 8 SO- EP *
* EP
=裸露焊盘。
器件采用含铅提供无铅封装。
用“+ T”订货时替换“-T ”指定无铅。
订购信息不断在数据表的末尾。
选择指南
部分
MAX5062AASA
MAX5062BASA
MAX5062CASA
MAX5062DASA
高侧驱动器
同相
同相
同相
同相
低侧驱动器
同相
反相
同相
反相
逻辑电平
CMOS （V
DD
/ 2)
CMOS （V
DD
/ 2)
CMOS （V
DD
/ 2)
CMOS （V
DD
/ 2)
引脚兼容
HIP 2100IB
—
—
—
选型指南继续在数据表的末尾。
________________________________________________________________
Maxim Integrated Products版权所有
1
对于定价，交付和订购信息，请联系美信/达拉斯直接！在
1-888-629-4642 ，或访问Maxim的网站www.maxim-ic.com 。
125V / 2A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
MAX5062/MAX5063/MAX5064
绝对最大额定值
（所有的电压以GND为参考，除非另有说明。 ）
V
DD
， IN_H ， IN_L ， IN_L + ， IN_L- ， IN_H + ， IN_H -........- 0.3V至+ 15V
DL ， BBM ............................................... ......- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
HS ................................................. ...........................- 5V至130V +
卫生署HS ............................................... ......- 0.3V至（V
DD
+ 0.3V)
BST至HS ............................................... ................- 0.3V至+ 15V
AGND至PGND （ MAX5064 ） ..................................- 0.3V至+ 0.3V
的dV / dt的HS ............................................. ........................... 50V / ns的
连续功率耗散（T
A
= +70°C)
8引脚SO （减免5.9mW / ° C以上+ 70 ° C） ............... 470.6mW
8引脚SO带有裸焊盘（减免19.2mW / ℃，
高于+ 70 ° C） * ....... ......... 1538.5mW
12引脚薄型QFN封装（减免24.4mW / ℃，
高于+ 70 ° C） * ....... ......... 1951.2mW
最高结温..................................... + 150°C
工作温度范围.........................- 40 ° C至+ 125°C
存储温度范围.............................- 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（焊接， 10秒） ............... + 300℃
*根据JEDEC标准的51多层电路板。
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数和功能
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件，操作不暗示。接触
绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
电气特性
(V
DD
= V
BST
= + 8V至+ 12.6V ，V
HS
= GND = 0V ， BBM =开放，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在
V
DD
= V
BST
= + 12V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
电源
工作电源电压
V
DD
（注2 ）
IN_H = IN_L = GND
（无转换）
MAX5062_/
MAX5063_
MAX5064_
V
DD
工作电源电流
BST静态电源电流
BST工作电源电流
UVLO （V
DD
到GND）
UVLO （ BST至HS ）
UVLO迟滞
逻辑输入
输入逻辑高
V
1H-
MAX5062_/MAX5064A,
CMOS （V
DD
/ 2）版本
MAX5063_ / MAX5064B ， TTL版
输入逻辑低电平
V
金正日？
MAX5062_/MAX5064A,
CMOS （V
DD
/ 2）版本
MAX5063_ / MAX5064B ， TTL版
逻辑输入滞后
V
HYS
MAX5062_/MAX5064A,
CMOS （V
DD
/ 2）版本
MAX5063_ / MAX5064B ， TTL版
0.67 x
V
DD
2
0.55 x
V
DD
1.65
0.4 x
V
DD
1.4
1.6
0.25
0.33 x
V
DD
0.8
V
V
V
I
DDO
I
BST
I
BSTO
UVLO
VDD
UVLO
BST
f
SW
= 500kHz的，V
DD
= +12V
IN_H = IN_L = GND （无转换）
f
SW
= 500kHz的，V
DD
= V
BST
= +12V
V
DD
升起
BST上升
6.5
6.0
7.3
6.9
0.5
15
8.0
70
120
12.6
140
A
260
3
40
3
8.0
7.8
mA
A
mA
V
V
V
V
符号
条件
民
典型值
最大
单位
V
DD
静态电源电流
I
DD
2
_______________________________________________________________________________________
125V / 2A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
电气特性（续）
(V
DD
= V
BST
= + 8V至+ 12.6V ，V
HS
= GND = 0V ， BBM =开放，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在
V
DD
= V
BST
= + 12V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
符号
条件
V
IN_H +
, V
IN_L +
= 0V
逻辑输入电流
I_IN
V
IN_L
= V
DD
对于MAX5062B / D ， MAX5063B / D
V
IN_H-
, V
IN_L-
, V
IN_H
= V
DD
V
IN_L
= 0V的MAX5062A / C ， MAX5063A / C
IN_H + ， IN_L + IN_H ，到GND
输入阻抗
R
IN
IN_L到V
DD
对于MAX5062B / D，
MAX5063B/D
IN_H- ， IN_L- ， IN_H ，以V
DD
IN_L为MAX5062A / C ， MAX5063A / C至GND
输入电容
高边栅极驱动器
HS最大电压
BST最大电压
驱动器输出电阻
（源）
驱动器输出电阻
（塌陷）
DH反向电流（闭锁
保护）
关机下拉钳
电压
峰值输出电流（采购）
峰值输出电流（沉没）
低侧栅极驱动器
驱动器输出电阻
（源）
驱动器输出电阻
（塌陷）
反向电流在DL （闭锁
保护）
关机下拉钳
电压
峰值输出电流（采购）
峰值输出电流（沉没）
内置自举二极管
正向电压降
导通和关断时间
V
f
t
R
I
BST
= 100毫安
I
BST
= 100毫安
0.91
40
1.11
V
ns
I
PK_LP
I
PK_LN
R
ON_LP
R
ON_LN
V
DD
= 12V，我
DL
= 100毫安
（源）
V
DD
= 12V，我
DL
= 100毫安
（塌陷）
（注3）
V
DD
= 0V或浮动，我
DL
= 1毫安（沉没）
C
L
= 10nF电容，V
DL
= 0V
C
L
= 10nF电容，V
DL
= 12V
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
400
0.95
2
2
1.16
2.5
3.5
2.1
3.2
3.3
4.6
2.8
4.2
Ω
Ω
mA
V
A
A
I
DH_PEAK
V
HS_MAX
V
BST_MAX
R
ON_HP
R
ON_HN
V
DD
= 12V，我
DH
= 100毫安
（源）
V
DD
= 12V，我
DH
= 100毫安
（塌陷）
（注3）
V
BST
= 0V或浮动，我
DH
= 1毫安（沉没）
C
L
= 10nF电容，V
DH
= 0V
C
L
= 10nF电容，V
DH
= 12V
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= +125°C
400
0.94
2
2
1.16
125
140
2.5
3.5
2.1
3.2
3.3
4.6
2.8
4.2
V
V
Ω
Ω
mA
V
A
A
C
IN
2.5
pF
1
MΩ
-1
0.001
+1
A
民
典型值
最大
单位
MAX5062/MAX5063/MAX5064
_______________________________________________________________________________________
3
125V / 2A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
MAX5062/MAX5063/MAX5064
电气特性（续）
(V
DD
= V
BST
= + 8V至+ 12.6V ，V
HS
= GND = 0V ， BBM =开放，T
A
= -40° C到+ 125 ℃，除非另有说明。典型值是在
V
DD
= V
BST
= + 12V和T
A
= + 25°C 。 ） （注1 ）
参数
符号
C
L
= 1000pF的
上升时间
t
R
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
C
L
= 1000pF的
下降时间
t
F
C
L
= 5000pF
C
L
= 10,000pF
导通传播延迟时间
关断传播延迟时间
之间的延迟匹配
反相输入到输出，并
同相输入到输出
延迟匹配之间的驱动程序 -
低，驱动高
突破前先测量精度
（仅MAX5064 ）
内置非重叠
最小脉冲宽度输入逻辑
（高或低） （注5 ）
t
PW -MIN
V
DD
= V
BST
= 12V
V
DD
= V
BST
= 8V
t
D· ON
t
D- OFF
图1 ，C
L
= 1000pF的
（注3）
图1 ，C
L
= 1000pF的
（注3）
CMOS
TTL
CMOS
TTL
条件
民
典型值
7
33
65
7
33
65
30
35
30
35
2
55
63
55
63
8
ns
ns
ns
ns
最大
单位
开关特性用于高边和低边驱动器（V
DD
= V
BST
= +12V)
t
MATCH1
C
L
= 1000pF的， BBM开放MAX5064 ，
图1中（注3）
C
L
= 1000pF的， BBM开放MAX5064 ，
图1中（注3）
R
BBM
= 10kΩ
R
BBM
= 47千欧姆（注3,4）
R
BBM
= 100kΩ
40
ns
t
MATCH2
2
16
56
95
1
135
170
8
ns
72
ns
ns
ns
注1 ：
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
所有设备都100 ％在T测试
A
= + 125°C 。极限超温通过设计保证。
确保在V
DD
-to - GND或BST到的HS电压不超过13.2V 。
通过设计保证，但未经生产测试。
先开后合腾出时间为t计算
BBM
=为8ns ×（1 + R
BBM
/ 10kΩ).
见
最小脉冲宽度
部分。
4
_______________________________________________________________________________________
125V / 2A ，高速，
半桥MOSFET驱动器
MAX5062/MAX5063/MAX5064
典型工作特性
（典型值是在V
DD
= V
BST
= + 12V和T
A
= + 25 ℃，除非另有说明）。
欠压锁定
(V
DD
和V
BST
瑞星）与温度的关系
MAX5062 / 3/4 TOC01
V
DD
和BST欠压闭锁
滞后与温度
MAX5062 / 3/4 toc02
I
DD
与V
DD
MAX5062 / 3/4 toc03
7.5
7.4
7.3
7.2
UVLO （ V）
7.1
7.0
6.9
6.8
6.7
6.6
6.5
UVLO
BST
UVLO
VDD
1.0
0.9
0.8
UVLO迟滞（ V）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
UVLO
VDD
迟滞
UVLO
BST
迟滞
MAX5064
IN_L- ， IN_H- = V
DD
IN_L + ， IN_H + = GND
2V/div
V
DD
0V
500μA/div
0A
I
DD
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
-40 -25 -10 5 20 35 50 65 80 95 110 125
温度（℃）
40μs/div
I
DDO
+ I
BSTO
与V
DD
(f
SW
=为250kHz ）
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
MAX5062 / 3/4 toc04
内部BST二极管
（ I-V）特性
180
160
140
I
二极管
（MA ）
120
100
80
60
40
20
0
T
A
= +125°C
T
A
= +25°C
T
A
= 0°C
T
A
= -40°C
MAX5062 / 3/4 toc05
200
I
DDO
+ I
BSTO
（MA ）
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
V
DD
(V)
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
DD
- V
BST
(V)
V
DD
静态电流
与V
DD
（无转换）
MAX5062 / 3/4 toc06
BST静态电流
与BST电压
18
15
I
BST
(μA)
12
9
6
3
T
A
= -40 ° C，T
A
= 0° C，T
A
= +25°C
0
T
A
= +125°C
V
BST
= V
DD
+ 1V,
无开关
MAX5062 / 3/4 toc07
160
MAX5064
140
120
100
I
DD
(μA)
80
60
T
A
= -40°C
40
20
0
T
A
= + 25 ° C，T
A
= 0°C
T
A
= +125°C
21
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
DD
(V)
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
BST
(V)
_______________________________________________________________________________________
5
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M38B46M8H-XXXXFP
MRSE-3-4SUGXRA
MI-P5RJ-IXX
MR27V12800J-XXXTNE
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    -
    -
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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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